本文介紹一款利用按鈕式數(shù)字電位器簡(jiǎn)單高效地控制高達(dá)20 V電壓的完整解決方案。這款完整的解決方案提供一種可調(diào)電源,可用于需要可調(diào)電壓輸出的各種應(yīng)用。圖1顯示具有可變輸出功率的相應(yīng)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,使用AD5116 數(shù)字電位器和具有集成式推挽輸出級(jí)的 ADCMP371 比較器。通過(guò)添加開(kāi)關(guān),而不是按鈕,可以使用微控制器來(lái)調(diào)節(jié)電壓。
AD5116具有64個(gè)可用的游標(biāo)位置,端到端電阻容差為±8%。此外,AD5116包含一個(gè)EEPROM來(lái)存儲(chǔ)游標(biāo)位置,可通過(guò)按鈕手動(dòng)設(shè)置。對(duì)于需要固定標(biāo)準(zhǔn)上電電壓的應(yīng)用,這個(gè)功能非常有用。
該電路由電壓 VIN供電,最高可達(dá)20 V。AD5116和ADCMP371的電源電壓 VDD也可由 VIN生成,例如,通過(guò)ADP121等穩(wěn)壓器。
圖1.帶可變輸出、通過(guò)按鈕控制的高壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。
電路工作原理
輸出電壓 VOUT通過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)關(guān)頻率控制。通過(guò)分壓器反饋到比較器,然后與數(shù)字電位器設(shè)置的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。如果從 VOUT獲取的電壓高于基準(zhǔn)電壓,比較器輸出切換到低電平,以阻隔NMOS晶體管T1和PMOS晶體管T2,從而降低 VOUT。如果從 VOUT獲取的電壓低于基準(zhǔn)電壓,比較器輸出切換到高電平,兩個(gè)晶體管切換到導(dǎo)通狀態(tài)(飽和),從而增加 VOUT。通過(guò)這種基于比較的功能,晶體管在開(kāi)啟/關(guān)斷模式下以短脈沖工作,使各晶體管保持低損耗。除電位器的輸出電壓外,開(kāi)關(guān)頻率還受 VOUT的負(fù)載影響。
隨著數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)輸出電壓增高,T2關(guān)斷的時(shí)間變長(zhǎng),比較器輸出相應(yīng)增高。比較器輸出提供一系列更高頻率、速度更快的正電源輸出脈沖。如果DAC輸出電壓降低,則情況相反。
經(jīng)過(guò)濾波的VOUT通過(guò)公式1確定。
VW為電位器抽頭W處的DAC輸出電壓。
AD5116的A抽頭和B抽頭之間的電阻標(biāo)稱值為5 kΩ,劃分為64級(jí)階躍。在量程的較低端,典型游標(biāo)電阻 RW降至45 Ω到70 Ω之間。相對(duì)于GND的 VW輸出電壓為:
其中 RWB為:
RWB是抽頭W和較低端的GND之間的電阻值。
RAB為電位器的總電阻。
VA為分壓器串頂端的電壓;在本例中,它等于 VDD。
D為AD5116的RDAC寄存器中二進(jìn)制代碼的十進(jìn)制等效值。
AD5116的RDAC寄存器通過(guò)按鈕PD和PU進(jìn)行控制。默認(rèn)的上電位置(例如 VOUT= 0 V)可以通過(guò)ASE引腳存儲(chǔ)在電位器的EEPROM中。
濾波器輸出:減少紋波
為了獲得平穩(wěn)的輸出電壓VOUT并減少開(kāi)關(guān)T1和T2導(dǎo)致的紋波,需要使用額外的濾波器電路(參見(jiàn)圖2)。在設(shè)計(jì)此濾波器時(shí),需考慮AD5116的最大和最小開(kāi)關(guān)頻率,以及其工作電壓范圍。
對(duì)于圖2所示的電路,開(kāi)關(guān)頻率范圍約為1.8 Hz至500 Hz。因?yàn)檫@個(gè)值相當(dāng)?shù)停栽诖_定濾波器的截止頻率時(shí),通常需要使用更大的R、L和C值。但是,濾波器的串聯(lián)電阻和輸出負(fù)載構(gòu)成了一個(gè)分壓器,會(huì)降低輸出電壓。所以,在選擇R值時(shí),應(yīng)選擇相對(duì)較低的值。
圖2.用于使輸出電壓平穩(wěn)的濾波器電路。
AD5116
- 標(biāo)稱電阻容差誤差:±8%(最大值)
游標(biāo)電流:±6 mA
可變電阻器模式下的溫度系數(shù):35 ppm/°C
低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C)
寬帶寬:4 MHz(5 kΩ選項(xiàng))
上電EEPROM刷新時(shí)間:< 50 μs
125°C時(shí)典型數(shù)據(jù)保留期:50年
100萬(wàn)寫周期
2.3 V至5.5 V電源供電
內(nèi)置自適應(yīng)去抖器
寬工作溫度范圍:-40℃至+125℃
2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引腳超薄LFCSP封裝
原文轉(zhuǎn)自亞德諾半導(dǎo)體
-
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
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