大功率芯片散熱電動(dòng)汽車電機(jī)控制器結(jié)構(gòu)優(yōu)化

摘要：在當(dāng)下的實(shí)際應(yīng)用中，特別是電動(dòng)汽車領(lǐng)域，由于該領(lǐng)域的快速發(fā)展導(dǎo)致功率半導(dǎo)體器件需要更高的性能要求。自功率半導(dǎo)體誕生以來(lái)，技術(shù)人員主要致力于提高元件的耐壓耐溫、開(kāi)關(guān)頻率、通流能力等性能，然而硅元件性能受限于基地材質(zhì)，該材質(zhì)存在明顯的上限，目前的硅功率半導(dǎo)體的性能基本接近上限，難以滿足當(dāng)前及未來(lái)電動(dòng)汽車電機(jī)控制器對(duì)效率，功率密度，體積，可靠性等方面的需求。這些問(wèn)題的存在使得行業(yè)積極轉(zhuǎn)向采用前沿技術(shù)：采用性能更加優(yōu)異的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行電機(jī)控制器設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：SiC電動(dòng)汽車電機(jī)控制器結(jié)構(gòu)優(yōu)化

1行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)始于 21 世紀(jì)初期，在2006 年開(kāi)始嘗試實(shí)現(xiàn)混合動(dòng)力汽車產(chǎn)業(yè)規(guī)模化，并開(kāi)始逐步拓展至純電動(dòng)汽車的生產(chǎn)范圍 [1]。當(dāng)時(shí)的專家團(tuán)隊(duì)就電動(dòng)汽車的車用動(dòng)力蓄電池、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、燃料電池、電力電子設(shè)備等關(guān)鍵零部件的總體集成和技術(shù)研發(fā)進(jìn)行了大規(guī)模的攻關(guān)，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，從而奠定了現(xiàn)今中國(guó)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域發(fā)展的基礎(chǔ)。隨著產(chǎn)業(yè)不斷競(jìng)爭(zhēng)和整合，電動(dòng)汽車因其發(fā)展迅猛，效果顯著，性能優(yōu)異，技術(shù)可靠等優(yōu)點(diǎn)，迅速成為了國(guó)內(nèi)最主流的一種電動(dòng)汽車產(chǎn)品。電動(dòng)汽車顧名思義—指利用電能驅(qū)動(dòng)車輛運(yùn)行，首先通過(guò)高性能電池儲(chǔ)存并輸出電能，然后由電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置將能量精確控制并分配至驅(qū)動(dòng)電機(jī) - 輪轂系統(tǒng)從而實(shí)現(xiàn)車輛運(yùn)行的方式。由于這個(gè)方向與傳統(tǒng)汽車行業(yè)相比差別較大，國(guó)外的領(lǐng)先程度也不高，同時(shí)由于行業(yè)藍(lán)海阻力小，沒(méi)有存在明顯的行業(yè)專利壁壘和壟斷，國(guó)內(nèi)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展迅速，使得我國(guó)后發(fā)優(yōu)勢(shì)得到了充分的體現(xiàn)。2013 年實(shí)現(xiàn)了高功率硅 IGBT 器件國(guó)產(chǎn)化，2016 年達(dá)到世界先進(jìn)水平，我國(guó)電動(dòng)汽車得以能夠同歐美企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技。

2電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的研究

2.1電力驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用需求

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展在電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電動(dòng)機(jī)已經(jīng)從傳統(tǒng)的直流電機(jī)、交流異步電機(jī)發(fā)展到了同步磁阻電機(jī)、永磁電機(jī)等效率高、體積小、功率密度大的新型電機(jī)產(chǎn)品。相比于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，新型電機(jī)具備體積小，功率大，成本低，控制精度高的優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)電機(jī)控制系統(tǒng)簡(jiǎn)單響應(yīng)性能雖然不錯(cuò)，但由于體積、成本、效率等因素導(dǎo)致了其無(wú)法同新型電動(dòng)機(jī)在電動(dòng)汽車這個(gè)行業(yè)上競(jìng)爭(zhēng)，而新型電機(jī)是因?yàn)椴捎昧讼冗M(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置才能發(fā)揮出新型電機(jī)的性能。

電動(dòng)汽車要走進(jìn)千家萬(wàn)戶，首先得能夠保證行業(yè)能自行發(fā)展，穩(wěn)定盈利，那么必然會(huì)面臨著一個(gè)國(guó)家政策補(bǔ)貼減少和完全取消這樣一個(gè)嚴(yán)峻的考驗(yàn)。當(dāng)國(guó)家的政策扶持逐步取消以后，什么樣的產(chǎn)品才能賣出合適的價(jià)格？才能讓市場(chǎng)接受？才能走進(jìn)千家萬(wàn)戶？首先是價(jià)格，要能夠讓普通消費(fèi)者買得起，然后是與同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手燃油汽車相比要跑得里程要長(zhǎng)續(xù)航能力強(qiáng)，再者安全系數(shù)一定要高，最后是智能化水平要領(lǐng)先。而電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，作為電動(dòng)汽車三大核心技術(shù)之一，其性能的好壞直接決定了車輛的總體指標(biāo)。因此對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的要求就是成本低，效率高，體積要小，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，容忍性強(qiáng)。那么就需要具備高功率密度、能耐受高溫、不懼低溫、電氣控制性能好、抗電磁干擾能力強(qiáng)或者容易控制、過(guò)載運(yùn)行能力強(qiáng)、過(guò)負(fù)荷倍數(shù)要突出、控制容易且精確穩(wěn)定和綜合系統(tǒng)性能強(qiáng)等特點(diǎn)。只有這樣才能在產(chǎn)品端表現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)，才能具有較強(qiáng)的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

2.2傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器研究

隨著電力電子技術(shù)水平迅速發(fā)展得到進(jìn)一步的提升以及各種先進(jìn)高性能微處理器，其控制和功能日趨豐富而強(qiáng)大，電機(jī)驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)備已實(shí)現(xiàn)完全數(shù)字化控制，產(chǎn)業(yè)也迅速朝著集成化、模塊化的方向發(fā)展。

電力驅(qū)動(dòng)裝置這種集成系統(tǒng)由多個(gè)模塊組合而成，傳統(tǒng)的電力驅(qū)動(dòng)裝置采用硅 IGBT作為電流的控制元件，普通硅器件結(jié)溫目前已達(dá)到 150℃，接近硅材質(zhì)的上限，并且元件在工作溫度大于 80℃后就會(huì)出現(xiàn)顯著的性能降低、芯片載流能力下降、開(kāi)關(guān)波形不穩(wěn)定、毛刺增加等問(wèn)題，這要求提供更大的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)增加了對(duì)控制電路的壓力。為滿足車輛控制的可靠性要求，往往需要散熱系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)，形成較大的系統(tǒng)冗余，且硅 IGBT 本身也存在一定程度的模塊冗余。這導(dǎo)致集成系統(tǒng)體積碩大、成本高昂且性能一般，主要用于對(duì)設(shè)備體積不敏感的場(chǎng)所例如高鐵、電動(dòng)公交等。

從占用體積角度分析，為保證散熱，集成系統(tǒng)采用循環(huán)水冷系統(tǒng)直接接觸芯片的方式帶走熱量，但因?yàn)樗湟赫９ぷ鳒囟仍?0-90 攝氏度范圍，硅 IGBT 元件的可靠工作溫度與冷卻介質(zhì)溫差較小，需要極高的傳

熱能力才能保證熱量的快速轉(zhuǎn)移。但為了保證系統(tǒng)安全可靠，在高頻振動(dòng)下穩(wěn)定、不老化，電子元器件必須與冷卻介質(zhì)完全隔離，不能采用常規(guī)民用產(chǎn)品，直接接觸冷卻和液體表面沖擊冷卻。因此，中間層的傳熱介質(zhì)只能是銅制熱管或純銅均熱板，其成本相對(duì)高昂而且需要較大的接觸表面積來(lái)保證熱量的快速轉(zhuǎn)移，這導(dǎo)致水冷系統(tǒng)水道復(fù)雜、成本高、體積大近乎占據(jù)整個(gè)模塊約 40%。為保證開(kāi)關(guān)波形的穩(wěn)定，必須保證在最惡劣工況下 IGBT 驅(qū)動(dòng)元件電磁干擾要盡量小，不會(huì)因?yàn)榇箅娏鲗?dǎo)致紋波異常，引起錯(cuò)誤的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。通常采用三相橋式逆變電路的 IGBT系統(tǒng)，為保證最終輸出波形能接近正弦波需要采用 PWM 高頻開(kāi)關(guān)，配合續(xù)流元件和平波電容從而實(shí)現(xiàn)波形整理。而傳統(tǒng)硅 IGBT模塊因工作溫度導(dǎo)致的性能劣化且由雜波引起的穩(wěn)定時(shí)間延遲導(dǎo)致系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率較低，僅有 30kHz 左右，這導(dǎo)致在輸出正弦波驅(qū)動(dòng)電流時(shí) PWM 波形頻率太低需要很大的平波電容才能實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。這些電容組統(tǒng)稱為母排電容，集成后也占用了較大體積，且因?yàn)殡娙輸?shù)量眾多，導(dǎo)致工作電壓也較高而能采用的 PP 膜電容僅具有較好的低頻性能。雜波的尖銳波形形成的高次諧波會(huì)導(dǎo)致母排電容組的損耗增加，發(fā)熱量很大。傳統(tǒng)的集成系統(tǒng)工程設(shè)計(jì)是采用定制電容器，封裝外殼直接與散熱模組連接，通過(guò)循環(huán)水冷系統(tǒng)帶走熱量。因此母排電容及其附屬配件占用了整個(gè)模塊約 45%，成本是難以降低。

去除以上兩部分組件，真正用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的核心部件 IGBT 模組和控制電路的體積只占整個(gè)模塊的 15%，雖然這部分占成本比例高，但由于國(guó)產(chǎn)化元器件進(jìn)度很大，更新?lián)Q代速度較快。因此成本下降速度很快，屬于創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)?？梢愿鶕?jù)市場(chǎng)定位選擇合適價(jià)格的元器件。而其余的散熱系統(tǒng)和母排電容系統(tǒng)的成本和占用體積幾乎無(wú)法減少。這嚴(yán)重影響產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

2.3SiCMOSFET 驅(qū)動(dòng)元件替代硅 IGBT元件設(shè)計(jì)

硅 IGBT 與 SiCMOSFET 驅(qū)動(dòng)芯片兩者電氣參數(shù)特性差別較大，對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求也不同，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面，見(jiàn)表 1。

表1

從開(kāi)通、關(guān)斷控制電壓來(lái)看，相比于傳統(tǒng)硅 IGBT，采用 SiC 器件需要更高的開(kāi)通電壓，但關(guān)斷電壓可采用 0V，這極大簡(jiǎn)化了控制電路的設(shè)計(jì)，不需要額外的負(fù)壓電路。對(duì)比電磁干擾的耐受性能 CMTI，碳化硅MOSRET 也顯著強(qiáng)于傳統(tǒng)硅 IGBT，能實(shí)現(xiàn)更高的可靠性同時(shí)簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

從開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)看，開(kāi)關(guān)時(shí)間的成倍縮短能大大減少系統(tǒng)在導(dǎo)通與關(guān)斷之間切換過(guò)程的時(shí)間，過(guò)程時(shí)間越短，則過(guò)程狀態(tài)下的開(kāi)關(guān)損耗就越小，顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗極大降低高頻運(yùn)行下的發(fā)熱。同時(shí)導(dǎo)通電阻的降低也能減少通流損耗，低頻、大電流下的發(fā)熱也能顯著減少。綜合各種運(yùn)行工況來(lái)看，作為電流控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，任意一種損耗的減小均能大幅提高系統(tǒng)運(yùn)行效率。

從開(kāi)關(guān)頻率方面來(lái)看，通常硅 IGBT 的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率不大于 40kHz，而 SiC 而開(kāi)關(guān)頻率通常在 100-200kHz，相對(duì)來(lái)說(shuō)得到大幅提升，在用于 PWM 驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生正弦波輸出的過(guò)程中能夠有效優(yōu)化波形，能降低對(duì)母排電容的容量要求，大幅降低輸出毛刺和抖動(dòng)，可以減少母排電容的發(fā)熱損耗。

從 SiC 材料本身的材料性能方面來(lái)看，其器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，本身熱導(dǎo)率性能優(yōu)越，是硅材料的三倍，在真空條件下甚至可耐受高達(dá) 400-600℃的高溫，在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中，為了防止接觸空氣氧化、保證系統(tǒng)可靠性穩(wěn)定性，SiC 器件必須有車規(guī)級(jí)封裝，當(dāng)前耐高溫封裝中，150℃結(jié)溫是業(yè)界目前的最高執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)，而 200℃乃至更高耐溫的封裝還在定制化設(shè)計(jì)之中，潛力深厚具有非常廣闊的發(fā)展前景。

從 SiC 材料本身的物理性能方面來(lái)看，SiC 半導(dǎo)體器件具有很寬的禁帶寬度，屬于第三代半導(dǎo)體材料，臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料的近十倍，這使得更高元器件工作電壓成為了可能。目前的產(chǎn)品中傳統(tǒng)硅 IGBT 產(chǎn)

品工作電壓約 450V-800V，而已投產(chǎn)的車用SiC 器件工作電壓可達(dá) 1200V-3300V 且仍具備較大提高的空間。這樣可使得同等功率下高電壓小電流驅(qū)動(dòng)成為了可能，電流的減小能顯著降低雜散電感和電磁干擾的影響，且能大幅降低線路損耗與發(fā)熱。

為更好的發(fā)揮 SiC 器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，

需要對(duì)現(xiàn)有電機(jī)控制器進(jìn)行大量?jī)?yōu)化和改進(jìn)。首先控制主系統(tǒng)必須具備更小的延遲、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更短的保護(hù)動(dòng)作時(shí)間。這需要采用更先進(jìn)更高頻率的 SOC 片上系統(tǒng)，才能發(fā)揮 SiC 器件高開(kāi)關(guān)頻率、低損耗的優(yōu)勢(shì)。其次 SiC 器件損耗低、發(fā)熱量小且耐溫高，這些優(yōu)越的性能組合起來(lái)使得 SiC 熱傳導(dǎo)速度極大提高、熱密度提高、冷卻系統(tǒng)大幅減小。采用單獨(dú)的耐高溫開(kāi)關(guān)板設(shè)計(jì)，將所有 SiC器件集成到一起，采用光觸發(fā)技術(shù)同控制板完全隔離，工作溫度為 150-200℃。這既保證常規(guī)控制板工作溫度穩(wěn)定，又能發(fā)揮出 SiC器件板耐高溫的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有效降低電磁干擾水平，提高系統(tǒng)可靠性。最后應(yīng)當(dāng)采用新型主控算法充分發(fā)揮在控制器中移相，適當(dāng)?shù)窒姍C(jī)載波的紋波，同時(shí)將工作電壓提高一到兩倍，更好的發(fā)揮 SiC 器件高電壓的優(yōu)勢(shì)，在維持原波形雜波和諧波占比的條件下，極大地減少平波母排電容的大小和損耗甚至可以在優(yōu)化控制器的情況下完全消除。通過(guò)以上幾種方式可使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率密度從 8kW/L 提高至 30kW/L 且仍具備很大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

3結(jié)語(yǔ)

綜上所述，當(dāng)前新型車用 SiC 材料控制器在極端環(huán)境下的可靠性還在進(jìn)一步的驗(yàn)證。SiCMOSFET 與硅 IGBT 材料相比，具有更寬的禁帶寬度、數(shù)倍的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、兩倍的電子飽和漂移速率和三倍的熱導(dǎo)率這樣的性能優(yōu)勢(shì)，在電氣上具有更高頻、高效、耐高壓、耐高溫等特點(diǎn)取代傳統(tǒng)器件勢(shì)不可擋。以當(dāng)前已經(jīng)投入使用的 SiC 電機(jī)控制模塊同傳統(tǒng)硅 IGBT 模塊系統(tǒng)相比，電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置整體系統(tǒng)的體積可減少至 25%，系統(tǒng)重量減少至 30%，電能損耗從 20% 降低至 5%，效率達(dá)到 99% 以上，盡管電力元件價(jià)格更昂貴，但電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置系統(tǒng)的成本還是顯著降低至 65%。從市場(chǎng)上看，SiC 電機(jī)控制模塊的使用使得整車?yán)m(xù)航里程提升 5% 以上，配合更好的能量回收制動(dòng)，數(shù)字控制技術(shù)極大提高車輛綜合續(xù)航水平且遠(yuǎn)未達(dá)到理論性能極限，具有很大的發(fā)展前景

來(lái)源：新能源汽車

作者：陳志飛

廈門市福工動(dòng)力技術(shù)有限公司

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