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碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6之間，化學穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發(fā)生反應，切割劃片很有難度。

深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗，現(xiàn)將部分案例整理如下，供各位朋友參考。更多方案細節(jié)歡迎來電來函咨詢。

劃切案例一

材料情況

晶圓規(guī)格	6寸
晶圓厚度	0.175mm
劃片槽寬度	100um
Die size	3.0*2.54mm

工藝參數(shù)

設備型號	TSK-S20
主軸轉(zhuǎn)速	35000rpm
進刀速度	0.8mm/s
刀片高度	0.15/0.05mm

切割方案

推薦刀片	SST 2000-R-70-ECB
切割模式	單刀切斷
品質(zhì)標準	正面離保護線＞10um 背面<50um 側(cè)崩＜芯片厚度1/4
其他	先激光開槽

劃切效果

劃切案例二

材料情況

晶圓規(guī)格	4寸
晶圓厚度	0.38mm
劃片槽寬度	80um
Die size	4.3*4.3mm

工藝參數(shù)

設備型號	DISCO 6340
主軸轉(zhuǎn)速	35000rpm
進刀速度	3mm/s
刀片高度	0.28/0.05mm

切割方案

推薦刀片	SST 3000-R-70 DCB
切割模式	Step
品質(zhì)標準	正面離保護線10um 背崩<40um
其他	SD3500-N1-50 CD先開槽

劃切效果

劃切案例三

材料情況

晶圓規(guī)格	8寸
晶圓厚度	0.2mm
劃片槽寬度	100um
Die size	5.37*4.46mm

工藝參數(shù)

設備型號	DISCO 6362
主軸轉(zhuǎn)速	45000/35000rpm
進刀速度	2mm/s
刀片高度	0.2/0.05mm

切割方案

推薦刀片

3500-R-70 CCG

2000-R-50 EGF

切割模式

Step

品質(zhì)標準

正面離保護線20um

背崩<50um

劃切效果

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晶圓

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