國芯思辰鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在儀表中應用，內存達128Kb

在儀表設計中，數據的安全存貯非常重要。如電子式電能表，它在運行期間時刻都在記錄數據，如果功能設計的比較多，那么保存的數據量大，擦寫次數比較多。一般需要有一個高性能的存貯器才能滿足需求。

某客戶在設計儀表時，需要用到一個壽命長、數據保存安全期長的存儲器，該客戶最終確定了拍字節(jié)的新型鐵電存儲器(FRAM)PB85RS128，該FRAM芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為16,384×8位，通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工藝技術形成非易失性存儲單元和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。該芯片中使用的存儲單元可用于1E6 次讀/寫操作*1，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM，且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數據寫入時間，而且它不需要等待時間。

目前，拍字節(jié)PB85RS128是非常適合儀表設計要求的存貯器。它的性能指標完全達到設計要求，解決了儀表中的設計憂慮。更重要的是，它的存貯時間短，在異常掉電時，利用FRAM高速寫特性，瞬時將企業(yè)級固態(tài)硬盤的FTL Changes和Write Buffer保存到VFRAM中，徹底解決了企業(yè)級固態(tài)硬盤異常掉電引起的數據丟失問題。在出現儀表突然斷電的情況數據能及時、安全的存貯。

拍字節(jié)PB85RS128主要參數如下：

· 容量：128Kb

· 接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

· 工作電壓：2.7伏至3.6伏

· 工作頻率：25兆赫茲

· 功耗：4.2毫安（25兆赫茲）

· 低功耗：9微安（待機）

· 數據保持：10年@85℃（200年@25℃）

· 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

· 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

· 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS

為了普及使用，拍字節(jié)PB85RS128封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設備用WSON等超小型封裝形式的產品。同時，使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至16Mbit的并行存儲器。在利用SRAM及數據保存用電池供電的應用中，并行存儲器被用作進一步降低能耗或減少電池的解決方案。此外，在企業(yè)級SSD及NVDIMM等應用場景，拍字節(jié)提供了256Mbit至4Gbit的DDR接口。

對于新型鐵電存儲器(FRAM)，國芯思辰PB85RS128擁有較快的響應速度以及高性價比的價格優(yōu)勢，可以完美替代賽普拉斯和富士通，能夠給客戶提供更好的價格和交期。

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