中國半導(dǎo)體市場份額進(jìn)一步提升，2023年將迎全新發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽

WSTS 預(yù)測，2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，受益于國際行情，中國半導(dǎo)體市場占全球半導(dǎo)體市場的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。

2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從2016到2023年中國半導(dǎo)體進(jìn)入高速發(fā)展期，2019年首次突破萬億元，2021與2022年平均復(fù)合增長率約為8%,預(yù)計(jì)2023年達(dá)到1,5009億元，將迎來全新發(fā)展良機(jī)。

半導(dǎo)體產(chǎn)量方面，根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2010年以來中國半導(dǎo)體產(chǎn)量逐年增長，由414億塊增長至2020年的2,612億塊，2021年更是迅猛增長至3,594億塊，同比大幅增長37.6%，是除了2010年以外近13年來的最高增速，2022年由于存貨、庫存保持高位，項(xiàng)目重復(fù)建設(shè)，產(chǎn)能出現(xiàn)負(fù)增長。2023年下半年隨著庫存消耗，產(chǎn)能將出現(xiàn)提升，預(yù)計(jì)增長6%達(dá)到3,400億塊。

本土功率半導(dǎo)體廠商迎來發(fā)展新契機(jī)

以深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。

薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復(fù)功率二極管、高中低壓MOS場效應(yīng)管、可控硅、橋堆等功率器件，肖特基二極管、ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、通用二極管三極管，和電源管理芯片、霍爾HALL傳感器、高速光耦、晶振等、客戶涵蓋工業(yè)、軍工、民用消費(fèi)類等系列，滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力設(shè)備、太陽能光伏、醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)對高性能產(chǎn)品的需求，也在智能手機(jī)、手提電腦、機(jī)器人、智慧家居、物聯(lián)網(wǎng)車聯(lián)網(wǎng)、LED照明、3C數(shù)碼產(chǎn)品等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

主營產(chǎn)品

MOS場效應(yīng)管、霍爾hall元件、IGBT單管、SiC碳化硅器件、高速光耦、ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、肖特基二極管、COOLMOS、電源管理IC等 （可兼容替代ON安森美、DIODES美臺、Honeywell霍尼韋爾、TI德州儀器、IR、AMS、NXP等進(jìn)口品牌產(chǎn)品）。

1

MOS場效應(yīng)管

2

IGBT單管

3

SiC碳化硅器件

4

肖特基二極管

5

TVS瞬態(tài)抑制二極管

6

電源管理IC