先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

來源：焊接學(xué)報(bào)

摘 要

Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)，相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝，其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對(duì)應(yīng)用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)進(jìn)行了綜述，首先從工藝流程、 連接機(jī)理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結(jié)了熱壓工藝、混合鍵合工藝實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的研究進(jìn)展與存在問題， 進(jìn)一步地闡述了新型納米材料燒結(jié)工藝在實(shí)現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)越性，概述了納米線、納米多孔骨 架、納米顆粒初步實(shí)現(xiàn)可圖形化的 Cu-Cu 低溫鍵合基本原理. 結(jié)果表明，基于納米材料燒結(jié)連接的基本原理，繼續(xù) 開發(fā)出寬工藝冗余、窄節(jié)距圖形化、優(yōu)良互連性能的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是未來先進(jìn)封裝的重要發(fā)展方向之一.

0 序言

摩爾定律指出，集成電路上可容納的晶體管數(shù) 目及性能約每隔 18 ~ 24 個(gè)月便會(huì)提升一倍 . 隨 著大數(shù)據(jù)、5G、人工智能、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展， 尤其是工藝節(jié)點(diǎn)到 7 nm 之后，物理效應(yīng)、成本的限 制使得依靠光刻技術(shù)驅(qū)動(dòng)的摩爾定律明顯放緩. 在“后摩爾時(shí)代”，不再一味地追求更小的光刻工藝 節(jié)點(diǎn)，而是依靠先進(jìn)封裝互連技術(shù)的創(chuàng)新來滿足系 統(tǒng)微型化、多功能化的需求，這將是集成電路制造 行業(yè)發(fā)展的重要方向之一 .

為了滿足高性能芯片的應(yīng)用需求，未來先進(jìn)封 裝互連技術(shù)將不斷向高密度、高可靠的方向發(fā)展. 高密度即指焊點(diǎn)節(jié)距將不斷減小至 10 μm 以下，焊 點(diǎn)密度超過 10 000 個(gè)/mm2 ；高可靠主要指焊點(diǎn)在 電流密度不小于 106 A/cm2 、服役溫度不低于 100 ℃ 等工況下服役時(shí)具有良好的穩(wěn)定性能，并伴隨應(yīng)用 領(lǐng)域?qū)?a target="_blank">電子器件要求越高則上述服役參數(shù)將不斷 提升. 目前，主流應(yīng)用的先進(jìn)封裝互連技術(shù)為 Sn 基 釬料軟釬焊工藝 ，主要包括回流焊和波峰焊工藝， 其具有連接溫度低 (250 ~ 300 ℃)、成本低等優(yōu)勢(shì). 對(duì)于回流焊工藝，回流過程中可發(fā)生自對(duì)中效應(yīng)和 塌陷效應(yīng)，降低了對(duì)設(shè)備對(duì)中精度和基板平整度 的要求. 然而，軟釬焊工藝也存在諸多局限性，比如 回流過程中易發(fā)生外溢效應(yīng)，無法實(shí)現(xiàn)窄節(jié)距互 連；其接頭載流能力弱，易發(fā)生電遷移失效；界面 反應(yīng)易生成空洞和脆性相，引起機(jī)械可靠性降低等. 這些瓶頸導(dǎo)致軟釬焊工藝無法滿足未來先進(jìn) 封裝互連技術(shù)的發(fā)展要求. 近年來，Cu-Cu 鍵合 新方法發(fā)展迅速，無 Sn 元素的使用避免了上述問 題的出現(xiàn). 具體而言，Cu-Cu 鍵合具有以下優(yōu)勢(shì)：① Cu 在鍵合過程中全程保持固態(tài)，無軟釬焊的外 溢問題，可實(shí)現(xiàn)窄節(jié)距互連；② 具有優(yōu)異的導(dǎo)電、 導(dǎo)熱性能，良好的抗電遷移能力和熱機(jī)械可靠性；③ Cu 是半導(dǎo)體制造中的常用金屬，工藝兼容性好 且材料成本低廉. 綜合上述因素，Cu-Cu 鍵合技術(shù) 可滿足高密度、高可靠互連，未來最有可能獲得大 規(guī)模應(yīng)用. 然而，Cu-Cu 鍵合也面臨諸多新的挑戰(zhàn)， 如銅的熔點(diǎn) (1 083 ℃) 高、自擴(kuò)散速率低，難以實(shí)現(xiàn) 低溫鍵合. 已有研究表明，Cu-Cu 直接鍵合需要在 400 ℃ 的高溫下才能充分發(fā)生原子擴(kuò)散，如此 高的溫度會(huì)導(dǎo)致降低對(duì)中精度、損傷器件性能、增 加設(shè)備要求等問題. 因此，如何實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低溫 鍵合已成為學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界共同關(guān)注的焦點(diǎn)之一.

目前，實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的技術(shù)手段可分為 熱壓鍵合工藝、混合鍵合工藝、納米材料燒結(jié)工藝 三大類. 除了需滿足上述低溫需求外，新工藝還要 綜合考慮性能 (如強(qiáng)度、電阻)、可靠性、效率、成 本、工藝兼容性等因素. 文中將對(duì)這些工藝的方 法、原理進(jìn)行系統(tǒng)歸納、總結(jié)，分析其實(shí)際應(yīng)用時(shí)存 在的工藝難點(diǎn)，并展望了 Cu-Cu 低溫鍵合進(jìn)一步研 究的方向，以期對(duì)未來技術(shù)發(fā)展提供參考.

1 熱壓鍵合工藝

熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統(tǒng)擴(kuò)散焊工藝 相同，即上下芯片的 Cu 凸點(diǎn)對(duì)中后直接接觸，其實(shí) 現(xiàn)原子擴(kuò)散鍵合的主要影響參數(shù)是溫度、壓力、時(shí) 間. 由于電鍍后的 Cu 凸點(diǎn)表面粗糙并存在一定的 高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處 理，如化學(xué)機(jī)械拋光 (chemical mechanical polishing, CMP)，使得鍵合時(shí) Cu 表面能夠充分接觸. 基于目 前研究文獻(xiàn)，通過熱壓鍵合工藝實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵 合的方法從機(jī)理上可分為兩類，即提高 Cu 原子擴(kuò) 散速率和防止/減少待鍵合 Cu 表面的氧化.

1.1 提高 Cu 原子擴(kuò)散速率

Juang ，Shie ，Ong，Liu 等人提出了 電鍍晶粒呈現(xiàn)高度 (111) 取向的 Cu 凸點(diǎn)用于 CuCu 熱壓鍵合的方法，如圖 1 所示. 已有研究表明， 在 150 ~ 300 ℃ 條件下，Cu 原子在 (111) 晶面上的 擴(kuò)散速率比 (100)、(110) 晶面高 3 ~ 6 個(gè)數(shù)量級(jí)，晶 粒呈現(xiàn)高度 (111) 晶向的 Cu 凸點(diǎn)可以有效提高 Cu 原子擴(kuò)散速率，降低鍵合溫度 . 利用晶粒定向 生長(zhǎng)的方法可以在 300 ℃，90 MPa，10 s 的條件下 完成快速鍵合，但是鍵合強(qiáng)度和導(dǎo)電性能較差. 為 此研究人員進(jìn)一步開發(fā)出了兩步鍵合工藝：首 先，電鍍后的 Cu 凸點(diǎn)進(jìn)行 CMP 并使用檸檬酸清洗 去除表面氧化物，并在 300 ℃，93 MPa，10 s 的條件 下進(jìn)行預(yù)鍵合；然后，在 300 ℃，47 MPa 的真空條 件下保溫 1 h 進(jìn)行退火處理，退火后的剪切強(qiáng)度達(dá) 103 MPa，導(dǎo)電性能進(jìn)一步改善. 圖 1d 顯示了退火 后晶粒會(huì)長(zhǎng)大至貫穿鍵合界面，從而可提高界面的結(jié)合強(qiáng)度.

此外，Sakai等人采用金剛石刀頭飛行切割 的方法對(duì) Cu 表面進(jìn)行整平，如圖 2 所示. 發(fā)現(xiàn)切 割后的 Cu 表面會(huì)出現(xiàn)由細(xì)晶粒構(gòu)成的薄層，細(xì)晶 層可提高晶界擴(kuò)散通量，因而降低 Cu-Cu 鍵合的溫度. 最終鍵合在 200 ℃，30 min，300 MPa 的條件下 完成，且界面處原子相互擴(kuò)散形成了新的晶粒. 研 究人員還比較了飛行切割與 CMP 處理后的 CuCu 鍵合強(qiáng)度，結(jié)果表明，200 ℃ 連接條件下，前者 的強(qiáng)度比后者高出近一倍. 此外，Al Farisi 等人將該方法用于密封，飛行切割后的 Cu 密封條可在 250 ℃ 的低溫下實(shí)現(xiàn)鍵合，從而減少密封過程中的 氣體解吸附，降低腔體內(nèi)的氣壓. 從圖 3 可以看到， 飛行切割后的 Cu 表面晶粒發(fā)生了明顯細(xì)化.

進(jìn)一步地，為降低對(duì) CMP/飛行切割整平工藝 的依賴，Yang，Chou等人提出了插入式 CuCu 鍵合工藝，其原理如圖 4 所示. 首先通過電鍍工 藝制作出異型結(jié)構(gòu)的待鍵合 Cu 表面，一面直徑較 小的 Cu 為突出結(jié)構(gòu)，另一面直徑較大的 Cu 為凹陷 結(jié)構(gòu)，二者對(duì)中后形成插入式結(jié)構(gòu). 在加壓過程中突出結(jié)構(gòu)的 Cu 和凹陷結(jié)構(gòu)的 Cu 發(fā)生相對(duì)滑移和 應(yīng)力集中，產(chǎn)生一定的熱效應(yīng)，加速原子擴(kuò)散. 這種 方法可以在 150 ℃ 的條件下完成鍵合，鍵合后的界 面如圖 5 所示. 可靠性測(cè)試表明，該方法經(jīng)過 1 000 個(gè) 熱 循 環(huán) 測(cè) 試 (thermal cycling test， TCT， ?55 ~ 125 ℃) 和 96 h，130 ℃，85% 濕度的加速老化測(cè)試 (highly accelerated stress Test，HAST) 后，接頭電阻 無明顯變化. 這種方法無需 CMP 工藝，對(duì)待鍵合表 面的粗糙度有一定容忍度. 但是 ，為了使上下 Cu 結(jié)構(gòu)發(fā)生較大塑性變形而充分接觸，需要施加 高達(dá) 500 MPa 以上的壓力.

1.2 防止/減少待鍵合表面氧化

Cu 在高溫鍵合的情況下容易發(fā)生氧化，阻礙Cu 原子的擴(kuò)散. Takagi，Suga，Shigetou等人 提出了表面活化鍵合 (Surface Activated Bonding， SAB) 的方法. 該方法在超高真空條件下 (10?8 torr) 采用等離子體轟擊待鍵合 Cu 表面，去除氧化物和 其他污染物，達(dá)到原子級(jí)的表面清潔度，并在室溫、 無壓力條件下進(jìn)行預(yù)鍵合. 室溫條件鍵合可以保證 有更好的對(duì)中精度，報(bào)道中 SAB 可實(shí)現(xiàn) 6 μm 的窄 節(jié)距互連. 由圖 6 可以看到，預(yù)鍵合后仍存在明顯 界面，所以該方法往往需要 250 ~ 300 ℃ 的高溫退 火. SAB 表面處理和鍵合過程都需要在高真空條件 下完成，對(duì)設(shè)備要求非常高.

此外，研究人員提出了使用 Ti，Au，Ag， Pd等金屬在 Cu 表面制作鈍化層的方法，其鍵合原理如圖 7 所示. Cu 表面的金屬鈍化層及可有效 防止 Cu 被氧化，在鍵合過程中金屬鈍化層會(huì)向 Si 基底一側(cè)移動(dòng)，而 Cu 原子會(huì)向鍵合界面遷移，最 終完成 Cu-Cu 鍵合.

如圖 8 為 Ti 作鈍化層的鍵合結(jié)果，在 180 ℃， 1.91 MPa，30 ~ 50 min 的鍵合條件下，Ti 向 Si 基底 的方向移動(dòng)了約 50 nm，鍵合界面處為 Cu. 鍵合后 經(jīng)過 500 個(gè) TCT(?55 ~ 125 ℃) 和 96 h，130 ℃，85% 濕度的 HAST 后，接頭電阻無明顯變化.

此外，Peng，Tan等人還提出了采用自組 裝 分 子 層 (self-assembled monolayer， SAM) 鈍 化 Cu 表面防止氧化的方法，如圖 9 所示. 在鍵合前， 晶圓放入烷烴硫醇溶液中進(jìn)行浸泡從而在 Cu 表面 形成鈍化保護(hù). 鍵合過程首先升溫至 250 ℃，該溫 度下有機(jī)物鈍化層會(huì)自行分解，隨后將分解產(chǎn)物抽 走后，Cu-Cu 鍵合過程在 300 ℃，1 h，2 500 mbar 真 空條件下進(jìn)行. 圖 10 為無鈍化保護(hù)和有自組裝分 子層保護(hù)的鍵合界面對(duì)比，可以看到無鈍化保護(hù)的鍵合界面依然明顯，而鈍化保護(hù)的條件下界面基本消失.

2 混合鍵合工藝

窄節(jié)距互連尤其節(jié)距小于 10 μm 的情況下， Cu-Cu 鍵合后的片間間隙很小，難以填充下填料. 混合鍵合工藝可分別實(shí)現(xiàn) Cu 和 Cu 之間的鍵合以 及 Cu 周圍介質(zhì)和介質(zhì)之間的鍵合，鍵合后的介質(zhì) 可起到下填料的作用，減緩熱應(yīng)力的同時(shí)保證更高 的鍵合強(qiáng)度、散熱能力和防止 Cu 凸點(diǎn)被腐蝕. 典 型的混合鍵合包括 Cu/SiO2和 Cu/粘結(jié)劑鍵合兩 種. Cu/SiO2混合鍵合的關(guān)鍵是得到平整度高、粗糙度小、親水性的表面，鍵合前需對(duì) SiO2表面進(jìn)行 激活；Cu/粘結(jié)劑混合鍵合基于熱壓鍵合機(jī)理，Cu/ 熱固性的粘結(jié)劑通過加熱加壓的方法鍵合在一起.

2.1 Cu/SiO2介質(zhì)的混合鍵合

Cu/SiO2 鍵合后可以得到無縫隙的鍵合界面， 能有效提高熱/機(jī)械可靠性. 目前，關(guān)于 CuCu 鍵合的研究很多，如前述晶面定向生長(zhǎng)、表面鈍 化等，然而其中相當(dāng)一部分工藝無法直接移植到 Cu/SiO2混合鍵合. 這是因?yàn)?Cu/SiO2混合鍵合需 要綜合考慮 Cu-Cu 及 SiO2-SiO2鍵合 ，面臨工藝 兼容的挑戰(zhàn). 目前，實(shí)現(xiàn) Cu/SiO2混合鍵合的方 法包括表面激活、直接鍵合技術(shù) (Direct Bonding Interconnect，DBI)、表面活化鍵合 (SAB) 等.

2.1.1 基于表面激活的混合鍵合

表面激活是指采用等離子體對(duì)晶圓表面進(jìn)行 處理，清潔晶圓表面并使其活化，研究中采用的等 離子體包括 O2 ~ ，H2~ ，N2，NH3 ~ ，Ar等. 如 圖 11 所示，等離子體活化可以提高 SiO2~ 表面的羥 基密度，使得 SiO2 可在室溫下實(shí)現(xiàn)親水性預(yù)鍵合， 并在隨后 200 ~ 400 ℃ 的退火過程中脫水達(dá)成更可靠的共價(jià)鍵連接. 基于表面激活的混合鍵合的難 點(diǎn)之一是等離子體處理會(huì)對(duì) Cu 表面產(chǎn)生不利影 響，例如使用 O2等離子體會(huì)氧化 Cu，即便是 Ar 等 離子體處理時(shí)腔體內(nèi)含有的氧也會(huì)對(duì) Cu 表面造成 氧化；使用 N2，NH3等處理會(huì)使得 Cu 表面生成 氮化物，影響 Cu-Cu 鍵合.

2.1.2 基于 DBI 的混合鍵合

Co，Enquist等人提出了 DBI 的混合鍵合方法 ，其具體工藝流程如圖 12 所示. 首先通過濺 射、電鍍等半導(dǎo)體工藝在晶圓表面制作 Cu 凸點(diǎn)，隨 后沉積 SiO2介質(zhì)層覆蓋 Cu 凸點(diǎn)及晶圓表面，接著使用標(biāo)準(zhǔn) CMP 工藝露出晶圓表面的 Cu 焊盤并對(duì) 焊盤和 SiO2介質(zhì)進(jìn)行整平. 在 CMP 過程中，拋光 液作用于 Cu 表面使其高度略低于 SiO2表面. 在鍵 合前使用等離子體對(duì) SiO2表面進(jìn)行激活，使其 可在室溫、無壓條件下完成預(yù)鍵合.預(yù)鍵合后需 要在 300 ~ 350 ℃ 下進(jìn)行退火，退火可以提高 SiO2- SiO2之間的鍵合強(qiáng)度，并使得 Cu 焊盤高溫膨脹相 互擠壓，完成 Cu-Cu 鍵合. 圖 13 為鍵合后的界面， Cu-Cu 及 SiO2-SiO2鍵合界面都沒有縫隙存在. DBI 由于在室溫下完成預(yù)鍵合，所以可以保證很高 的對(duì)中精度，報(bào)道稱其可實(shí)現(xiàn) 3 μm 的互連節(jié)距. DBI 具有良好的可靠性，鍵合后經(jīng)過 2 000 個(gè) TCT (?40 ~ 150 ℃) 和 2 000 h，275 ℃ 的高溫存儲(chǔ)后，接 頭電阻分別下降了 1.2% ~ 1.7% 和 1.2% ~ 1.4%， 滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中電阻升高小于 10% 的要求.

2.1.3 基于 SAB 的混合鍵合

Utsumi等人提出了一種基于 Ar 等離子體 的 SAB 混合鍵合方法. 此前研究中發(fā)現(xiàn)，超高真空 下采用 Ar 等離子體轟擊可以實(shí)現(xiàn) Cu-Cu，Si-Si 之 間的鍵合，但對(duì) SiO2-SiO2之間的鍵合效果較差. 為 了提高 SiO2-SiO2之間的鍵合質(zhì)量 ，研究人員在 SiO2表面濺射了約 12 nm 的 Si 作為中間層，隨后 經(jīng)過 SAB 處理并在室溫下鍵合. TEM 觀察發(fā)現(xiàn)， 鍵合后的界面為厚度約 7 nm 的非晶 Si 薄層 (如 圖 14 所示)，鍵合強(qiáng)度約為 25 MPa. 這種方法也會(huì) 在 Cu 表面引入 Si 層，在一定程度上降低 Cu 的導(dǎo) 電性.

進(jìn)一步地，He 等人提出了采用含 Si 的 Ar 等離子體處理待鍵合表面的工藝方法，如圖 15 所示. 含 Si 等離子體可提高 SiO2表面的 Si 點(diǎn)位， 促進(jìn) SiO2-SiO2鍵合. 表面處理后分兩條工藝路線 進(jìn)行晶圓鍵合，一種是直接在 5 × 10^?6^ Pa 的高真空 下直接進(jìn)行室溫鍵合，另一種為采用預(yù)鍵合-分離- 最終鍵合的多步路線進(jìn)行親水性鍵合：(1) 將處理 后的晶圓置于真空度為 2 × 10^?2^ Pa 的腔室內(nèi)，隨后 向腔室內(nèi)充入潮濕的 N2至 3 kPa，接著沖入干燥氮 氣至大氣壓，晶圓取出后采用純水沖洗并甩干； (2) 在大氣 (濕度約為 40%)、常溫、無壓條件下對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)鍵合，并在大氣下保存 10 min 以上；(3) 將 預(yù)鍵合后的晶圓轉(zhuǎn)移至鍵合腔室內(nèi)，并在 10?2 Pa 的條件下分離預(yù)鍵合的晶圓；(4) 在 10?2 Pa 真空 度 ，200 ℃，2.5 MPa，30 min 的條件下進(jìn)行最終 鍵合并在大氣壓下 200 ℃ 退火 2 h. 強(qiáng)度測(cè)試表 明，預(yù)鍵合—分離—最終鍵合的方法可實(shí)現(xiàn) 2.0 ~ 2.5 J/m^2^ 結(jié)合能的 SiO2-SiO2鍵合，優(yōu)于高真空直接 鍵合的 0.5 J/m^2^ . 這是由于該方法可以在最終鍵合 前增加?OH 吸附及去除表面 H2O 分子，更有利于 提高鍵合強(qiáng)度、減少界面空洞. 此外，這種方法也可 以得到低含氧量的 Cu-Cu 鍵合界面.

2.2 Cu/粘結(jié)劑介質(zhì)的混合鍵合

Cu/粘結(jié)劑介質(zhì)的混合鍵合與 Cu/SiO2混合 鍵合類似 ，只是使用粘結(jié)劑如 BCB， PBO， PI等替代了 SiO2介質(zhì) (圖 16)，粘結(jié)劑具有更好 的柔性，可以一定程度上容忍介質(zhì)表面的微塵顆粒物.

Cu/粘結(jié)劑混合鍵合主要基于熱壓的方法，實(shí) 現(xiàn)方式包括兩種：①粘結(jié)劑先鍵合，如圖 17a 所 示. 在較低的溫度下 (約 250 ℃，取決于粘結(jié)劑的種 類) 首先將粘結(jié)劑鍵合并固化，此時(shí) Cu-Cu 尚未完 成鍵合，然后在更高的溫度 (350 ~ 400 ℃) 下進(jìn)行 熱壓實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 鍵合，粘結(jié)劑在低溫下鍵合可以防 止更高的 Cu 鍵合溫度對(duì)未固化的粘結(jié)劑造成損 傷. 不過這種方法存在諸多不足，如需選擇耐高溫 的粘結(jié)劑材料、粘結(jié)劑需要較長(zhǎng)的固化時(shí)間導(dǎo)致鍵 合效率降低等. ② Cu 先鍵合，如圖 17b 所示.

Cu 首先在低于粘結(jié)劑固化的溫度下短時(shí)鍵合 (如 ≤10 min)，隨后在更高的溫度下對(duì)粘結(jié)劑進(jìn)行固化 且進(jìn)一步提高 Cu-Cu 鍵合的強(qiáng)度. 實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低 溫鍵合的方法需要考慮到對(duì)粘結(jié)劑表面的影響，如 Ar 原子束和 Ar 等離子體處理雖然可以降低 CuCu 鍵合的溫度，但激發(fā)出來的金屬離子卻會(huì)污染 粘結(jié)劑表面，干擾粘結(jié)劑的鍵合. 為此，有研究人 員采用 Pt 催化后含 H 的甲酸對(duì) Cu 和粘結(jié)劑表 面進(jìn)行處理，可以在 200 ℃，5 min 條件下完成 Cu-Cu 鍵合，并且不會(huì)對(duì)粘結(jié)劑鍵合產(chǎn)生不利影響.

3 熱壓鍵合和混合鍵合的工藝難點(diǎn)

前述分別匯總了 Cu-Cu 熱壓鍵合、混合鍵合方 法的研究現(xiàn)狀. 目前大部分研究還僅僅停留在實(shí)驗(yàn) 室階段，需要進(jìn)一步深入對(duì)工藝和機(jī)理的探討. 與 此同時(shí)，當(dāng)前這些方法也面臨著共性的工藝難點(diǎn)， 包括以下兩方面：

3.1 工藝要求非?？量?/strong>