Atonarp 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
Aston?質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston?質(zhì)譜分析儀適用于先進半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔.
3D NAND 工藝概述
| 工藝步驟 |
| 堆疊沉積: 交替氧化物（藍色）和氮化物（綠色）薄膜沉積（每個堆疊 >200 對） | 通道蝕刻: 沉積硬掩模, 形成開口, 高縱橫比通道貫穿所有層（每個晶片>1 萬億個孔） | 階梯蝕刻: 字線的接觸焊盤是使用產(chǎn)生階梯結(jié)構(gòu)的受控蝕刻來創(chuàng)建的. | |
| ASTON 優(yōu)勢 | 均勻的厚度對電氣性能至關(guān)重要. Aston?質(zhì)譜分析儀可實現(xiàn)厚度控制, 層定義和化學(xué)計量工程. | 高縱橫比通道孔需要從上到下完整且均勻, 沒有彎曲或扭曲. Aston?質(zhì)譜能夠在腔內(nèi)測量蝕刻反應(yīng)物. |
蝕刻輪廓控制精度（埃）. 蝕刻深度能力（微米）. Aston?質(zhì)譜儀通過動態(tài)測量化學(xué)物質(zhì)來實現(xiàn)蝕刻 |
| 工藝步驟 |
| 狹縫蝕刻: 沉積硬掩模層, 形成硬開口圖案, 蝕刻狹縫以分離通道孔列. 這將創(chuàng)建一個存儲單元陣列. | 字線沉積: 在一些 3D NAND 方案中, 除去氮化物層, 然后使用由內(nèi)向外的原子層沉積工藝（紫色）創(chuàng)建鎢字線. | 晶圓上最終 3D NAND 結(jié)構(gòu)的橫截面 | |
| ASTON優(yōu)勢 | Aston?質(zhì)譜儀通過連續(xù)測量反應(yīng)物來實現(xiàn)蝕刻的均勻性和精度. | 除去氮化層并填充鎢. Aston?質(zhì)譜儀實現(xiàn)了分子水平的控制. |
來源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
Aston? 質(zhì)譜儀優(yōu)勢
ppb 級靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結(jié)構(gòu)
耐腐蝕性氣體, 堅固緊湊
易于集成到工具平臺中
沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程
蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔
Atonarp Aston? 技術(shù)參數(shù)
| 類型 | Impact-300 | Impact-300DP | Plasma-200 | Plasma-200DP | Plasma-300 | Plasma-300DP |
| 型號 | AST3007 | AST3006 | AST3005 | AST3004 | AST3003 | AST3002 |
| 質(zhì)量分離 | 四級桿 | |||||
| 真空系統(tǒng) | 分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
| 檢測器 | FC /SEM | |||||
| 質(zhì)量范圍 | 2-285 | 2-220 | 2-285 | |||
| 分辨率 | 0.8±0.2 | |||||
| 檢測限 | 0.1 PPM | |||||
| 工作溫度 | 15-35“℃ | |||||
| 功率 | 350 W | |||||
| 重量 | 15 kg | |||||
| 尺寸 | 299 x 218 x 331 LxWxH(mm) | 400 x 240 x 325 LxWxH(mm) |
若您需要進一步的了解 Atonarp Aston?在線質(zhì)譜分析儀詳細信息或討論, 請聯(lián)絡(luò)
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審核編輯黃宇
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