0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么會導(dǎo)致MOS管燒掉

硬件攻城獅 ? 來源:硬件攻城獅 ? 2023-06-25 14:53 ? 次閱讀

前幾天看了下阿莫論壇,一個帖子引起了我的注意,作者宋工的一批產(chǎn)品出了大問題,帖子也是非?;?,蓋了100多樓,目前為止還沒有測試完畢,還沒有解決,大伙兒一起分析圍觀下!

背景

有個項(xiàng)目用NMOS管控制開關(guān)電磁閥,不是頻繁動作,只做開關(guān)用。安裝到現(xiàn)場后在工作過程中大概有五分之一的MOS管燒毀,MOS管燒出一個黑洞或者直接冒煙燒焦,電磁閥和MOS管之間連接線大概有8米左右,電磁閥功率也不大,是24V 6.5W的。感覺能加保護(hù)的地方都加了,也加了續(xù)流二極管,為什么會導(dǎo)致MOS管燒掉,江蘇長電的正品貨,應(yīng)該不少假貨,百思不得其解,求大神分析下原因。

電路圖手冊

44ec7626-1244-11ee-962d-dac502259ad0.png

4515bb12-1244-11ee-962d-dac502259ad0.png

現(xiàn)場照片

452a5f4a-1244-11ee-962d-dac502259ad0.jpg455fcc3e-1244-11ee-962d-dac502259ad0.jpg458bd9fa-1244-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

各位怎么看?歡迎評論區(qū)留言!

44ec7626-1244-11ee-962d-dac502259ad0.png

部分網(wǎng)友回復(fù)

網(wǎng)友zqf441775525:感覺R15有點(diǎn)大,充電速度太慢,導(dǎo)致MOS管長時(shí)間處于半導(dǎo)通狀態(tài)。R15可改成2K試試(改成1K貌似功率不夠)。

網(wǎng)友dog:應(yīng)該是擊穿損壞,那個鉗位到24V算不算【電磁閥】的正端?其實(shí)我覺得反而應(yīng)該用二極管把它隔離,高電壓放到電源上,會影響電源。電磁閥【負(fù)端】到【正端】用二極管鉗位,同時(shí)并聯(lián)多個【小ESR的電容】吸收自感產(chǎn)生的電壓。一定要在最近【電磁閥】屁股的地方。還有上面說的VGS,一般的沒有24V。

作者songxunwen回復(fù):電磁閥正端接的電源24V,MOS控制負(fù)端的通斷。D19負(fù)極接24V,正極接MOS的漏極是為了在控制器這邊給電磁閥續(xù)流用的,因?yàn)橄喈?dāng)于二極管反向并聯(lián)在了電磁閥正負(fù)極上,但這個續(xù)流二極管距離電磁閥線路比較長,是不是效果受到了影響。可能如你所說真的要在電磁閥上近端直接安裝二極管和電容。

網(wǎng)友dog:是的,一般人我不告訴他。在屁股上面消除高頻電磁干擾。到了板上,就無力回天。

網(wǎng)友linyibinleo:看著應(yīng)用應(yīng)該是MOS管驅(qū)動能力弱了,處于半導(dǎo)通狀態(tài)燒壞的。

網(wǎng)友a(bǔ)lexcnsz:R15阻值太大,光耦次級信號拖尾,會導(dǎo)致MOS管不能完全飽和導(dǎo)通。

網(wǎng)友goodjob2:R15和R16太大了,充放電都慢。最好用MOS驅(qū)動IC來驅(qū)動MOS管,一勞永逸。不是高手的話自己搭驅(qū)動電路再怎么改也總是各種問題很難穩(wěn)定(血的教訓(xùn))。

網(wǎng)友polarbear:拿個示波器去測試下波形,這樣才好分析;電路看不出啥問題,該加的都加了。

網(wǎng)友tomzbj:我感覺就是R15太大了, 導(dǎo)通太慢. 推mos還是盡可能用推挽驅(qū)動吧, 要么就換成達(dá)林頓得了。

網(wǎng)友keshipt:

1、由于導(dǎo)線較長會產(chǎn)生壓降,建議量一下電磁鐵兩端的電壓,看看是否大于21.6V(電壓過低的話 電流會劇增);
2、串個電流表測一下負(fù)載工作時(shí)的額定電流及峰值電流;
3、D19續(xù)流二極管有條件的話放在電磁鐵旁邊;
4、R15建議減小。

如果電壓和電流都達(dá)標(biāo) 那就有可能是器件問題了

網(wǎng)友Romate:悄咪咪的告訴你 在負(fù)載兩端并聯(lián)一個474/100v的cbb電容,你會發(fā)現(xiàn)問題解決了,不要問我為什么知道,因?yàn)樗麐尷献痈刹冗^這個坑,加了二極管什么的一點(diǎn)作用沒有的,并上cbb啥問題沒有了。

網(wǎng)友huike:大概率是關(guān)斷時(shí)振蕩燒的。關(guān)斷時(shí)的反峰沖擊,導(dǎo)致電源有干擾,導(dǎo)致了MOS管該關(guān)不關(guān),僅靠10K的電阻讓MOS主動關(guān)斷,是很傻的!這個10K電阻只是用于斷電時(shí)MOS有一個電阻,不會讓電荷累積而導(dǎo)通,而你連帶電工作時(shí)的關(guān)斷都靠這個,,,很簡單,關(guān)斷加一個下拉三極管,如果還會燒,你來找我!

網(wǎng)友kitten:MOS最好用推挽的方式驅(qū)動。你這個光耦意義不大,要保護(hù)的話,可以串電阻。

網(wǎng)友chunjiu:

這還要分析嗎?老鳥都知道那兒就不該用 MOS

1、光耦關(guān)斷時(shí)有個很長的斜坡,MOS 會進(jìn)入放大區(qū),變成電阻絲(電熱絲)

2、我們的主控板懸空拿著靠近大功率逆變器,上面的 LED 會閃爍,所以光耦能保證可靠的開關(guān)嗎?

3、那么長的連接線,MOS 上的柵極就無法保證干凈的 0 電平,會引進(jìn)各種莫名的感應(yīng)電動勢

4、線圈開關(guān)時(shí)激蕩的電動勢和 Layout、接線方式都有關(guān)聯(lián),接錯位必然導(dǎo)致 MOS 被擊穿

5、地線對外連接會有傳導(dǎo)干擾的沖擊,MOS 很難扛得住

作者songxunwen回復(fù):我這幾天沒在公司,但公司技術(shù)人員也一直在測試,5秒開5秒關(guān),甚至0.5s開關(guān),一直循環(huán)都測試了好幾天了,沒有一個壞的,甚至mos幾乎不熱。線長也是模擬現(xiàn)場的長度。波形也抓過,電磁閥開關(guān)時(shí)漏極瞬時(shí)電壓到25.4V左右,續(xù)流二極管應(yīng)該起作用了。輸出短路也測試過,自恢復(fù)保險(xiǎn)起作用,不會燒mos。還是沒搞懂什么原因。因?yàn)榇蟛糠謮逊治鍪菛艠O電阻太大,如果是這個原因?qū)е聼龤В瑴y試過程中mos應(yīng)該發(fā)熱才對。
責(zé)任編輯:彭菁

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    184

    文章

    17497

    瀏覽量

    249226
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2377

    瀏覽量

    66438
  • 電磁閥
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    508

    瀏覽量

    31294

原文標(biāo)題:現(xiàn)場的MOS管大面積燒毀,求大神們分析原因

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    LT8390升壓側(cè)低邊MOS擊穿,有什么原因導(dǎo)致這個現(xiàn)象?

    LT8390升壓側(cè)低邊MOS擊穿,量M3的VDS、VGS穩(wěn)定無過沖,還有什么原因導(dǎo)致這個現(xiàn)象?
    發(fā)表于 05-29 07:26

    XTR111輸出電流開路時(shí),VG引腳輸出電壓超過MOS的VGS,導(dǎo)致MOS損壞?

    30V供電,輸出電流開路時(shí),VG引腳輸出電壓超過MOS的VGS,導(dǎo)致MOS
    發(fā)表于 08-07 07:30

    關(guān)于燒mos的問題

    ;Q3 = 1; 不然燒掉mos管我想問一下為什么直接賦值mos,但是用宏定義的方式就不
    發(fā)表于 08-26 09:16

    一個mos驅(qū)動空心杯的電路,為什么燒毀單片機(jī)?

    的10k電阻的連法是不是影響G的靜電往S釋放?10k電阻是不是應(yīng)該直接連接G,S之間更好?2.pwm引腳在驅(qū)動mos的時(shí)候,因?yàn)?b class='flag-5'>mos是電壓驅(qū)動,所以輸出電流是不是很???如果是這樣
    發(fā)表于 12-08 23:15

    MOS的測試

    個問題,在關(guān)斷的時(shí)候在DS之間會有很高的尖峰,沖擊電流越大,這個電壓越高,特別是超過100A的時(shí)候,超過MOS的耐壓,繼續(xù)下去就會燒掉,在DS端加電容,反而沒有這個問題 問題二:在問題一的基礎(chǔ)上
    發(fā)表于 01-19 09:54

    三極驅(qū)動mos來控制燈的亮度電路分析

    現(xiàn)在是通過三極驅(qū)動mos來控制燈的亮度。 問題是MOS很燙,三極
    發(fā)表于 09-18 11:23

    MOS發(fā)熱導(dǎo)致電路板損毀,你的型號選對了嗎?

    參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也導(dǎo)致RDS(ON)的增加。大功率逆變器MOS
    發(fā)表于 11-24 11:17

    為什么按照手冊上的電路搭建TPS61040升高壓燒壞MOS

    是膽電容。第一次選的是47uH電感,電阻R1和R2分別為1.3M和9.1K,輸出應(yīng)為177V左右,實(shí)測輸出為mV級別電壓,大概幾時(shí)s左右吧發(fā)現(xiàn)MOS冒煙燒掉。第二次選電感為22uH,電阻R1和R2
    發(fā)表于 07-26 07:04

    是什么原因導(dǎo)致MOS發(fā)熱?

    是什么原因導(dǎo)致MOS發(fā)熱?
    發(fā)表于 06-07 06:21

    POE受電模塊,為這么我這個MOS一通電就燒掉,是什么原因

    POE受電模塊,為這么我這個MOS一通電就燒掉,是什么原因
    發(fā)表于 05-31 16:21

    晶體MOS的并聯(lián)理論

    一、MOS并聯(lián)理論:(1)、三極(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù),即當(dāng)溫度升高時(shí),導(dǎo)通電阻變小。(2)、MOS
    發(fā)表于 10-22 17:21 ?28次下載
    晶體<b class='flag-5'>管</b>與<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的并聯(lián)理論

    什么原因導(dǎo)致小功率無刷直流電機(jī)的MOS被燒壞

    什么原因導(dǎo)致控制小功率無刷直流電機(jī)的MOS被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(比如MOS型號等)更好,由于沒電路圖,下面對這
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:20 ?1309次閱讀
    什么原因<b class='flag-5'>導(dǎo)致</b>小功率無刷直流電機(jī)的<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>被燒壞

    mos短路保護(hù)電路的原理和應(yīng)用

    不加保護(hù)措施,就會導(dǎo)致器件被損壞。因此,通常需要在MOS管上增加短路保護(hù)電路。 MOS短路保護(hù)電路的原理: (1)短路保護(hù)電路第一級:過壓保護(hù) 當(dāng)輸入電壓過高時(shí),容易
    的頭像 發(fā)表于 08-25 15:11 ?8278次閱讀

    功率MOS為什么燒?原因分析

    呢?本文將從電路設(shè)計(jì)、應(yīng)用環(huán)境、管子自身三個方面進(jìn)行詳細(xì)解析和分析。 一、電路設(shè)計(jì)方面的問題 1、電流過大 功率MOS的特點(diǎn)之一就是帶有大電流,但過大的電流可能導(dǎo)致管子過熱而燒毀。
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1982次閱讀

    mos損壞的原因分析

    壓和過流:MOS的額定電壓和額定電流是有限的。當(dāng)電路中的電壓或電流超過MOS的額定值時(shí),可能導(dǎo)致
    的頭像 發(fā)表于 12-28 16:09 ?2678次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>損壞的原因分析