本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開開關(guān),并允許開關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動(dòng)。負(fù)載斷開電路將單個(gè)NiMH電池輸出升壓至3.3V,并提供600mA輸出電流。設(shè)計(jì)采用MAX1703升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。
在自舉升壓穩(wěn)壓器的輸出端放置一個(gè)負(fù)載斷開電路,使穩(wěn)壓器能夠以遠(yuǎn)高于其他方式的負(fù)載電流啟動(dòng)(圖 1)。在關(guān)斷期間,斷開將電池與負(fù)載完全隔離。該電路將單個(gè)鎳氫電池輸出升壓至3.3V,并提供至600mA的輸出電流。升壓型穩(wěn)壓器非常適合便攜式應(yīng)用,因?yàn)樗鼈兙哂懈咝省⒌?a target="_blank">電源電流(工作電流為 120μA,停機(jī)模式為 20μA)和啟動(dòng)后的充足電流。然而,許多電池?zé)o法從低電源電壓(例如單節(jié)電池)的最大負(fù)載開始。出現(xiàn)此問題是因?yàn)榇蠖鄶?shù)低壓CMOS升壓穩(wěn)壓器從自己的輸出獲得功率,其等于V在啟動(dòng)時(shí)減去二極管壓降。輸入電壓值較低,開關(guān)晶體管在啟動(dòng)時(shí)無法完全增強(qiáng),因此晶體管具有高阻抗,從而限制了峰值電感電流。因此,電路無法產(chǎn)生足夠的電流來同時(shí)為負(fù)載供電和為輸出電容充電。
圖1.增加幾個(gè)晶體管使開關(guān)穩(wěn)壓器能夠以滿負(fù)載和低輸入電壓啟動(dòng)。
為了解決這個(gè)問題并確??煽康膯?dòng),大多數(shù)穩(wěn)壓器IC都集成了欠壓鎖定(UVLO)。集成電路1例如,一個(gè)同步升壓轉(zhuǎn)換器,其自舉操作在其輸出電壓超過2.3V的內(nèi)部UVLO門限之前無法啟動(dòng)。您可以使用外部功率 MOSFET Q 來克服此啟動(dòng)限制1,用作負(fù)載斷開開關(guān),并使用內(nèi)置于許多低壓開關(guān)穩(wěn)壓器中的電源就緒 (POK) 比較器。R3和 R4將 POK 閾值設(shè)置為 2.5V,允許 V在高于 UVLO 閾值。Q2在驅(qū)動(dòng)Q之前反轉(zhuǎn)POK輸出1.Q1斷開負(fù)載,允許 V外上升到確保Q完全增強(qiáng)的水平(高于UVLO)1當(dāng)它打開時(shí)。因此,電路可以在滿負(fù)載下啟動(dòng),輸入電壓低至 0.8V(圖 2a)。由于電路在此開關(guān)之前獲取穩(wěn)壓器反饋,因此您為給定應(yīng)用選擇的MOSFET取決于負(fù)載電流和可接受的最低負(fù)載調(diào)整率水平。所示的MOSFET是一種低閾值器件。將FB端子(引腳2)接地并移除R1和 R2產(chǎn)生 5V 穩(wěn)壓輸出,其性能與 3.3V 版本相似(圖 2b)。(DI #2487)
圖2.圖1中的負(fù)載斷開開關(guān)允許穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓(a)下啟動(dòng)。對(duì)圖1中的電路稍作修改,即可提供5V輸出工作電壓(b)。
審核編輯:郭婷
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