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采用MAX25014的LED背光驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的低輸入電壓工作

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-06-26 09:51 ? 次閱讀

本應(yīng)用筆記描述了MAX25014 4通道背光高亮度LED驅(qū)動(dòng)器在低輸入電壓下的工作。介紹了由此產(chǎn)生的問題和適當(dāng)?shù)慕M件選擇指南,以及理論計(jì)算和臺(tái)架測(cè)量之間的比較。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹升壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

介紹

本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了MAX25014 4通道背光高亮度LED驅(qū)動(dòng)器的低輸入電壓應(yīng)用。它提出了一個(gè)效率計(jì)算,該計(jì)算考慮了IC和外部組件的貢獻(xiàn),并建議了如何減少這種條件下的功率損耗。MAX25014為峰值電流模式控制的LED驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)多達(dá)<>個(gè)不同配置的LED串。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹其升壓拓?fù)?,其中LED串正向電壓始終高于輸入電源電壓范圍。假設(shè)LED驅(qū)動(dòng)器始終保持連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)。

MAX25014具有多種特性:149路集成電流輸出,每路可吸收高達(dá)<>mA的LED電流,集成擴(kuò)頻和相移,I2C 控制脈寬調(diào)制 (PWM) 調(diào)光和混合調(diào)光,以及 400kHz 至 2.2MHz 之間的可編程開關(guān)頻率。該器件在啟動(dòng)后可在低至 2.5V 的電源電壓下工作。

wKgaomSY9BiACnzqAABrGVHoSuE023.png

圖1.MAX25014的典型工作電路

低輸入電壓升壓轉(zhuǎn)換器工作和效率

在分析低輸入電壓下的升壓轉(zhuǎn)換器行為之前,必須介紹LED驅(qū)動(dòng)器參數(shù)的一些初步定義。

驅(qū)動(dòng)LED串所需的總輸出電流(ILED)為:

wKgaomSY7wmAWlz2AAAJPyUqx6E812.jpg

其中ISTRING是每個(gè)字符串的電流和 N字符串是字符串的數(shù)量。

驅(qū)動(dòng) LED 串所需的電壓 (VLED) 是:

wKgZomSY9D6APy4eAAAO-Ii0UqE281.png

其中VOUT_指OUT_引腳調(diào)節(jié)電壓(約等于1V),VF是每個(gè) LED 上的典型預(yù)期正向壓降,而NLED是每個(gè)串中的 LED 數(shù)量。

占空比 (D) 計(jì)算非常簡(jiǎn)單:

wKgZomSY9EuAVLG3AAATYyW3jak504.png

其中 VD是整流二極管的正向壓降(約0.6V),VIN是以伏特為單位的輸入電源電壓。

包括預(yù)期的轉(zhuǎn)換器效率 (η經(jīng)驗(yàn)值),在定義的輸入電壓值下,占空比和LED電流決定了平均電感電流(IL平均) 作為:

wKgZomSY7wyAYg71AAAl0G9hoJ0954.jpg

現(xiàn)在確定了平均電感電流,峰值電感電流(ILP)為:

wKgaomSY7w-AFuaqAAAjry3GL4k721.jpg

其中 ΔIL是峰峰值電感電流紋波,單位為安培 (A)。通??紤]平均電感電流的±30%作為最大峰峰值紋波,ΔIL是:

wKgZomSY7xGAKNMUAAAkJcPfKCM342.jpg

與大多數(shù)升壓穩(wěn)壓器一樣,MAX25014采用內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器,由器件輸入端供電,為IC內(nèi)的模擬和數(shù)字控制電路提供較低電壓的電源。

MAX25014可以保持V電壓抄送= 當(dāng)LDO穩(wěn)壓器輸入從升壓轉(zhuǎn)換器的輸入切換到升壓轉(zhuǎn)換器的輸出時(shí),為外部MOSFET提供5V驅(qū)動(dòng),當(dāng)前者降至5.8V (典型值)切換門限時(shí)。這可以防止LDO輸出電壓崩潰,從而限制柵極驅(qū)動(dòng)器適當(dāng)增強(qiáng)外部MOSFET的能力。因此,它使其在更高的電阻狀態(tài)下工作,當(dāng)電流通過器件時(shí),以熱量的形式引起更高的功率耗散。或者,LDO本身的功耗在低輸入電壓下會(huì)變高,如后面的章節(jié)所示。

低側(cè)MOSFET漏源電阻散熱引起的功率損耗(PRDSON) 稱為傳導(dǎo)損耗。

除了傳導(dǎo)損耗外,還必須考慮低側(cè)MOSFET和高側(cè)二極管(PSW、M和PSW、D)的開關(guān)損耗:這些損耗隨著升壓開關(guān)速度的增加而增加。因此,當(dāng)編程開關(guān)頻率高于1MHz時(shí),當(dāng)輸入電壓低于開關(guān)電壓時(shí),MAX25014將其降低30%,以減少散熱。

所述特性在IC中實(shí)現(xiàn),因?yàn)樵诜浅5偷妮斎腚妷汉透唛_關(guān)頻率下,升壓轉(zhuǎn)換器的效率會(huì)降低,輸入電流可以達(dá)到非常高的水平。因此,MOSFET的總損耗會(huì)變得嚴(yán)重并產(chǎn)生相當(dāng)大的熱量。

除外部開關(guān)外,電感器是導(dǎo)致功率損耗的另一個(gè)重要因素。電感總損耗(PL) 可分為歐姆損耗和磁芯損耗。前者與電感的繞組電阻(R.DCR),而后者直接取決于開關(guān)頻率。如果不詳細(xì)了解核心材料特性,就無法輕松建模,并且在此分析中被忽略了。電感的繞組電容在后續(xù)段落中也忽略了。

NGATE保護(hù)開關(guān)的傳導(dǎo)損耗(P恩加特)和續(xù)流二極管(P二極管) 總結(jié)對(duì)外部元件功耗的分析。將上述所有因素相加以得出總外部損失(P內(nèi)線):

wKgZomSY9F6ADBwAAAAZ1My9zEM890.png

還必須考慮IC本身的功耗,盡管它對(duì)整體系統(tǒng)效率的影響很小。主要損耗來自集成穩(wěn)壓器模塊(P線性分布器)、吸電流 (P沉)、柵極電荷(PGATE_CHARGE)和靜態(tài)電流消耗(PQ),并形成總IC損耗(P集成電路) 作為:

wKgaomSY7xSADNcKAAAp8dmH81Q367.jpg

(公式 1)、(公式 2)、(公式 7)和(公式 8)共同計(jì)算轉(zhuǎn)換器的效率 (η):

wKgZomSY7xaAL2XRAAAwCipkh9g814.jpg

計(jì)算η后,必須通過設(shè)置η迭代更新公式4中的效率校正因子經(jīng)驗(yàn)值= η,得到越來越準(zhǔn)確的IL值平均直到兩個(gè)效率值匹配。

功率損耗因數(shù)的詳細(xì)說明

本部分介紹如何獲得每個(gè)組件的功耗。從IC損耗開始,首先需要計(jì)算內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器所需的電流平均值:

wKgZomSY9HKATofzAAAK3nKtuwI859.png

其中 QG是所選外部 MOSFET 開關(guān)的總柵極電荷和 f西 南部是轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率。

內(nèi)部穩(wěn)壓器消耗的功率為:

wKgaomSY9HmAIVjzAAApxMqRY48269.png

電流吸收、柵極電荷和靜態(tài)或待機(jī)功耗損耗分別計(jì)算如下:

wKgZomSY7xyAcqqhAAAkeeduPUI465.jpgwKgaomSY7x2AFzYOAAAmhbTDbw8266.jpgwKgZomSY7yCAdUrdAAAihTL7GMQ322.jpg

IC的靜態(tài)電流IQ值可以從MAX25014數(shù)據(jù)資料中的器件EC表中檢索。

與上一節(jié)中提到的外部元件相關(guān)的傳導(dǎo)損耗由以下公式給出:

wKgaomSY9K-AHUqpAABWN03OB3Q461.png

RDSON_NGATE公式19是NGATE保護(hù)開關(guān)的漏源電阻。

MOSFET開關(guān)損耗的粗略估計(jì)值可以使用柵極驅(qū)動(dòng)電流、漏極電流和漏極電壓波形的簡(jiǎn)化線性近似值來計(jì)算:

wKgaomSY9KiAFAK5AAASUq1OJBQ311.png

tLX可以考慮MOSFET導(dǎo)通程序的兩個(gè)不同開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的柵極驅(qū)動(dòng)電流來估計(jì):

wKgZomSY9MCAEVlwAAAeqaFFHik241.png

我G2電流從V對(duì)器件的輸入電容充電千到 VGS,米勒,和我G3電流放電 C.rss漏極電壓從V下降時(shí)的電容發(fā)光二極管至 0V。五世GS,米勒和 V千參數(shù)可在所選MOSFET的數(shù)據(jù)資料中找到,RHI為柵極驅(qū)動(dòng)器的高端電阻(該值在MAX25014數(shù)據(jù)資料中表示),RG是 MOSFET 內(nèi)部和外部柵極電阻的總和。

兩個(gè)開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間為:

wKgaomSY7y2AJHTkAAAl9viFPOM451.jpgwKgZomSY7zCATwFjAAAj_TfJmVg460.jpg

該 CHS2和 C.RSS電容也是MOSFET特有的參數(shù),其典型值可在器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。t2 和 t3 的總和導(dǎo)致所需的 tLX時(shí)間:

wKgaomSY7zGAIH8ZAAAiBMbjnDg263.jpg

整流二極管上的開關(guān)損耗發(fā)生在從導(dǎo)通狀態(tài)到非導(dǎo)電狀態(tài)的轉(zhuǎn)換中,已知低于MOSFET上的開關(guān)損耗,并且對(duì)于第一近似值,被認(rèn)為是:

wKgZomSY7zOANvJ6AAAsK7lL6t8645.jpg

數(shù)值模擬和臺(tái)架測(cè)試結(jié)果比較

上一段介紹的公式理論上評(píng)估了MAX25014升壓轉(zhuǎn)換器在不同輸入電壓下的效率。將數(shù)值結(jié)果與MAX25014評(píng)估板上的效率測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比較,該評(píng)估板在8.9MHz開關(guān)頻率下驅(qū)動(dòng)120個(gè)2和2 LED串,每個(gè)串的恒定電流為12mA。假設(shè)每個(gè)LED都有一個(gè)典型的預(yù)期正向壓降,LED驅(qū)動(dòng)器電路必須由4V至2V輸入電壓供電。評(píng)估板上使用的主要外部元件的值和部件號(hào)如圖<>所示。

wKgaomSY7zaAas_3AAFXLjpdmR0938.jpg

圖2.MAX25014的典型工作電路

表2列出了用于數(shù)值仿真的組件特定值,除了圖1中已經(jīng)顯示的值。

電氣參數(shù)
QG – NTMFS5C673NLT1G 4.5nC
VGS,米勒 – NTMFS5C673NLT1G 2.9V
VTH – NTMFS5C673NLT1G 1.6V
CISS – NTMFS5C673NLT1G 880pF
CRSS – NTMFS5C673NLT1G 11pF
IQ – MAX25014 9.5毫安
RHI – MAX25014 1.5?
RDCR – XAL1510472ME 9mΩ
RDSON – NTMFS5C673NLT1G 13mΩ
RDSON_NGATE – NVMFS5C677NLT1G 21.5毫歐

圖 3 和圖 4 顯示了兩種情況下的效率比較結(jié)果。

wKgZomSY7zeAHoYtAABqTrXjTSM678.jpg

圖3.MAX25014效率與輸入電壓的關(guān)系,8 × 4 LED,f西 南部= 2.2兆赫。

wKgZomSY7zmAcNHrAABvRJlKVMY140.jpg

圖4.MAX25014效率與輸入電壓的關(guān)系,9 × 4 LED,f西 南部= 2.2兆赫。

結(jié)論

本應(yīng)用筆記介紹了影響MAX25014效率提升的主要因素,重點(diǎn)介紹該器件在低輸入電壓下的表現(xiàn)。

審核編輯:郭婷

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