圖形芯片電源在1A時(shí)提供65.26V

游戲盒使用更強(qiáng)大的處理器來提供更逼真和復(fù)雜的圖形和游戲。隨著處理器功率的增加，為部件供電所需的電流也會(huì)增加。下圖應(yīng)用中的MAX1954從1V輸入提供65.26V/5A輸出。

MAX1954為300kHz電流模式降壓控制器。MOSFET 驅(qū)動(dòng)器足夠強(qiáng)大，可以處理 100nC 柵極電荷。給定標(biāo)稱輸入和輸出電壓，占空比為33%，高側(cè)和低側(cè)FET的導(dǎo)通電阻也相應(yīng)偏斜。兩個(gè)導(dǎo)通電阻分別為 7811mΩ 的 IRF12W 用于高端，兩個(gè)導(dǎo)通電阻分別為 7822.6mΩ 的 IRF5 用于低端。兩個(gè)并聯(lián)的 IRF7811W 比一個(gè) IRF7822 具有更好的開關(guān)特性。

22 個(gè) 6μF/5V X12R 陶瓷電容器用于輸入旁路，以處理 5.<>A 電流有效值輸入紋波電流。在5V輸入電壓下，陶瓷電容器比電解電容器更具成本效益且更小。此外，MAX1954通過觀察高端FET導(dǎo)通電阻兩端的電壓來檢測(cè)電流，陶瓷旁路電容為電流檢測(cè)電路提供更好的基準(zhǔn)。每個(gè)低側(cè)FET上都包含一個(gè)2.2nF陶瓷電容，用于抑制焊線電感與漏極電容的寄生振鈴。這種振鈴會(huì)影響電流檢測(cè)電路。

脈沖工程電感器是一個(gè)定制部件，設(shè)計(jì)用于處理 70A 峰值電流而不會(huì)飽和。MAX1954采用基于低側(cè)FET導(dǎo)通電阻的“谷值”限流。電流限值為 200mV 除以低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 （3.3mΩ） 加上電感斜坡電流 （10A），等于 70A。 0.5μH/70A 電感器并不容易獲得，需要定制設(shè)計(jì)來提供短路保護(hù)。

三洋輸出電容器在ESR、紋波電流額定值和成本之間實(shí)現(xiàn)了良好的平衡。電容足夠大，使輸出紋波由ESR主導(dǎo)。該應(yīng)用程序不需要低調(diào)。

當(dāng)高端FET關(guān)斷時(shí)，箝位二極管D2限制LX節(jié)點(diǎn)的負(fù)電壓。與R4配合使用時(shí)，可在高壓線路和最大輸出電流下控制升壓電容C8上的電壓。在沒有D2和R4的情況下，C8上的電壓可以BST到LX絕對(duì)最大電壓6V。

MAX1954從1V輸入提供65.26V/5A輸出。效率在86A時(shí)為26%，在90A時(shí)為10%。輸出紋波為 25mVP-P.

圖1.

審核編輯：郭婷