全棧式信號鏈芯片供應商列拓科技Leto宣布,最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核,最高工作頻率 96MHz;LTM32F103ZET6芯片內(nèi)置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存儲器;并且可以通過FSMC模塊掛載最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式,使其能夠滿足各種低功耗應用的要求,其內(nèi)部框架圖如下:
LTM32F103ZET6芯片主要特性:
ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核
512KB閃存、64KB SRAM高速存儲器
高達96MHz工作頻率
2.0V~3.6V工作電壓范圍
-40℃~85℃工作溫度范圍
多達11個16位定時器
12位的ADC/DAC數(shù)模轉換器
集成USB全速接口和CAN以及FSMC外設
多達13個I2C/UART/SPI/SDIO通信接口
12通道DMA控制器
支持睡眠、停機、待機三種低功耗模式
封裝尺寸:LQFP144(20x20mm)
應用場景: LTM32F103ZET6可以廣泛應用于電機驅(qū)動器、數(shù)模轉換模塊、數(shù)據(jù)通信設施、應用控制設備、醫(yī)療與手持設備。 應用產(chǎn)品(例):
LTM32F103ZET6預計7月份量產(chǎn),目前已經(jīng)送樣中。列拓科技高性能、高閃存、低功耗微控制器系列產(chǎn)品已經(jīng)開放樣片申請,免費申請樣片請發(fā)郵件至sales@leto-ic.com。您可以訪問列拓科技官方網(wǎng)站http://www.leto-ic.com選擇適用的型號。
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原文標題:列拓科技推出極高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6
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