0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶日照

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-06-27 10:31 ? 次閱讀

6月21日,日照空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行鑫祥微半導(dǎo)體科技公司先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目簽約儀式。

據(jù)藍(lán)色空港消息,先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。

5月27日至28日,東港區(qū)副書記,區(qū)廳長何文組團(tuán)赴深圳市,簽署招商引資宣傳相關(guān)項(xiàng)目合同。合同項(xiàng)目包括鑫祥微型尖端半導(dǎo)體項(xiàng)目。據(jù)藍(lán)色空港消息,鑫祥微先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目新設(shè)置了20條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線,分三個(gè)階段建設(shè)。1 。機(jī)械規(guī)劃新設(shè)6條clip先進(jìn)密封生產(chǎn)線,第一年(12個(gè)月)完成建設(shè)。二期將新設(shè)6條clip先進(jìn)的成套生產(chǎn)線,到2024年完成建設(shè)。分3個(gè)階段建設(shè)8條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線,2026年建成。

據(jù)報(bào)道,日照市機(jī)場開發(fā)區(qū)實(shí)施了“一區(qū)多園”管理模式,其中機(jī)場機(jī)場的核心區(qū)域主要依靠日照市機(jī)場發(fā)展航空、尖端裝備制造和新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。新區(qū)動(dòng)能轉(zhuǎn)換示范基地以附近城市地區(qū)優(yōu)勢為基礎(chǔ),大力發(fā)展應(yīng)急醫(yī)療,新一代信息技術(shù)等能耗低,科技含量高的城市工業(yè)等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1676

    瀏覽量

    90005
  • 半導(dǎo)體制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    378

    瀏覽量

    23980
  • 電力驅(qū)動(dòng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    26

    瀏覽量

    10440
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工

    封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目是德高化成按照“十四五”發(fā)展戰(zhàn)略要求,結(jié)合國家半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:25 ?237次閱讀

    半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?827次閱讀

    第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)介紹

    第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)KC-3105。該系統(tǒng)憑借高效精準(zhǔn)、可靈活定制、實(shí)時(shí)保存測試結(jié)果并生成報(bào)告、安全防護(hù)等優(yōu)秀性能。嚴(yán)格遵循《AQG 324機(jī)動(dòng)車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率
    發(fā)表于 04-23 14:37 ?2次下載

    一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?1963次閱讀
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用

    總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一,同時(shí)也是深圳全球招商大會的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:33 ?705次閱讀

    基于第三代半導(dǎo)體射頻系統(tǒng)芯片研究國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)

    據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:56 ?814次閱讀

    2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體市場近幾年高速增長。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣,機(jī)構(gòu)投資整體更理性下,第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:14 ?2049次閱讀
    2023年<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>融資超62起,碳化硅<b class='flag-5'>器件</b>及材料成投資焦點(diǎn)

    第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國產(chǎn)化發(fā)展到加速出海

    第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-04 16:13 ?996次閱讀

    石金科技募資7000萬建第三代半導(dǎo)體熱場及材料生產(chǎn)項(xiàng)目

    石金科技近日宣布將募集3.5億元資金,用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金(西安)研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場及材料的生
    的頭像 發(fā)表于 01-03 16:09 ?708次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的次重大飛躍,器件性能與國際頂
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:02 ?729次閱讀

    ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

    半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物
    發(fā)表于 12-21 15:12 ?2754次閱讀
    ?<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

    是德科技第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測試方案亮相IFWS

    2023年11月29日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開,是德科技參加第九屆國際第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:15 ?630次閱讀
    是德科技<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>動(dòng)靜態(tài)測試方案亮相IFWS

    第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

    近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點(diǎn)之一。
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:45 ?1248次閱讀

    進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一和第二半導(dǎo)體相比,第三代
    的頭像 發(fā)表于 10-10 16:34 ?520次閱讀
    進(jìn)入<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

    第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

      隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代,能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒,開啟了第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 09-22 15:40 ?758次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅