艾邁斯歐司朗全方位代工服務，為高效模擬和混合信號開發(fā)提供支持

您是否正在為具有挑戰(zhàn)性的應用設計高度創(chuàng)新的混合信號集成電路，且正在尋找經(jīng)驗豐富且可靠的開發(fā)和制造合作伙伴？

艾邁斯歐司朗提供針對客戶和應用的特殊標準產(chǎn)品的廣泛組合，同時還為合作伙伴提供先進的模擬半導體制造支持。我們的全方位代工服務，為汽車、醫(yī)療、工業(yè)和消費應用提供多種經(jīng)過生產(chǎn)驗證的行業(yè)標準工藝技術(shù)。

工藝路線圖

艾邁斯歐司朗通過廣泛的專業(yè)工藝，展示自己在模擬和混合信號晶圓制造行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。特殊工藝特性和經(jīng)過優(yōu)化的器件為高效產(chǎn)品設計和確保產(chǎn)品高性能提供支持。

我們將經(jīng)過模擬混合信號驗證的工藝技術(shù)、高精度工藝表征和建模，以及艾邁斯歐司朗的先進代工服務相結(jié)合，能夠滿足客戶各不相同的業(yè)務需求。

基礎技術(shù)Base technologies

我們?nèi)轿淮し盏暮诵募夹g(shù)包括0.18μm CMOS和BCD、0.35μm數(shù)字和混合信號CMOS、超低噪聲CMOS、高壓CMOS和SiGe-BICMOS工藝。由于所有基礎工藝都與主要的半導體制造商兼容，因此可以輕松找到替代來源。

0.18μm CMOS / BCD:

180nm CMOS專業(yè)模擬、混合信號工藝已轉(zhuǎn)至艾邁斯歐司朗位于奧地利的200mm晶圓廠。C18專業(yè)工藝適用于各種應用中的傳感器和傳感器接口器件，如可穿戴設備、醫(yī)療保健、家居自動化、智能汽車和工業(yè)4.0。

• 0.18μm CMOS工藝細節(jié)(C18)*

• 0.18μm BCD工藝細節(jié)(BCD18)*

0.35μm數(shù)字和混合信號CMOS：

艾邁斯歐司朗的0.35μm CMOS工藝系列完全兼容TSMC授權(quán)的0.35μm混合信號基礎工藝。針對頻率合成優(yōu)化的高密度CMOS標準單元庫、3層和4層路由可以確保實現(xiàn)最高門電路密度。外圍單元庫支持3.3V和5V電壓，提供出色的驅(qū)動能力和ESD性能?？商峁┖细竦臄?shù)字宏塊（SPRAM、DPRAM和漫射可編程ROM）。提供各種高性能模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器，以便集成在同一ASIC中。

• 0.35μm CMOS工藝細節(jié)(C35)*

• 0.35μm光學CMOS工藝細節(jié)(C35O)*

針對CMOS工藝的其他工藝選項：

CMOS-LVT；嵌入式內(nèi)存：NVM、RAM、ROM、OTP

Ultra-low noise CMOS超低噪聲CMOS

艾邁斯歐司朗的高性能模擬低噪聲CMOS工藝(“A30”)提供出色的噪聲性能，通過采用艾邁斯歐司朗先進的0.35μm高壓CMOS工藝系列，光學面積縮小0.9。

0.30μm高性能模擬超低噪聲CMOS工藝：

A30高性能模擬超低噪聲CMOS工藝以艾邁斯歐司朗先進的0.35μm工藝系列為基礎。先進的A30工藝采用艾邁斯歐司朗的200mm制造設施制造，確保非常低的缺陷密度和高成品率。它提供3-4個金屬層和一套經(jīng)過超低噪音應用和高性能模擬應用優(yōu)化的有源器件。

A30工藝還包括一套無源器件，例如：高電阻聚乙烯和高精度多晶硅電阻、PIP電容以及經(jīng)過改進的MOS變?nèi)萜骱透叩哪M性能。與0.35μ CMOS工藝相比，在掩膜車間進行的光學面積縮小可額外節(jié)省20%的面積。

• 0.30μm高性能模擬低噪聲CMOS工藝(A30)*

高壓工藝High voltage processes

我們的高壓工藝平臺支持0.35μm工藝，針對復雜的混合信號電路（工作條件高達120V）進行優(yōu)化。

除了標準的CMOS晶體管外，還有多種高壓晶體管可供選擇：高壓NMOS、高壓PMOS、高壓DMOS晶體管、N結(jié)FETS、隔離式NPN雙極型晶體管，以及隔離式低壓NMOS晶體管。

高壓和標準器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的開關(guān)速度在汽車和工業(yè)市場中得到廣泛應用。計劃進一步應用于傳感器的高精密模擬前端。

新工藝系列與我們經(jīng)過驗證的混合信號庫結(jié)合之后，成為高壓設計的理想解決方案。

0.35μm高壓CMOS：

艾邁斯歐司朗的“H35”工藝針對復雜的混合信號電路（工作條件高達120V）進行了優(yōu)化。

• 0.35μm高壓CMOS(H35)*

SiGe BiCMOS process

硅鍺BiCMOS工藝

艾邁斯歐司朗的SiGe-BiCMOS工藝旨在支持具有高性能、低工藝復雜性的先進RF設計。

具有低噪聲系數(shù)的高速SiGe HBT晶體管使得設計的工作頻率最高可以達到7GHz，相比采用傳統(tǒng)的CMOS RF工藝的設計，其電流消耗大幅降低。

這些先進工藝創(chuàng)造出具有高模擬性能（例如高Fmax和低噪聲(NF)）的高速雙極型晶體管、互補型MOS晶體管，極低的寄生線性電容、線性電阻和螺旋電感。針對所有有源、無源和寄生器件進行表征和建模，由此獲得不同電路模擬器的模擬模型，以便能夠充分利用這些工藝。

嵌入式閃存技術(shù)Embedded flash technology

艾邁斯歐司朗利用0.35μm嵌入式閃存技術(shù)，為汽車、工業(yè)和消費電子應用（例如RFID、智能卡、傳感器接口、微控制器應用、調(diào)整應用等）中的SoC（系統(tǒng)級芯片）解決方案提供可靠的嵌入式非易失性存儲器工藝。

具有競爭力的高性能工藝技術(shù)

艾邁斯歐司朗為客戶提供非常有競爭力的高性能工藝技術(shù)。這種非?？煽康那度胧紼EPROM/閃存塊使用經(jīng)過驗證的基于PMOS的NVM技術(shù)，在擴展溫度范圍內(nèi)提供低功耗操作和高數(shù)據(jù)保持性。

該存儲塊可以作為附加工藝模塊用于0.35μm CMOS和高壓CMOS工藝中，也可以配置為EEPROM塊或閃存，無需更改工藝。

• 0.35μm嵌入式EEPROM CMOS工藝(C35EE)*

• 0.35μm嵌入式EEPROM高壓CMOS工藝(H35EE)*

嵌入式閃存關(guān)鍵特性

嵌入式閃存技術(shù)基于0.35μm CMOS工藝和0.35μm高壓CMOS工藝，提供以下特性：

• 極高的可靠性（在125°C下數(shù)據(jù)可保持超過20年，耐久性100k寫/讀周期）

• 耐受高達170°C高溫（適用于汽車應用）

• 低功耗

• 完全可定制的閃存或EEPROM塊

• EEPROM存儲塊可以和靜態(tài)RAM一樣訪問

• 采用0.35μm CMOS基礎工藝C35完全模塊化，支持重復使用數(shù)字庫和IP區(qū)塊

*注：如需了解技術(shù)詳情，請聯(lián)系艾邁斯歐司朗技術(shù)支持團隊。

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