為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求,數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ,該產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低邊門極驅(qū)動(dòng)SiLM21814-AQ具有驅(qū)動(dòng)電流大、耐壓高、抗負(fù)壓能力強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),可廣泛應(yīng)用于AC/DC、DC/DC電源、逆變器、變頻壓縮機(jī)等眾多領(lǐng)域。
SiLM21814-AQ提供獨(dú)立的高邊、低邊輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。采用專有的高壓集成電路和鎖存免疫CMOS技術(shù),提供可靠的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。邏輯輸入電平與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL兼容,最低支持3.3V邏輯輸入。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí),以減小驅(qū)動(dòng)器交叉導(dǎo)通。精確的匹配延遲適合高頻應(yīng)用。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高邊配置的N型溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓可高達(dá)600V。
產(chǎn)品特性
Key Features
支持600V高壓應(yīng)用
典型驅(qū)動(dòng)電流:2.5A/3.5A
寬VCC工作范圍:10V~20V
為自舉供電設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道
支持高低邊欠壓閉鎖功能
輸入信號(hào)兼容3.3V/5V
抗瞬態(tài)負(fù)壓能力:-40V/600ns
典型開通/關(guān)斷延遲:180ns/200ns
最大通道匹配延遲:35ns
符合車規(guī) AEC-Q100
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原文標(biāo)題:新品發(fā)布 丨 數(shù)明半導(dǎo)體推出車規(guī)級(jí)高壓、高速M(fèi)OSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)器 SiLM21814-AQ
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