三星3納米良率不超過(guò)20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)

三星制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)更新，2025年2nm，2027年1.4nm 。

三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線(xiàn)圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿(mǎn)足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。

三星雖然公布了自家的 3 納米制程工藝已經(jīng)達(dá)到了可以批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，但因?yàn)槿枪に囋隍旪?888 和驍龍 8Gen1 兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意。

盡管三星在4納米和5納米工藝上仍然有產(chǎn)量問(wèn)題，但在3納米工藝上卻面臨更大的良率問(wèn)題，因此與Silicon Frontline Technology公司合作，改進(jìn)晶圓廠前端工藝和芯片性能已成為他們的必需之舉。

而與目前的4納米和5納米工藝相比，3納米制程工藝在性能和能效比上有較大的提升，但三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來(lái)，良率不超過(guò)20%，這讓它們陷入了瓶頸。

根據(jù)最新的技術(shù)路線(xiàn)圖，三星計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)SF2工藝，2027年推出1.4納米級(jí)SF1.4工藝。

編輯：黃飛