東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻,比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL①”低16%[2]。通過同樣的比較,TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3],使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外,其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V,不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
未來,東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品線,通過減少損耗來提高電源效率,并幫助降低設(shè)備功耗。
應(yīng)用
● 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
●開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
特性
● 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)(VGS=10V)
●寬安全工作區(qū)
●高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃
主要規(guī)格
(除非另有說明,Ta=25℃)
注:
[1] 在設(shè)備運(yùn)行時(shí),在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。
[3] 脈沖寬度:tw=10ms,VDS=48V
①:https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH3R70APL.html
如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接至瀏覽器訪問:
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接至瀏覽器訪問:
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH3R10AQM.html
*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。
點(diǎn)擊“閱讀原文”,了解更多東芝產(chǎn)品信息!
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開拓新市場(chǎng),公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。
如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的更多信息,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接進(jìn)行訪問:https://toshiba-semicon-storage.com
原文標(biāo)題:東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū)—
文章出處:【微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
-
東芝半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
102瀏覽量
14426
原文標(biāo)題:東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū)—
文章出處:【微信號(hào):toshiba_semicon,微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論