筋膜槍的流行反映出了人們對(duì)于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過電容觸控電路、PWM信號(hào)控制、集成功率MOS等架構(gòu)組成。主要區(qū)別在于產(chǎn)品材料的選擇和器件控制精度上的優(yōu)劣,如技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一,內(nèi)部器件與電機(jī)不合要求等,缺乏安全保護(hù)機(jī)制的產(chǎn)品很容易對(duì)人體安全產(chǎn)生危害。
國芯思辰某客戶在設(shè)計(jì)一款筋膜槍選擇場效應(yīng)管時(shí),最終選擇了優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在各種線路中。它具有低功耗的特點(diǎn),并擴(kuò)寬了電壓范圍,能夠?yàn)槠渌P(guān)鍵配件提供穩(wěn)定的電壓。
優(yōu)晶YC30D2519K具有以下特點(diǎn):
1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù),VDS耐壓可以達(dá)到30V,ID可以達(dá)到25A,對(duì)于低壓設(shè)計(jì)留有足夠的余量。
2、采用高密度單元設(shè)計(jì),RDS(on)低至8.5mΩ,極低的導(dǎo)通電阻,可以減少開關(guān)損耗。
3、工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍在-55℃-175℃之間,有較強(qiáng)的環(huán)境溫度適應(yīng)性,可以適用于低溫或者高溫的環(huán)境。
4、采用TO-252-4L小尺寸封裝,具有較強(qiáng)的散熱能力。
注:如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
143文章
7064瀏覽量
212532 -
MOSFET管
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
23瀏覽量
9592 -
國芯思辰
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
988瀏覽量
1289
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論