國(guó)芯思辰|碳化硅MOSFET B2M035120YP替代安森美用于太陽(yáng)能逆變器

隨著光伏逆變器功率等級(jí)的不斷提高，光伏行業(yè)對(duì)功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來(lái)越高。相比于傳統(tǒng)硅器件，碳化硅功率器件能帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗，從而有效縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長(zhǎng)器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本等，在光伏行業(yè)呈現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用趨勢(shì)。

太陽(yáng)能光伏逆變器可以實(shí)現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換，是所有光伏發(fā)電系統(tǒng)中最關(guān)鍵的部分，主要由三部分組成，MPPT、直流濾波和DC-AC逆變并網(wǎng)，本文推薦使用基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B2M035120YP替代英飛凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S，且B2M035120YP在高溫工作中會(huì)更有優(yōu)勢(shì)。

然而通常為了獲得高發(fā)電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上在升壓部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件，相比具有相同額定值的1200V硅器件，碳化硅MOSFET能效更高，具有高阻斷電壓的低導(dǎo)通電阻，系統(tǒng)尺寸/重量得到縮減，電力電子系統(tǒng)中的功率密度也有所增加。即便在高溫（175°C）下運(yùn)行，也能發(fā)揮一流的耐用性與卓越性能。

B2M035120YP應(yīng)用領(lǐng)域：

開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電源逆變器&太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電站、直流/直流轉(zhuǎn)換器

該產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛、不含鹵素，非常適用于光伏逆變器等效率、體積及發(fā)熱要求較高的應(yīng)用。此外，基本半導(dǎo)體提供各種電流電壓等級(jí)的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET，產(chǎn)品可應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境及高溫環(huán)境，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

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