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Low-voltage Bandgap電路以ZTAT電流源的三種實現(xiàn)方法

冬至子 ? 來源:Analog CMOS ? 作者:小彭 ? 2023-07-06 10:38 ? 次閱讀

這次引申介紹一下 Low-voltage Bandgap 電路以 ZTAT 電流源的三種實現(xiàn)方法:

方法1.如圖 2.5, M 2 的電流

圖片

觀察式(2.15),中PN結(jié)導(dǎo)通電壓VBE1是負(fù)溫度系數(shù)電壓量,熱點壓VT是正溫度系數(shù)的量。那么選擇合適的(R3/R1)就可以得到一個零溫度系數(shù)(近似)的電流源。

圖片

對于圖2.5中“ref”點電壓(也就是式2.16中的bgv)可以很容易的寫出來:

圖片

觀察式2.16,括號內(nèi)就是一個典型的bandgap電路的輸出電壓表達(dá)式,要想降低這個電壓只需要調(diào)整上式中“R4/R3<1"的值就可以了。這就得到了一個低電壓的電壓基準(zhǔn)。

方法2:利用正溫度系數(shù)(PTAT)電流+負(fù)溫度系數(shù)(CTAT)電流=I ZTAT

圖片

那么冷溫度系數(shù)的電流(I ZTAT)就可以表示成:

圖片

通過選擇合適的 Lnn/R1 和 R3 的值就可以得到零溫漂的電流源

圖片

方法3:此結(jié)構(gòu)中M1和M2的電流就是零溫漂電流(IZTAT), (電路簡單,思路不簡單)**

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聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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