電流源負(fù)載共源放大器仿真設(shè)計(jì)

共源級(jí)放大器，負(fù)載為電流源，電流源采用電流鏡實(shí)現(xiàn)，偏置為電阻與電流鏡實(shí)現(xiàn)的簡(jiǎn)單偏置。各結(jié)點(diǎn)號(hào)已標(biāo)注在圖中，其中 GND 的默認(rèn)結(jié)點(diǎn)號(hào)為 0 結(jié)點(diǎn)。

元器件參數(shù)：

• Main circuit: 電流源負(fù)載共源放大器

M1 OUT IN Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

M2 OUT N2 Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

M3 N2 N2 Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

R4 N2 Gnd R TC=0.0, 0.0

C1 OUT GND C

vvdd Vdd Gnd 5.0

• End of main circuit: 電流源負(fù)載共源放大器

*DC analysis

電阻大小對(duì)直流傳輸特性的影響：R=1K~100K

電阻增大，高電平略有降低，低電平降低。轉(zhuǎn)換電平減小，過(guò)渡區(qū)變窄

PMOS1 W/L對(duì)直流傳輸特性的影響：W=2u~200u

W增大，高電平略有降低，低電平降低。轉(zhuǎn)換電平減小，過(guò)渡區(qū)變窄

PMOS2 W/L對(duì)直流傳輸特性的影響：W=2u~200u

W增大，高電平略有增大，低電平增大。轉(zhuǎn)換電平增大，過(guò)渡區(qū)變寬

NMOS W/L對(duì)直流傳輸特性的影響：W=2u~200u

W增大，高電平略有降低，低電平降低。轉(zhuǎn)換電平減小，過(guò)渡區(qū)變窄

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u

*C=1ff

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u C=1p

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u C=1p

靜態(tài)工作點(diǎn)：

vin in Gnd sin 0.5 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 1 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.6 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.7 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.4 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

Ibias 為自偏置電路

DC ANALYSIS - temperature=25.0

v(N1) = 3.3954e+000

v(N2) = 5.4138e-002

v(N3) = 2.1050e+000

v(N4) = 2.9770e+000

v(Vdd) = 5.0000e+000

v(VN) = 1.2796e+000

i(vvdd) = -8.5459e-005