LED芯片是一種固態(tài)的半導體器件,LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。
LED芯片因為大小一般都在大?。盒」β实男酒话惴譃?mil、9mil、12mil、14mil等,跟頭發(fā)一樣細,以前人工計數(shù)時候非常辛苦,而且準確率極底,2012年廈門好景科技有開發(fā)一套專門針對LED芯片計數(shù)的軟件,儀器整合了高清晰度數(shù)字技術來鑒別最困難的計數(shù)問題,LED芯片專用計數(shù)儀設備是由百萬象素工業(yè)專用的CCD和百萬象素鏡頭的硬件,整合了高清晰度圖像數(shù)字技術的軟件組成的,主要用來計算出LED芯片的數(shù)量。該LED芯片專用計數(shù)儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理,準確、快速地計數(shù)LED芯片,操作簡單,使用方便。
二、LED芯片暗裂主要原因
LED芯片暗裂主要包括三大不當操作:
(一)參數(shù)調(diào)整不當
1、其它參數(shù)設定不當
2、頂針高度設定不當
3、固晶高度設定不當
4、吸晶高度設定不當
(二)機構調(diào)整不當
1、三點不線不正確
2、焊頭壓力不當
(三)工具不良
1、真空壓力不足
2、吸咀、頂針磨損
三、LED芯片常見漏電原因
1、被污染(是重要的高發(fā)問題)
LED芯片很小,并且灰塵等可以很容易地將其污染。 重要的是,灰塵,水蒸氣和各種雜質(zhì)離子會粘附在芯片表面上,而不僅是表面上。
芯片內(nèi)部有一個效果,它也會擴散到芯片內(nèi)部以產(chǎn)生效果。 例如,銅離子和鈉離子容易擴散到半導體材料中,并且非常少量會嚴重惡化半導體器件的性能。 包裝廠的不清潔度不能滿足要求,LED的質(zhì)量問題將會到來。
由污染引起的泄漏,觀察其伏安特性,通常有很多表現(xiàn),例如:正向和反向泄漏電流具有不同的伏安特性; 反向擊穿電壓爬電變化; 正向伏安曲線蠕變; 嚴重地,它將顯示正向和反向的狀態(tài)。 污染泄漏也顯示出不穩(wěn)定, 在某些情況下,泄漏將暫時恢復正常。
2、應力
在LED中,材料不同,熱膨脹系數(shù)也不同。 在反復的溫度變化過程中,每種物質(zhì)都不可能返回到它們剛開始接觸時的狀態(tài),并且彼此之間會有一定量的應力,但這并不一定有害。
僅當膨脹系數(shù)相差太大并且工藝條件不合適時,才可能留下很大的應力。
這種嚴重的應力會壓碎芯片,使芯片斷裂,引起泄漏,在某些區(qū)域開裂并且不發(fā)光,并且嚴重地完全斷開電路并且不發(fā)光。 當壓力不太大時,有時會產(chǎn)生嚴重的后果。
剛開始在LED側面上有懸空鍵。 應力的作用導致表面原子的微位移。 這些懸空鍵的電場甚至處于不平衡狀態(tài),從而導致端面。PN結處的能級狀態(tài)發(fā)生變化,從而導致泄漏。
3、后序工藝存在潛在風險
芯片在前道電極制作完成后,還是以整張外延片的形式存在,芯片進入后道工藝后,接下來會對晶圓進行研磨,減薄襯底的厚度,為后面的激光切割工序做準備。研磨完成后進行激光切割,整張晶圓就會以1顆1顆芯片的形式存在,接下來完成對芯片的檢測分選,分檔包裝,整個LED的制造工藝流程結束。在整個后道工藝中存在以下兩種影響芯片漏電的潛在原因:一是激光切割過程中,激光光束的聚焦位置靠近外延層,致使在切割刀劈裂過程中引起紋延伸至外延層,造成芯片側面外延層損傷,加大外界雜質(zhì)離子進入芯片內(nèi)部的幾率,形成深層的雜質(zhì)能級,增加電子與雜質(zhì)離子的非輻射復合,從而增加漏電流。
二是芯片在完成測試后包裝成品的過程中,由于操作不當使芯片受到沾污,受到沾污的芯片表面存在雜質(zhì)元素Na、C1金屬元素Na很容易透過保護層進入到半導體材料內(nèi)部使芯片更易產(chǎn)生漏電現(xiàn)象。
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