一文詳解CMP設(shè)備和材料

1.CMP：晶圓平坦化的關(guān)鍵工藝

1.1. CMP 工藝是晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝

晶圓制造流程可以廣義地分為晶圓前道和后道 2 個環(huán)節(jié)，其中前道工藝在晶圓廠中進行，主要負(fù)責(zé)晶圓的加工制造，后道工藝在封測廠中進行，主要負(fù)責(zé)芯片的封裝測試，其中，化學(xué)機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，指的是通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化，是先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環(huán)節(jié)必需的關(guān)鍵制程工藝。

在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學(xué)機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP，后段制程工藝主要為介質(zhì)層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。

在后道封裝領(lǐng)域：CMP 工藝也逐漸被用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光，如硅通孔（TSV）技術(shù)、扇出（Fan-Out）技術(shù)、2.5D 轉(zhuǎn)接板（interposer）、3D IC 等封裝技術(shù)中對引線尺寸要求更小更細(xì)，因此會引入刻蝕、光刻等工藝，而 CMP 作為每道工藝間的拋光工序，也得以廣泛應(yīng)用于先進封裝中。

如果晶圓制造過程中無法做到納米級全局平坦化，既無法重復(fù)進行光刻、刻蝕、薄膜和摻雜等關(guān)鍵工藝，也無法將制程節(jié)點縮小至納米級的先進領(lǐng)域。隨著超大規(guī)模集成電路制造的線寬不斷細(xì)小化，制造工藝不斷向先進制程節(jié)點發(fā)展，平坦化的精度要求也不斷提高，CMP 步驟也會不斷增加，從而大幅刺激了集成電路制造商對 CMP 設(shè)備的采購和升級需求。

CMP（化學(xué)機械拋光）相較于傳統(tǒng)方法有更高的加工精度和加工速度。傳統(tǒng)的機械拋光和化學(xué)拋光方法，去除速率、拋光質(zhì)量均無法滿足先進芯片量產(chǎn)需求。而 CMP 技術(shù)利用磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光，避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點，是目前唯一能兼顧表面全局和局部平坦化的拋光技術(shù)，在先進集成電路制造中被廣泛應(yīng)用。

1.2. CMP 工藝技術(shù)原理

CMP 設(shè)備主要依托 CMP 技術(shù)的化學(xué)-機械動態(tài)耦合作用原理，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化（全局平整落差5nm以內(nèi)的超高平整度）。CMP 拋光過程可以分為化學(xué)過程和物理過程。化學(xué)過程指：研磨液中化學(xué)成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，通過將不溶物轉(zhuǎn)化為易溶物或軟化高硬度物質(zhì)，生成比較容易去除的物質(zhì)。物理過程指：研磨液中的磨粒與硅片表面材料發(fā)生機械物理摩擦，從硅片表面去除這些化學(xué)反應(yīng)物，溶入流動的液體中帶走。

CMP 具體步驟：

第一步：將硅片固定在拋光頭最下面，拋光墊放置在研磨盤上；

第二步：旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，在硅片表面和拋光墊之間加入流動的研磨液（由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成），研磨液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下均勻涂布，在硅片和拋光墊之間形成一層液體薄膜；

第三步：通過化學(xué)去膜和機械去膜的交替過程實現(xiàn)平坦化。

CMP 主要技術(shù)參數(shù)：

?研磨速率：單位時間內(nèi)磨除材料的厚度；

?平整度：硅片某處 CMP 前后臺階高度之差/CMP 之前臺階高度*100% ；

?研磨均勻性：包括片內(nèi)均勻性和片間均勻性。

片內(nèi)均勻性=同個晶圓研磨速率的標(biāo)準(zhǔn)差/研磨速率；

片間均勻性=不同晶圓同一條件下研磨速率標(biāo)準(zhǔn)差/平均研磨速率

?缺陷量：CMP 工藝造成的硅片表面缺陷，一般包括擦傷、凹陷、侵蝕、殘留物和顆粒污染，直接影響成品率。

1.3. CMP 設(shè)備及材料對工藝效果有關(guān)鍵影響

CMP工藝離不開設(shè)備及材料，其中材料包括拋光墊和拋光液，設(shè)備和材料對工藝效果有關(guān) 鍵影響，CMP 效果主要影響因素如下：?設(shè)備參數(shù)：拋光時間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等； ?研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等；?拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；?CMP對象薄膜參數(shù)：種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。

CMP 材料主要包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對 CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。

1. CMP 拋光墊：主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等；

2. CMP 拋光液：是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。

3. CMP 鉆石碟：是 CMP 工藝中必不可少的耗材，用于維持拋光墊表面一定的粗糙狀態(tài)，通常與 CMP 拋光墊配套使用。

4. CMP 清洗液：主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。

CMP設(shè)備是 CMP 技術(shù)應(yīng)用的載體，集摩擦學(xué)、表/界面力學(xué)、分子動力學(xué)、精密制造、化學(xué)化工、智能控制等多領(lǐng)城最先進技術(shù)于一體，是集成電路制造設(shè)備中較為復(fù)雜和研制難度較大的設(shè)備之一。同時，由于銅連線在微處理器生產(chǎn)中廣泛引用，因此唯一能夠拋光銅金屬層的 CMP 設(shè)備更成為芯片制造廠商必需的重要工具。

CMP設(shè)備主要分為拋光部分和清洗部分，拋光部分由拋光頭、研磨盤等組成，清洗部分由 清洗刷、供液系統(tǒng)等組成 ?拋光頭：通常具有真空吸附裝臵用于吸附晶圓，防止晶圓在拋光過程中產(chǎn)生位移，同時向下施加壓力。 ?研磨盤：起到對晶圓的支撐作用，承載拋光墊并帶動其轉(zhuǎn)動并對拋光頭壓力大小、轉(zhuǎn)動 速度、開關(guān)動作等進行控制。 ?清洗刷：用于 CMP 后清洗環(huán)節(jié)，在CMP后去除顆粒和其他化學(xué)污染物，分為清潔— 沖洗—干燥環(huán)節(jié)，保證晶圓干進干出。 ?終點檢測設(shè)備：終點檢測設(shè)備用于檢測 CMP 工藝是否把材料磨到正確的厚度，避免過?。ㄎ雌鸬綊伖庾饔茫┘斑^厚（損失下層材料）帶來的負(fù)面影響，通常使用電性能及光學(xué)兩種測量方式。

1.4.先進制程推進帶動CMP設(shè)備及材料需求

當(dāng)前 CMP 已經(jīng)廣泛應(yīng)用于集成電路制造中對各種材料的高精度拋光。按照被拋光的材料類型，具體可以劃分為三大類：（1）襯底：主要是硅材料。（2）金屬：包括 Al/Cu 金屬互聯(lián)層，Ta/Ti/TiN/TiNxCy 等擴散阻擋層、粘附層。（3）介質(zhì)：包括 SiO2/BPSG/PSG 等ILD（層間介質(zhì)），SI3N4/SiOxNy等鈍化層、阻擋層。在0.25μm節(jié)點后的Al布線和進入0.13μm節(jié)點后的Cu布線，CMP技術(shù)的重要性持續(xù)凸顯：

90~65nm 節(jié)點：隨著銅互連技術(shù)和低 k 介質(zhì)（一種絕緣材料）的廣泛采用，淺槽隔離(STI)、 絕緣膜、銅互連層是 CMP 的主要研磨對象。

28nm 節(jié)點：邏輯器件的晶體管中引入高 k 金屬柵結(jié)構(gòu)（HKMG），因而同時引入了兩個關(guān)鍵的平坦化應(yīng)用，包括虛擬柵開口 CMP 工藝和替代金屬柵 CMP 工藝。32nm 及 22nm 節(jié)點：銅互連低 k 介質(zhì)集成的 CMP 工藝技術(shù)支持 32nm 和 22nm 器件的量產(chǎn)，其中開始出現(xiàn)的 FinFET 晶體管添加了虛擬柵平坦化工藝，這是實現(xiàn)后續(xù) 3D 結(jié)構(gòu)刻蝕 的關(guān)鍵技術(shù)。

隨著摩爾定律的推進，當(dāng)制造工藝不斷向先進制程節(jié)點發(fā)展時，對CMP技術(shù)的要求也相應(yīng)提高。當(dāng)制程節(jié)點發(fā)展至7nm以下時，芯片制造過程中CMP的應(yīng)用在最初的氧化硅CMP和鎢CMP基礎(chǔ)上新增了包含氮化硅CMP、鰭式多晶硅CMP、鎢金屬柵極CMP等先進CMP技術(shù)，所需的拋光技術(shù)也增加至30余步，大幅刺激了集成電路制造商對CMP設(shè)備及材料的采購和升級需求。

CMP

2. CMP 設(shè)備市場快速成長，國產(chǎn)替代快速前行

2.1. 行業(yè)高景氣帶動晶圓廠擴大資本開支，設(shè)備需求大幅提高

在 5G、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、云計算等需求的帶動下，半導(dǎo)體市場需求持續(xù)增長。2020 年盡管受到疫情的影響，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模依然同比增長 6.8%，達到了 4404 億美元，預(yù)計 2021 年、2022 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模分別為 5530 億美元、6015 億美元，同比分別增長25.6%、8.8%。從分地區(qū)來看，2021 年和 2022 年亞太市場規(guī)模增速將高于全球平均，分別為 26.7%、8.4%，在全球市場的占比分別為 62.11%、61.90%。

中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從2013年的33億美元增長至2020年的187億美元，年復(fù)合增長率高達 27.70%，遠超全球市場增速。從中國市場占比來看，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額在全球占比從 2013 年的 10.40%提高到 2020 年的 26.25%。

2021 年，中國大陸第二次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場，銷售額增長了 58%，達到 296億美元，在全球市場占比高達 28.7%，占比進一步提高。

2.2. 中國大陸 CMP 設(shè)備市場規(guī)模接近 8 億美元

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，CMP 設(shè)備在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備中占比為 3%，結(jié)合 SEMI 的數(shù)據(jù)，2020-2021 年全球晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模 612 億美元、880 億美元，按照 3%的比例測算，CMP 設(shè)備對應(yīng)市場規(guī)模為 18.4 億美元、26.4 億美元。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2021 年中國大陸在半導(dǎo)體設(shè)備在全球市場占比高達 28.7%，按次比例測算 CMP 設(shè)備的占比，預(yù)計 2021年中國大陸 CMP 設(shè)備市場規(guī)模 7.6 億美元。

2.3. CMP 設(shè)備技術(shù)壁壘高，海外龍頭企業(yè)長期壟斷

復(fù)雜的技術(shù)工藝與高難度的研發(fā)是 CMP 設(shè)備的主要壁壘。CMP 設(shè)備是集機械學(xué)、流體力學(xué)、材料化學(xué)、精細(xì)加工、控制軟件等多領(lǐng)域最先進技術(shù)于一體的設(shè)備，需保持精密的機械控制與干濕化學(xué)和機械間的平衡，具有較為復(fù)雜的研制難度，對技術(shù)、工藝、專利等有嚴(yán)格的要求，廠商競爭存在較高的技術(shù)壁壘。

專利也是 CMP 設(shè)備的一大準(zhǔn)入壁壘。2013 年之后，CMP 專利申請量緩慢增長，而 CMP后清洗專利申請量卻處于下滑狀態(tài)。全球 CMP 專利申請量總體保持平穩(wěn)，反映了當(dāng)前全球CMP 技術(shù)未存在重大技術(shù)革新，后來者要想追趕必須直面強大的專利壁壘。

CMP 市場被海外壟斷，市場集中度高。CMP 為多學(xué)科交叉，行業(yè)進入壁壘較高，整體產(chǎn)業(yè)呈日美企業(yè)壟斷的格局。國內(nèi)企業(yè)進入時間相對較晚，因此整體國產(chǎn)化率偏低。在 14nm以下最先進制程工藝的大生產(chǎn)線上所應(yīng)用 CMP 設(shè)備僅由美國應(yīng)用材料和日本荏原兩家國際巨頭提供。根據(jù) Gartner 研究數(shù)據(jù)，2019 年美國應(yīng)用材料和日本荏原的 CMP 設(shè)備銷售額分別為 10.43 億美元、3.725 億美元，各占 70%、25%的全球市場份額。2017、2018、2019 三年，兩家公司合計占有的市場份額分別為 98%、90%、95%，CMP 設(shè)備市場呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭格局。

應(yīng)用材料（AMAT）是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商之一，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體設(shè)備、太陽能、顯示器、自動化軟件、卷對卷真空鍍膜等多個領(lǐng)域。在半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)版塊，公司制定了PPACt 戰(zhàn)略旨在通過并行而非串行的創(chuàng)新來推動芯片的能效、性能、面積、成本和上市時間革新。公司產(chǎn)品覆蓋沉積、刻蝕、摻雜、CMP 多工藝環(huán)節(jié)。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，2020 年應(yīng)用材料在刻蝕、沉積、CMP、離子注入、工藝控制領(lǐng)域的全球市場份額分別達到了 17%、43%、64%、55%和 12%。2020 年公司總體收入 172 億美元，半導(dǎo)體裝備銷售收入合計 113.67 億美元，同比增長 26%，其中 CMP 設(shè)備銷售收入11.33 億美元，同比增長 18%。

應(yīng)用材料自 2003 年開始主攻 12 英寸設(shè)備，目前主打 MIRRA 和 REFLEXION 兩個系列,其中 MIRRA 主要定位于 8 英寸 CMP 平臺，REFLEXION主要定位于 12 寸 CMP 平臺。目前，應(yīng)用材料 CMP 設(shè)備已經(jīng)可以應(yīng)用最先進的 5nm 制程。

Ebara 成立于 1912 年，目前旗下有 3 塊業(yè)務(wù)，分別是：（1）流體機械及系統(tǒng)（2）環(huán)境工程，包括市政垃圾焚燒廠、工業(yè)垃圾焚燒廠、水處理廠等；（3）精密電子，包括干式真空泵、CMP（化學(xué)機械拋光）設(shè)備、電鍍設(shè)備及排氣處理設(shè)備公司在液化天然氣泵領(lǐng)域全球市占率第一，在 CMP 系統(tǒng)和干泵領(lǐng)域全球市占率第二。2020 年公司營業(yè)收入為 49.1 億美元，其中精密器械部門中 CMP 設(shè)備收入約 5.14 億美元，同比增長 25.8%，占全球 CMP 市場份額的 29.1%，僅次于應(yīng)用材料。

日本荏原是 CMP 領(lǐng)域干進/干出（dry-in/dry-out）專利的開拓者，獨立研發(fā)的 200mm 和300 mm CMP 拋光設(shè)備均具有高可靠性和高生產(chǎn)率。F-REX 系列 CMP 系統(tǒng)可實現(xiàn) 10-20nm 節(jié)點的表面平整度控制，用于 IC 制造的氧化物、ILD、STI、鎢和銅表面處理。FREX200工具代表了適用于 200 mm 晶圓的最新 CMP 技術(shù)（也可用 150 mm）。它采用Ebara 原創(chuàng)的干進干出(Dry-in/Dry-out)晶圓處理技術(shù)專利。清潔模塊集成在 CMP 工具內(nèi)，從而將干晶片輸送到后續(xù)工藝中。目前，日本荏原的 CMP 設(shè)備已經(jīng)可以應(yīng)用在部分材質(zhì)的5nm 制程工藝。

CMP

3. CMP 材料用量大幅提升，國內(nèi)龍頭廠商持續(xù)破局

3.1. 半導(dǎo)體材料市場持續(xù)擴張，進口替代趨勢明確

受益于晶圓廠積極擴產(chǎn)以及半導(dǎo)體工藝升級，半導(dǎo)體材料市場規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模始終保持在半導(dǎo)體總規(guī)模的11%-13%左右；2021 年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達 643 億美元，較 2020 年的 555 億美元增加 88 億美元，同比增長 15.9%，再創(chuàng)新高。

中國半導(dǎo)體材料市場增速高于全球增速，進口替代趨勢明確。中國晶圓制造產(chǎn)業(yè)近年來迎來快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移趨勢明確，中國大陸晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)提升，對上游材料產(chǎn)生大量本土化配套需求。根據(jù) SEMI數(shù)據(jù)，2016-2019 年國內(nèi)半導(dǎo)體材料占全球市場份額約 16.3%，位居前三，2021 年中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達 119.3 億美元，首次突破100 億美元，同比增長 21.9%，平均增速高于全球。

3.2. 集成電路工藝升級，CMP 材料用量大幅提升

CMP 拋光材料是 CMP 工藝中用到材料的總稱，在半導(dǎo)體材料成本中占比約 7%。其中，拋光液和拋光墊為 CMP 工藝的核心材料，在 CMP 拋光材料中占比分別達到 49%和 33%。

據(jù) Techcet 數(shù)據(jù)顯示，受益于 3D Nand 以及先進制程工藝的快速發(fā)展，CMP 材料需求量的大幅提升，全球拋光液/拋光墊市場規(guī)模有望于 2020 年的16.6/10.2 億美元分別增長至2025年 22.7/13.5 億美元，2021-2025 年 CAGR 分別達 6%/5.1%。2020 年國內(nèi) CMP 拋光材料市場規(guī)模約為 32 億元，近五年復(fù)合增速為10%左右，國內(nèi)拋光液/拋光墊市場分別為20/12 億元，國內(nèi)市場受益于下游晶圓廠擴建及國產(chǎn)化率提升，增速有望高于全球市場，2025 年拋光液/拋光墊市場有望占全球市場的 25%，分別為 40/27 億元，2021-2025 年CAGR 達 15%。

美系廠商壟斷市場，國內(nèi)廠商迎來國產(chǎn)化+差異化競爭機遇。目前半導(dǎo)體材料整體的國產(chǎn)化率僅 10%，其中，拋光墊市場呈現(xiàn)一家獨大的市場格局，根據(jù) Semi 統(tǒng)計，陶氏化學(xué)占有絕對主導(dǎo)地位，2018 年全球市占率達 79%；拋光液行業(yè)龍頭 Cabot 微電子 2020 年市占率達 36%，差異化競爭使得市場格局相對分散。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移，國內(nèi)半導(dǎo)體材料需求持續(xù)增長，國產(chǎn)替代需求強烈。隨著需求的多樣化和對品質(zhì)要求的提高，未來拋光材料將逐步向?qū)Ｓ没⒍ㄖ苹较虬l(fā)展，這為立足國內(nèi)市場的國產(chǎn)廠商提供了與國際龍頭差異化競爭的機遇。

先進制程及工藝對晶圓平整度要求更高，拋光次數(shù)與材料種類等隨之增長，推動 CMP 材料用量逐年增長：

1）邏輯芯片中，制程的縮小帶動 CMP 工藝步驟增加。晶圓在生產(chǎn)過程根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點的要求，會經(jīng)歷幾道至幾十道不等的 CMP 工藝步驟。隨著制造工藝節(jié)點的縮小，對邏輯芯片平坦化程度要求提高，演進出的先進邏輯芯片工藝拋光材料提出新需求，CMP步驟增加，CMP 材料需求量增大。據(jù) Cabot 披露，先進制程 7nm 工藝的 CMP 步驟為 30步，成熟制程 90nm 工藝 CMP 步驟為 12 步，拋光次數(shù)倍數(shù)級增長，制程節(jié)點的進步推動CMP 拋光材料需求量的增長。

2）存儲芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技術(shù)變革帶來了 CMP 工藝步數(shù)的提升。從 2D NAND 到 3D NAND 的升級過程中，3D NAND 工藝通過堆疊內(nèi)存顆粒的方式增加了存儲內(nèi)容，帶動了 CMP 拋光耗材的用量需求，增加了工藝難度，CMP 拋光步驟翻倍增長，次數(shù)從 7 次增長到 15 次。同時，3D NAND 技術(shù)中對鎢材料使用也大幅提高，拉動了鎢拋光液的市場需求。

3.3. CMP 材料具有較高的技術(shù)壁壘和客戶認(rèn)證壁壘

CMP 行業(yè)涉及領(lǐng)域廣泛，交叉包含了摩擦學(xué)、物理學(xué)、機械學(xué)和化學(xué)反應(yīng)熱力學(xué)等眾多學(xué)科，整體技術(shù)壁壘較高，存在產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、技術(shù)門檻高、研發(fā)投入大和研究周期長等特點。

國內(nèi)廠商由于進入市場起步時間相對較晚，國產(chǎn)替代市場成長性高。在種類繁多的半導(dǎo)體材料子行業(yè)中，拋光墊、拋光液是最容易被“卡脖子”的領(lǐng)域之一，為實現(xiàn)納米級的打磨技術(shù)，對拋光墊和拋光液的要求極為嚴(yán)苛。而且隨著制程工藝越來越先進，對這兩種材料的技術(shù)要求也不斷提高。CMP 拋光材料的技術(shù)更新動力源自下游晶圓的技術(shù)更新。晶圓制程不斷提高，為了滿足更細(xì)致的工藝，CMP 材料也有著更高的要求，具體體現(xiàn)在兩方面：技術(shù)壁壘和客戶認(rèn)證。

1）技術(shù)壁壘：外國廠商具備先發(fā)優(yōu)勢，搭建專利壁壘

拋光墊難點主要在于孔隙率和溝槽設(shè)計，以及較高的時間成本。拋光墊難點主要在于孔隙率和溝槽設(shè)計，以及較高的時間成本。拋光墊的孔隙率越高和粗糙度越大，其攜帶拋光液的能力越強。優(yōu)秀的溝槽設(shè)計可以增強儲存、運送拋光液的能力,拋光效率和質(zhì)量都得到提高。此外，研究 CMP 拋光墊的時間成本較高，在設(shè)計 CMP 拋光墊過程中會涉及到物理指標(biāo)包含硬度、剛性、韌性、彈性模量、剪切模量、密度、可壓縮性等各項機械指標(biāo)，企業(yè)需要不斷進行試驗摸索工藝指標(biāo)、產(chǎn)品配方等對物理參數(shù)及性能的影響，結(jié)合考慮材料選擇、溫度選擇、固化時長、攪拌時長等工藝步驟控制進行研發(fā)。同時由于摩爾定律的不斷演變，平均每 18 個月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品就需要換代一次，因此對上游半導(dǎo)體材料的研發(fā)速度有著較高的要求，加重了后發(fā)企業(yè)進入的資金投入壓力。

拋光墊是CMP工藝中重要耗材之一，但由于國內(nèi)企業(yè)在化學(xué)機械拋光領(lǐng)域起步較晚，專利 技術(shù)積累相對較淺。代表未來趨勢的 12 英寸晶圓用的開窗口拋光墊專利被美國公司占有， 國內(nèi)僅有 DOW 獲得授權(quán)生產(chǎn)銷售。據(jù)《集成電路制造業(yè)用高分子聚合物拋光墊專利分析》 數(shù)據(jù)，2003-2009 年為國際申請數(shù)量高峰時段，2010 年后數(shù)量有所下降，但總體變化平穩(wěn)， 拋光墊領(lǐng)域仍然是各個公司重點攻略方向。國內(nèi)專利申請數(shù)量于 2008 年逐步攀升，在之后 呈現(xiàn)出波浪式上升的趨勢。

拋光液的核心技術(shù)運用壁壘體現(xiàn)在產(chǎn)品配方和生產(chǎn)工藝流程兩方面。CMP 拋光液的主要原料包括納米磨料、各種添加劑和超純水，根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的不同，所選用的原料種類也隨之改變，在加料、混合和過濾等關(guān)鍵生產(chǎn)流程中，各種組分的比例、順序、速度和時間等都會影響到最終的產(chǎn)品性能，需要公司不斷優(yōu)化研究來找出最合適的方案，優(yōu)化過程中產(chǎn)品配方的運用體現(xiàn)了公司核心技術(shù)水平，工藝流程作為轉(zhuǎn)化核心技術(shù)為最終產(chǎn)品的實現(xiàn)手段受到公司機密保護，皆為企業(yè)競爭力的體現(xiàn)。

2）客戶認(rèn)證壁壘：下游廠商尋求穩(wěn)定，客戶供更換應(yīng)商意愿低

半導(dǎo)體器件對良率有極高的要求，一旦形成穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系，晶圓廠一般不太更換供應(yīng)商。拋光墊對芯片良率影響較大，但成本占比較相對較低，晶圓廠在替換過程中的潛在損失機會成本較大，替換動力較小。拋光液技術(shù)含量高，下游客戶對其實施嚴(yán)格的供應(yīng)商認(rèn)證機制，進行嚴(yán)格的供應(yīng)商認(rèn)證和定期考核。進入晶圓廠供應(yīng)鏈體系需要經(jīng)過審核、送樣、測試等長達 2-3 年的認(rèn)證環(huán)節(jié)。因此，行業(yè)巨頭一般具有比較穩(wěn)定的下游客戶，容易形成市場壟斷。嚴(yán)格來說，半導(dǎo)體材料行業(yè)屬于成熟產(chǎn)業(yè)，各領(lǐng)域集中度高，由少數(shù)幾個龍頭企業(yè)占據(jù)絕大部分市場，國內(nèi)僅安集科技、鼎龍股份等極少數(shù)企業(yè)參與競爭。