納芯微全新發(fā)布1200V系列SiC二極管，布局SiC生態(tài)系統(tǒng)

相較于1200V的硅基二極管，SiC二極管采用肖特基結(jié)構(gòu)，具備較低的正向?qū)妷骸?/span>

SiC二極管的較小反向恢復(fù)電流能夠帶來(lái)更好的EMI性能。

SiC材料擁有更好的導(dǎo)熱效果，有利于降低結(jié)溫，進(jìn)而提高系統(tǒng)的可靠性。

如下圖所示，納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比，具有顯著優(yōu)勢(shì)。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開(kāi)啟，通過(guò)向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導(dǎo)調(diào)節(jié)效應(yīng)，從而顯著降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下，器件的抗浪涌電流能力得到顯著增強(qiáng)。

納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖

納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩?shí)測(cè)典型值為1.39V，而單次浪涌電流的實(shí)測(cè)典型值可以達(dá)到220A，是正向額定電流的11倍，性能優(yōu)于行業(yè)水平。

這意味著納芯微的SiC二極管具有更低的正向?qū)妷?，同時(shí)在面對(duì)瞬態(tài)高電流沖擊時(shí)，具備更強(qiáng)的抗浪涌能力。這種性能優(yōu)勢(shì)使得納芯微的SiC二極管在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，為系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性提供了重要保障。

納芯微具備完善且嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系。為客戶提供最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品，我們?cè)谔蓟?a target="_blank">芯片的生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)施了嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施。每個(gè)碳化硅二極管產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)100%的靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試和100%的抗雪崩能力測(cè)試。為了驗(yàn)證產(chǎn)品的可靠性，我們按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)甚至更嚴(yán)格的測(cè)試條件進(jìn)行驗(yàn)證。例如，在HTRB項(xiàng)目中，我們將電壓耐受能力增加到100%的額定耐壓（對(duì)于1200V系列二極管，即使用1200V進(jìn)行HTRB可靠性實(shí)驗(yàn)）。同時(shí)，我們將測(cè)試時(shí)間從1000小時(shí)增加到3000小時(shí)等，以確保產(chǎn)品的可靠性。

納芯微始終致力于確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性，我們的質(zhì)量控制措施和嚴(yán)格的測(cè)試流程旨在提供給客戶最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品。

除了SiC二極管產(chǎn)品外，納芯微也在積極研發(fā)和驗(yàn)證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，并將于近期推出。納芯微的SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過(guò)全面的車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，以確保完全符合汽車級(jí)應(yīng)用的要求。

納芯微SiC二極管系列產(chǎn)品目前可提供樣品,如需申請(qǐng)樣片或訂購(gòu)可郵件至sales@novosns.com，更多信息敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.novosns.com.