盾源聚芯深主板IPO受理！主打半導(dǎo)體級硅材料，募資12.96億新建基地及升級產(chǎn)線

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近日，寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱：盾源聚芯）向深交所遞交招股書，擬沖刺主板上市。

盾源聚芯，本次發(fā)行股票不超過6238萬股，且發(fā)行股票數(shù)量占公司發(fā)行后總股本的比例不低于25%，募集12.96億元資金，用于硅部件生產(chǎn)線新建項(xiàng)目、石英坩堝生產(chǎn)線升級項(xiàng)目等。

杭州熱磁為盾源聚芯的控股股東，而杭州熱磁系日本磁控全資子公司，目前杭州熱磁直接持有盾源聚芯11252.25萬股，并通過寧波知能、寧波知芯間接控制盾源聚芯1129.89萬股的表決權(quán)，合計控制盾源聚芯66.17%的表決權(quán)。但盾源聚芯沒有實(shí)際控制人。


2022年營收突破10億大關(guān)，硅部件為營收第一大來源，市場份額高速增長

盾源聚芯2011年在寧夏成立，聚焦半導(dǎo)體級硅材料及半導(dǎo)體級石英坩堝研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前主營產(chǎn)品包括半導(dǎo)體芯片加工設(shè)備用的硅環(huán)、硅噴淋頭、硅舟、硅噴射管等硅部件產(chǎn)品、單晶/多晶硅部件材料產(chǎn)品以及生產(chǎn)半導(dǎo)體單晶硅和太陽能單晶硅用的石英坩堝產(chǎn)品。

半導(dǎo)體硅部件在刻蝕工藝中對集成電路制造的影響更小，因此更多的應(yīng)用于先進(jìn)制程（7nm、5nm）的刻蝕設(shè)備中。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2022年全球刻蝕用硅部件市場規(guī)模為144億元，其中原廠件銷售規(guī)模為107.7億元，占比74.8%；預(yù)計2027年 全球刻蝕用硅部件市場規(guī)模將達(dá)到207億元，期間年復(fù)合增長率為7.5%，市場規(guī)模穩(wěn)步增長。

在這樣的市場背景下，盾源聚芯的業(yè)績規(guī)模也逐年穩(wěn)步增長。招股書顯示，2020年-2022年盾源聚芯的營業(yè)收入分別為2.63億元、6.02億元和10.92億元，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為0.50億元、1.00億元和2.84億元。

從增速這一點(diǎn)上看，近三年盾源聚芯的營收和凈利分別以103.88%、138.19%的年復(fù)合增長率增長，營收年度最低增速81.41%，凈利年度最低增速99.77%?？傮w來看，近三年不管是盾源聚芯的營收規(guī)模，還是凈利規(guī)模，均呈現(xiàn)快速增長，未來可期。

盾源聚芯主要是硅部件產(chǎn)品。招股書顯示，2020年-2022年盾源聚芯硅部件的銷售收入分別為1.68億元、4.35億元、7.77億元，占主營業(yè)務(wù)收入的比例分別為63.99%、72.31%、71.49%，硅部件產(chǎn)品為公司貢獻(xiàn)超6成的營收。

硅部件與晶圓（硅片）襯底均為硅材料，其電學(xué)特性、膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱系數(shù)和應(yīng)力等物理性能相同，并且可達(dá)到與晶圓同級別的超高純度，因此被廣泛應(yīng)用于刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備（熱氧化、退火、擴(kuò)散）和低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）等芯片加工設(shè)備。

盾源聚芯的硅部件產(chǎn)品主要面向芯片的設(shè)備制造廠商和芯片生產(chǎn)企業(yè)，具體產(chǎn)品包括：硅環(huán)、硅噴淋頭、硅外環(huán)、硅舟、硅舟基座、瓦片舟、硅內(nèi)管、硅噴射管等。

2022年，盾源聚芯硅部件的銷量突破74248個，較2021年58525個增長了26.87%。根據(jù)沙利文研究數(shù)據(jù)，2022年度，盾源聚芯刻蝕用硅部件 產(chǎn)品銷售額約占全球市場5.4%份額。盾源聚芯爐管用硅部件產(chǎn)品銷售額也快速增長，2022年在全球爐管用硅部件市場中占比為37.3%，屬于全球少數(shù)能夠大規(guī)模量產(chǎn)銷售爐管用硅部件產(chǎn)品的廠商。


石英坩堝是盾源聚芯的第二大營收來源，2022年該產(chǎn)品創(chuàng)造2.09億元收入，占主營業(yè)務(wù)收入的比例為19.27%。但值得一提的是，近三年石英坩堝的收入占比呈逐年減少的趨勢。石英坩堝是主要應(yīng)用于單晶硅生產(chǎn)過程中的產(chǎn)品，盾源聚芯能夠同時生產(chǎn)14英寸-37英寸規(guī)格范圍的半導(dǎo)體石英坩堝和太陽能石英坩堝。

目前，盾源聚芯已完成了包括臺積電、Onsemi、TI、STM、中芯國際、華力微電子、士蘭微等行業(yè)內(nèi)主流晶圓廠商和TEL、KE、ASM、北方華創(chuàng)等主要熱處理設(shè)備廠商的認(rèn)證。盾源聚芯在該領(lǐng)域的市場份額高速增長，行業(yè)地位將得到持續(xù)加強(qiáng)。且盾源聚芯也是國內(nèi)少數(shù)具備半導(dǎo)體大尺寸石英坩堝量產(chǎn)的企業(yè)之一，2021年下半年，盾源聚芯已完成Siltronic、上海新昇、中欣晶圓等國內(nèi)外頭部廠商的12英寸用石英坩堝認(rèn)證，并開始批量供貨。


三年投入1.25億研發(fā)，硅部件相關(guān)發(fā)明專利38項(xiàng)

在刻蝕用硅部件行業(yè)，盾源聚芯的主要競爭對手包括Silfex、Hana、WDX、SKC Solmics、三菱材料、Coorstek、杭州泰谷諾、重慶臻寶、神工股份、有研硅；在爐管用硅部件行業(yè)，全球范圍內(nèi)除了盾源聚芯外，能夠生產(chǎn)爐管用硅部件產(chǎn)品的主要是Sico和Holm等幾家公司。

此外，盾源聚芯在半導(dǎo)體石英坩堝領(lǐng)域，競爭對手也不少。包括信越石英、SUMCO JSQ、Coorstek、Momentive、浙江美晶、歐晶科技、錦州佑鑫、江西中昱等。

2022年，盾源聚芯在綜合毛利率、研發(fā)費(fèi)用率方面與競爭對手的比較情況，如下所示：

與國內(nèi)競爭對手相比，盾源聚芯在綜合毛利率、研發(fā)費(fèi)用率方面相差不大。招股書顯示，2020年-2022年盾源聚芯的研發(fā)費(fèi)用分別為1775.01萬元、3980.79萬元、6781.46萬元，三年研發(fā)累計投入1.25億元。其中2022年研發(fā)投入超過700萬元的研發(fā)項(xiàng)目為芯片刻蝕機(jī)用硅部件開發(fā)、芯片刻蝕機(jī)用C-shroud高壓水射流技術(shù)開發(fā)。

相較海外競爭對手，盾源聚芯主要存在規(guī)模相對較小、資本不足、知名度相對較弱、研發(fā)投入相對薄弱等競爭劣勢。

關(guān)于硅部件產(chǎn)品，截至2022年底，盾源聚芯擁有發(fā)明專利38項(xiàng)，實(shí)用新型專利27項(xiàng)；而關(guān)于石英坩堝產(chǎn)品，截至2022年底，盾源聚芯擁有發(fā)明專利8項(xiàng)，實(shí)用新型專利31項(xiàng)。


募資12.96億新建硅部件制造基地，以及升級石英坩堝生產(chǎn)線

此次沖刺深主板上市，盾源聚芯申請公開發(fā)行人民幣普通股（A股）不超過6238.12萬股，募集12.96億元資金，投入以下六大項(xiàng)目中：

近三年，盾源聚芯的硅部件產(chǎn)能利用率始終保持在較高水平。硅部件生產(chǎn)線新建項(xiàng)目，盾源聚芯擬投入6億元募集資金，購置土地新建硅部件加工制造基地，從而擴(kuò)增用于刻蝕機(jī)配件的高純度硅環(huán)產(chǎn)能，以配套先進(jìn)制程的刻蝕機(jī)，滿足未來大尺寸、高品質(zhì)晶圓生產(chǎn)制造的需求。該募投項(xiàng)目有利于盾源聚芯進(jìn)一步擴(kuò)大在硅部件領(lǐng)域的市場份額。

石英坩堝生產(chǎn)線升級項(xiàng)目，盾源聚芯擬投入1.56億元募集資金，在原有生產(chǎn)線上通過改建熔融室及相關(guān)生產(chǎn)配套設(shè)施來新增高品質(zhì)、大尺寸石英坩堝的產(chǎn)能。項(xiàng)目建設(shè)后，盾源聚芯可根據(jù)客戶需求提供28-42寸范圍內(nèi)多種規(guī)格的高純度石英坩堝。

1.97億元募集資金，盾源聚芯表示將圍繞石英坩堝、硅部件、硅拉晶三大領(lǐng)域建設(shè)研發(fā)中心。研發(fā)中心主要通過對新產(chǎn)品的進(jìn)一步開發(fā)，來助力公司向高端半導(dǎo)體材料方向轉(zhuǎn)型。

盾源聚芯擬投入0.5億元，在日本、中國臺灣、韓國、美國、德國當(dāng)?shù)匦略O(shè)子公司，通過在境外租賃辦公場地、引進(jìn)當(dāng)?shù)貙I(yè)銷售人才，在境外重點(diǎn)銷售區(qū)域集中建設(shè)營銷網(wǎng)點(diǎn)。

未來，盾源聚芯表示，將加強(qiáng)研發(fā)和創(chuàng)新能力建設(shè)，鞏固行業(yè)技術(shù)優(yōu)勢，提升產(chǎn)能和生產(chǎn)效率，增強(qiáng)資本運(yùn)作能力，拓展產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間，同時加強(qiáng)人才隊伍建設(shè)。