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傳三星4nm良率水平追平臺(tái)積電,3nm提至60%以上

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-07-13 09:31 ? 次閱讀

11日,據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo),三星電子將4納米node級(jí)半導(dǎo)體組的收益率提升到了競(jìng)爭(zhēng)公司臺(tái)積電 (TSMC)的水平。

據(jù)悉,HI Investment & Securities投資證券半導(dǎo)體分析師Park Sang-wook發(fā)表研究報(bào)告稱,三星電子的4納米和3納米工程節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)量分別提高到75%和60%以上。

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,直到今年年初,業(yè)界還預(yù)測(cè)三星的4納米技術(shù)收益率為50%左右。4納米和3納米等尖端工程的收率超過(guò)60%,意味著使用這些工程的芯片收率處于穩(wěn)定水平。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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