蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SIGMA 500

蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SIGMA 500采用了GEMINI電子束無(wú)交叉光路設(shè)計(jì)，打破了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中電子束交叉三次發(fā)生能量擴(kuò)散的局限性，束流大小適中，極大地降低色差對(duì)圖像質(zhì)量的影響;鏡筒內(nèi)置電子束加速器，無(wú)需切換減速模式就可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量低電壓成像，最低20V可成像，且對(duì)樣品類(lèi)型無(wú)限制;鏡筒物鏡采用靜電透鏡加電磁透鏡組合，工作距離范圍內(nèi)沒(méi)有磁場(chǎng)，能在高倍率下觀察磁性材料;鏡筒內(nèi)正光路安裝的環(huán)形二次電子探測(cè)器In-Lens;圓柱形一體化超大樣品室，配有5軸全自動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái)，能裝直徑250mm的超大樣品;可將同一品牌的電鏡與光鏡聯(lián)合觀察(選配)，只需一個(gè)通用樣品夾和關(guān)聯(lián)軟件為Shuttle & Find,可以充分發(fā)揮光鏡及電鏡的各自?xún)?yōu)勢(shì)。

產(chǎn)品參數(shù)

(1)電子源：GEMINI鏡筒，高穩(wěn)定性Schottky熱場(chǎng)發(fā)射電子槍。

(2)物鏡系統(tǒng)：電磁/靜電式物鏡系統(tǒng)，電子束無(wú)交叉光路設(shè)計(jì)。

(3)高真空SE分辨率：0.8nm@15kv, 1.4nm@1kv

(4)加速電壓：20V～30 kV，以10 V步進(jìn)連續(xù)可調(diào)，無(wú)需切換減速模式。

(5)探針電流：4pA-20 nA，束流穩(wěn)定性?xún)?yōu)于 0.2 %/h。

(6)放大倍率范圍：10×～1,000,000×(照片放大倍率)。高倍率與低倍率連續(xù)可調(diào)，無(wú)需任何模式轉(zhuǎn)換。

(7)探測(cè)器系統(tǒng)：樣品室內(nèi)二次電子探測(cè)器1個(gè);鏡筒內(nèi)正光軸環(huán)形高效二次電子In-lens探測(cè)器1個(gè);

樣品室內(nèi)HDBSD高分辨背散射電子探測(cè)器1個(gè);紅外CCD樣品室觀察系統(tǒng)1個(gè)。

(8)樣品室形狀及尺寸：樣品室是由整塊鋼件掏空制成的為圓柱形、厚壁、整體結(jié)構(gòu)樣品室,抗磁，防震，抗噪聲效果最好。

樣品室直徑或?qū)挾纫蟛恍∮?50mm，高度或深度不低于250mm;

(9)樣品臺(tái)類(lèi)型：5軸馬達(dá)樣品臺(tái)，抽屜式安裝，采用雙操縱桿控制盒控制。移動(dòng)范圍：X>125mm;Y >125mm;Z >40 mm;T≥-4o~+70o;R=360o。

(10)能譜儀工作條件：工作距離8.5 mm，X射線出射角35°。

(11)物鏡光闌：7孔光闌，先進(jìn)的電磁式自動(dòng)選擇與電子束對(duì)中。

(12)X射線能譜儀(牛津)

探測(cè)器：分析型SDD硅漂移電制冷探測(cè)器，晶體面積30mm2。超薄窗設(shè)計(jì), 無(wú)需液氮冷卻，僅消耗電能。

能量分辨率：MnKa保證優(yōu)于127eV, 元素分析范圍: Be4～Cf98。

圓形對(duì)稱(chēng)芯片，獨(dú)立封裝FET場(chǎng)效應(yīng)管，避免X射線轟擊。

譜峰穩(wěn)定性：1,000cps到100,000cps，MnKa峰譜峰漂移小于1eV，分辨率變化小于1eV, 48小時(shí)內(nèi)峰位漂移小于1.5eV。

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