無變壓器開關(guān)模式電源電路圖(一)
以下分享的是基于LNK304的無變壓器開關(guān)模式電源電路圖:LNK304是一款元件數(shù)量少、高效的離線開關(guān)IC,可支持降壓、降壓-升壓和反激式拓?fù)?。該IC具有內(nèi)置的自動(dòng)啟動(dòng)電路,用于短路和開環(huán)故障保護(hù)。LNK304的其他特性包括低溫變化,熱關(guān)斷,高擊穿電壓,良好的線路和負(fù)載調(diào)節(jié),高帶寬,寬輸入電壓范圍(85至230VAC)等。一般來說,與許多其他分立式降壓穩(wěn)壓器相比,LNK304具有更好的性能。
LNK304的引腳配置和典型應(yīng)用圖如上所示。漏極(D)引腳是內(nèi)置功率MOSFET的漏極連接。外部通過通電容器(0.1uF)連接到旁路(BP)端子。反饋(FB)引腳控制內(nèi)置功率MOSFET的開關(guān)。高于49uA的電流將抑制開關(guān)。內(nèi)部功率MOSFET源極連接到源極(S)引腳。
實(shí)用的12V/120mA無變壓器開關(guān)模式電源的電路圖如上所示。電阻R1、電容C1和C2、二極管D1和D2以及電感L1構(gòu)成輸入級(jí)。D1和D2構(gòu)成整流器部分,而C1和C2是輸入濾波器。電阻R1是一種易熔電阻,可限制浪涌電流,增加差模噪聲衰減,并用作輸入安全保險(xiǎn)絲。
下一級(jí)是穩(wěn)壓器級(jí),由ICLNK304、二極管D3和D4、電容器C3、C4和C5、電阻R3、R4和R5以及電感L2組成。D3是續(xù)流二極管,而L2是輸出扼流圈。C5是輸出濾波電容,它將輸出紋波電壓限制在盡可能低的值。ICLNK304的配置使得電源在最不連續(xù)的模式下工作,這就是為什么使用快速恢復(fù)二極管(UF4005)作為續(xù)流二極管(D3)的原因。UF4005的反向恢復(fù)時(shí)間約為75nS,對(duì)于給定的情況來說已經(jīng)足夠了。
二極管D3和D4兩端的壓降幾乎相同,因此C4兩端的電壓跟蹤輸出電壓,該電壓由電阻R2、R3組成的網(wǎng)絡(luò)拾取并饋送到反饋引腳。R2和R3設(shè)置輸出電壓,對(duì)于12V輸出,反饋引腳上的電壓必須為1.65VDC。電路通過跳過開關(guān)周期來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。當(dāng)輸出電壓上升時(shí),反饋引腳上的電流也會(huì)上升,當(dāng)電流上升到閾值以上時(shí),跳過后續(xù)周期,直到反饋引腳上的電流低于閾值,從而保持恒定的輸出電壓。
如果在50mS時(shí)間段內(nèi)沒有跳過任何周期,IC將自動(dòng)重啟,這將最大輸出功率限制為最大過載功率的6%。這就是實(shí)現(xiàn)過載保護(hù)的方式。電阻R4用作小預(yù)緊帶,可消除跟蹤誤差的影響。
無變壓器開關(guān)模式電源電路圖(二)
開關(guān)電源輸出直流電壓V0=12V,最大負(fù)載電流I=100mA。電路很簡單,顯著的特點(diǎn)就是沒有開關(guān)變壓器,因此這個(gè)電路是與市電直通的沒有隔離,制作調(diào)試應(yīng)注意安全!
電路圖如上所示。220V的交流電壓經(jīng)VD2半波整流和電容C2濾波,為功率開關(guān)管MOSFET(VT1)的柵極和開關(guān)晶體管VT2的集電極提供直流工作電壓。
R1、RP與電容C1組成RC移相網(wǎng)絡(luò)。VD3是為電容C1對(duì)地充、放電而設(shè)置的。功率開關(guān)MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷,受小信號(hào)晶體管VT2的控制。
在交流電壓VAc的正半周,通過R1、RP使VT2導(dǎo)通。在VT2導(dǎo)通期間,VT1關(guān)斷。反之,在VT2截止時(shí),VT1飽和導(dǎo)通。二極管VD1的作用是確保T1只在Vac的正半周的初始階段導(dǎo)通,形成針狀脈沖電流對(duì)大容量濾波電容C3充電。
RC移相網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生一個(gè)移相電壓Vph,而且該電壓以輸入交流電壓Vac跨零交叉點(diǎn)為起點(diǎn)、移相電壓Vph只要達(dá)到VD的門限電壓,VT2則開啟導(dǎo)通,從而使VT1截止,于是對(duì)電容C3的充電終止。VT2關(guān)斷于工頻市電過零交叉點(diǎn)之后。
由于VT1的漏極串接一只整流二極管VD1,故在Vac負(fù)半周不可能對(duì)C3充電。盡管在VT1導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的針狀脈沖電流寬度很窄,也就是說對(duì)C3的充電時(shí)間很短,但由于C3的容量非常之大,放電時(shí)間常數(shù)也就很大,C3上的電壓因放電剛開始下降或下降不多的情況下,VT1再次導(dǎo)通,又開始對(duì)C3充電。因此,在C3兩端可產(chǎn)生比較平滑的直流輸出電壓VO。
在VT1漏極上串聯(lián)的電阻R2,其阻值一般為0.1RL。其作用是用作減小充電電流峰值,并可延長功率開關(guān)MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間。
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