1 介紹
UltraEM可以建立變壓器工藝模型并仿真生成相應(yīng)的阻抗圓圖結(jié)果文件,EMCompiler可以導(dǎo)入U(xiǎn)ltraEM生成的阻抗圓圖結(jié)果文件并對(duì)其進(jìn)行阻抗匹配。
本文將使用UltraEM和EMCompiler進(jìn)行聯(lián)合仿真,分別采用電感與電容對(duì)變壓器進(jìn)行阻抗匹配,并比較匹配前后的Q值來(lái)確定匹配元件對(duì)Q值的影響。
2 UltraEM操作流程
2.1新建工程
依次點(diǎn)擊File > New > Project新建工程,如下圖 2-1。
圖2-1新建工程
2.2 導(dǎo)入設(shè)計(jì)文件
UltraEM支持導(dǎo)入多種格式的設(shè)計(jì)文件,包括FDL、GDSII&Map、LEF&DEF,其中FDL是法動(dòng)EDA軟件特有的格式,這里我們使用FDL格式的文件進(jìn)行演示。依次點(diǎn)擊 File > Import > FDL 導(dǎo)入設(shè)計(jì)文件,如圖 2-2所示。
圖2?2導(dǎo)入設(shè)計(jì)文件
2.3 查看版圖設(shè)計(jì)
導(dǎo)入后的設(shè)計(jì)文件版圖如圖 2-3所示,該設(shè)計(jì)為四端口變壓器。
圖 2?3 版圖
疊層信息如圖 2-4。
圖2?4 疊層信息
2.4仿真設(shè)置
依次點(diǎn)擊Solve > Settings,在彈出框可以進(jìn)行仿真頻率范圍及步長(zhǎng)、剖分密度、線(xiàn)程數(shù)等設(shè)置等各種設(shè)置。此處我們?cè)O(shè)置仿真頻率如圖 2-5所示,仿真頻率在5GHz~10GHz,步長(zhǎng)為1GHz,其他保持默認(rèn)設(shè)置。
圖 2?5 仿真頻率設(shè)置
2.5 運(yùn)行仿真
仿真頻率設(shè)置完成后單擊Solve > Run以運(yùn)行仿真。
圖2?6 運(yùn)行仿真
2.6 查看仿真結(jié)果
仿真完成后,點(diǎn)擊菜單欄的Result > Model Data,在新彈出的網(wǎng)頁(yè)中點(diǎn)擊左上角的球形圖標(biāo),在彈出窗口中選擇需要查看的參數(shù)結(jié)果,這里選擇查看S11參數(shù),如圖 2-7,點(diǎn)擊Plot Curve之后就會(huì)在界面中繪制出變壓器的阻抗圓圖。
圖2?7 查看仿真結(jié)果
變壓器的阻抗圓圖如圖 2-8所示。
圖 2?8 阻抗圓圖
圖 2?9 匹配前Q值
2.7 下載snp文件
在EMCompiler進(jìn)行仿真需要導(dǎo)入S參數(shù)模型,所以我們需要下載生成的結(jié)果文件。在繪制結(jié)果后可以右鍵單擊結(jié)果圖,在彈出的下拉列表中點(diǎn)擊Download File后點(diǎn)擊Done,如圖 2-10。
圖 2?10 下載snp文件
3 EMCompiler操作流程
3.1 采用電感阻抗匹配
3.1.1 新建工程
依次點(diǎn)擊File > New > Project新建工程,將工程文件命名為Match,如圖 3-1。
圖3?1 新建工程文件
3.1.2 新建設(shè)計(jì)
在新建的工程目錄下依次點(diǎn)擊File > New > Design新建設(shè)計(jì),如圖3-2。
圖3?2 新建設(shè)計(jì)
3.1.3 導(dǎo)入snp文件
依此點(diǎn)擊File > Load S/Y/Z Model,點(diǎn)擊Browse選擇要導(dǎo)入的snp文件后點(diǎn)擊Upload導(dǎo)入,如圖3-3。
圖3?3 導(dǎo)入snp文件
3.1.4 放置模型
在導(dǎo)入snp文件后,EMCompiler會(huì)生成對(duì)應(yīng)的參數(shù)模型。在頁(yè)面的左下角的Library Panel中選擇 Customized > lib1 中選擇上述的變壓器模型,并在頁(yè)面放置模型。
圖3-4 放置模型
3.1.5 放置電感元件
本次仿真采用電感對(duì)變壓器模型進(jìn)行阻抗匹配。在頁(yè)面的左下角的Library Panel中選擇Basic components 中選擇電感模型,并在頁(yè)面放置模型,效果圖如圖 3-5所示。
圖 3?5 放置電感元件
3.1.6 插入Pin
放置電感元件后依次點(diǎn)擊Insert > Pin,在圖 3?6所示位置依次插入Pin,最終效果圖如圖 3?6。
圖 3?6 插入Pin
3.1.7 定義電感
雙擊電感打開(kāi)電感參數(shù)對(duì)話(huà)框如圖 3?7,可以修改電感參數(shù)。本次仿真希望通過(guò)改變電感的參數(shù)來(lái)對(duì)圖 2?8中偏容性點(diǎn)5GHz的點(diǎn)進(jìn)行阻抗匹配。對(duì)于給定工作頻率5GHz,通過(guò)調(diào)試確定匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感值為0.64nH。在參數(shù)對(duì)話(huà)框中輸入電感值為0.64nH。
圖3-7定義電感值
3.1.8 設(shè)置仿真頻率
依次點(diǎn)擊Solve > Freq-Domain Analysis,在彈出對(duì)話(huà)框仿真頻率在5GHz~10GHz,步長(zhǎng)為1GHz如圖 3?8,設(shè)置完成后點(diǎn)擊Run運(yùn)行仿真。
圖 3?8設(shè)置仿真頻率
3.1.9 查看仿真結(jié)果
仿真完成后,點(diǎn)擊菜單欄的Result > Model Data,在新彈出的網(wǎng)頁(yè)中點(diǎn)擊左上角的球形圖標(biāo),在彈出窗口中選擇需要查看的參數(shù)結(jié)果,這里選擇查看S11參數(shù),如圖 3?9,點(diǎn)擊Plot Curve之后就會(huì)在界面中繪制出阻抗圓圖。
圖 3?9查看仿真結(jié)果
用電感進(jìn)行阻抗匹配的阻抗圓圖如圖 3?10所示。
圖 3?10匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗圓圖
對(duì)比匹配網(wǎng)絡(luò)前后的Q值如圖 3?11,在5GHz點(diǎn)Q值提高,說(shuō)明通過(guò)串聯(lián)電感可以提高匹配網(wǎng)絡(luò)的Q值。
圖 3?11 Q值(黑線(xiàn)表示匹配前,藍(lán)線(xiàn)表示匹配后)
3.2 采用電容阻抗匹配
3.2.1 繪制原理圖
具體操作與上述3.1.1-3.1.7步驟一致,區(qū)別的地方從串聯(lián)電感變?yōu)椴⒙?lián)電容,最終效果圖如圖3?12所示。
圖3?12效果圖
3.2.2 定義電容
雙擊電容打開(kāi)電容參數(shù)對(duì)話(huà)框如圖 3 13,可以修改電容參數(shù)。本次仿真希望通過(guò)改變電容的參數(shù)來(lái)對(duì)圖 2 8中偏感性點(diǎn)15GHz的點(diǎn)進(jìn)行阻抗匹配。對(duì)于給定工作頻率15GHz,通過(guò)調(diào)試確定匹配網(wǎng)絡(luò)中的電容值為0.18pF。在參數(shù)對(duì)話(huà)框中輸入電容值為0.18 pF。
圖 3?13 定義電容參數(shù)
3.2.3 仿真并查看結(jié)果
按照上述步驟3.1.9操作仿真并查看結(jié)果。
圖 3?14 匹配后的阻抗圓圖
對(duì)比匹配網(wǎng)絡(luò)前后的Q值如圖 3?15,在15GHz點(diǎn)Q值降低,表示并聯(lián)電容會(huì)降低匹配網(wǎng)絡(luò)的Q值。
圖 3?15 Q值(黑線(xiàn)表示匹配前,藍(lán)線(xiàn)表示匹配后)
法動(dòng)科技:
成立于2017年。作為擁有硅谷及斯坦福創(chuàng)新基因的國(guó)際一流團(tuán)隊(duì),我們專(zhuān)業(yè)提供射頻微波電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件,憑借自主研發(fā)的大容量、快速三維全波電磁仿真引擎和基于人工智能技術(shù)的高效系統(tǒng)級(jí)仿真引擎,能夠在射頻微波芯片、封裝、高速PCB等領(lǐng)域?yàn)橛脩?hù)提供快速準(zhǔn)確的電磁仿真、建模及優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。
同時(shí),我們可以為包括移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、5G、雷達(dá)、衛(wèi)星通信系統(tǒng)和高速數(shù)字設(shè)計(jì)在內(nèi)的產(chǎn)品提供高水平設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)服務(wù)。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:UltraEM?和EMCompiler?對(duì)變壓器進(jìn)行阻抗匹配的仿真實(shí)例
文章出處:【微信號(hào):FaradayDynamics,微信公眾號(hào):法動(dòng)科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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