個人公眾號:硬件之路學習筆記
LDO作為非理想元件,自身也會產生噪聲,其噪聲來源包括其內部基準電壓、反饋放大器、內部晶體管與外部分壓電阻。
如何降低噪聲?對于內部運放和內部晶體管,其噪聲水平由其設計決定,我們無法改變,但我們可以對其外部分壓電阻和內部基準電壓(部分LDO)做出一些補償。
①基準電容CNR
部分LDO具有一個基準電壓濾波引腳,例如TI的TPS71701的NR引腳,其引腳描述如下:降噪電容過濾內部帶隙產生的噪聲,從而降低輸出噪聲。
下圖是CNR電容值與輸出噪聲的關系,可以看出CNR越大輸出噪聲越小,容值為0.1uF后也不能完全消除噪聲,所以也不能無限大。同時CNR過大會導致LDO的快速啟動能力受限,所以其值需要根據(jù)需求在0.01uF~0.1uF之間選取。
CNR同時還能提高LDO的PSRR(電源之LDO-4. LDO的電源抑制比),如下圖:
② 前饋電容CFF
那么如何通過對反饋電阻的處理降低輸出噪聲呢?以TPS7A91為例。
將CFF并聯(lián)在上端反饋電阻兩端,不同的CFF值會有不同的噪聲抑制能力。下圖可以看出CFF越大噪聲抑制能力越強。
但需要注意的是,CFF容值過大可能影響LDO的動態(tài)性能,甚至可能造成輸出震蕩,所以其容值需謹慎選取。
③ 輸出電容Cout
不同容值的輸出電容也會影響輸出噪聲,表現(xiàn)為Cout越大,輸出噪聲越小,但其噪聲抑制能力受容值大小影響較小。
④ 負載
如下圖所示:降低負載能減小輸出噪聲
總結:降低LDO輸出噪聲水平的方法,加入基準電容CNR、加入前饋電容CFF、增大輸出電容Cout、降低負載電流等。
審核編輯:湯梓紅
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