大氣環(huán)境監(jiān)測衛(wèi)星寬幅成像儀高性能碲鎘汞紅外探測芯片

寬幅成像儀（WSI）是大氣環(huán)境監(jiān)測衛(wèi)星中的主要載荷之一，可以提供從可見光到長波紅外的地球環(huán)境成像遙感數(shù)據(jù)。寬幅成像儀中搭載了從1.3μm~12.5 μm紅外波段進(jìn)行探測的8個(gè)波段碲鎘汞紅外探測器，各波段采用窄帶濾光片進(jìn)行分光，8個(gè)波段的碲鎘汞探測器封裝在短波、中波和長波3個(gè)組件中。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、上海航天技術(shù)研究院和上海衛(wèi)星工程研究所的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《上海航天（中英文）》期刊上發(fā)表了以“大氣環(huán)境監(jiān)測衛(wèi)星寬幅成像儀高性能碲鎘汞紅外探測芯片”為主題的文章。該文章第一作者為喬輝研究員，主要從事紅外光電材料與器件方面的研究工作；通訊作者為張冬冬研究員和李向陽研究員。

本文對8個(gè)波段的碲鎘汞紅外探測器進(jìn)行了概述，內(nèi)容涵蓋了探測器的設(shè)計(jì)思想、制備工藝和測試方法，最后給出了目前在軌運(yùn)行的高性能探測器組件的探測率性能和響應(yīng)光譜，同時(shí)與各波段器件的探測率指標(biāo)進(jìn)行了對比。

碲鎘汞紅外探測器的設(shè)計(jì)

碲鎘汞材料組分的選擇

碲鎘汞材料（Hg1?xCdxTe）可以視作是由半金屬材料HgTe和半導(dǎo)體材料CdTe以組分X配比形成的三元系化合物半導(dǎo)體材料。碲鎘汞材料的禁帶寬度由組分X決定，通過改變X值可以調(diào)節(jié)材料的禁帶寬度，從而改變對應(yīng)探測器的截止波長。在針對型號應(yīng)用進(jìn)行碲鎘汞器件的設(shè)計(jì)時(shí)，首先需要決定碲鎘汞材料的組分X，為了提高帶內(nèi)紅外輻射能量的利用率，通常將芯片的響應(yīng)峰值定到工作波段的后端；然后根據(jù)器件的截止波長與峰值波長的經(jīng)驗(yàn)關(guān)系來確定器件的截止波長；最后結(jié)合其工作溫度來確定所選用碲鎘汞材料的組分X值。

根據(jù)統(tǒng)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，對于大于8 μm的長波紅外，由于碲鎘汞材料帶邊能級和組分均勻性的影響，其截止波長比峰值波長約長10%；對于中短波紅外，可以忽略帶邊影響和組分均勻性影響，認(rèn)為峰值波長和截止波長相同。

寬幅成像儀中3個(gè)組件中各波段碲鎘汞紅外探測器所選用碲鎘汞材料的X組分見表1，表中同時(shí)給出了各紅外波段的波段代號和波段范圍。

表1 WSI 8個(gè)紅外波段碲鎘汞器件的組分X

碲鎘汞材料的生長

碲鎘汞材料的生長采用碲作熔劑的移動加熱器法（THM）。首先在百級凈化環(huán)境中將碲、鎘、汞3種元素，按照表1中的比例分別進(jìn)行稱量，然后混合裝入石英安瓿中進(jìn)行高溫合成，為使3種元素的混合盡量均勻，合成過程中采用搖擺式合成，即將加熱爐以固定的頻率進(jìn)行擺動，搖擺合成結(jié)束后，在加熱爐中通入氮?dú)膺M(jìn)行冷卻形成多晶錠。將該多晶錠放入新的石英安瓿中進(jìn)行移動加熱法晶體生長，加熱爐和石英安瓿的相對運(yùn)動速率約為3 mm/d。為了降低生長過程的汞壓，采用了以液態(tài)碲作溶劑的富碲生長工藝，既降低了生長溫度和汞壓，也降低了生長界面的溫度梯度，使生長界面更加平坦，減少晶片的徑向組分梯度。同時(shí)由于分凝作用，碲熔區(qū)對于碲鎘汞也起到了雜質(zhì)提純作用，降低了材料中的雜質(zhì)濃度，有利于提高材料的少子壽命。晶體生長結(jié)束后，將生長好的錠條從石英安瓿中取出采用多絲線切割工藝進(jìn)行切片，晶片的厚度為1 mm，直徑為10~15 mm，切片后需要通過磨拋工藝以去除切片過程中造成的損傷，然后利用密度測試方法來計(jì)算得到碲鎘汞晶片的組分X值，并根據(jù)組分選擇相應(yīng)的低溫?zé)崽幚砉に噥硐牧现械墓瘴粷舛?，最后利用范德堡法霍爾測試對碲鎘汞材料的電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征測試，選擇合適組分和電學(xué)參數(shù)的碲鎘汞晶片進(jìn)行芯片制備。項(xiàng)目中光伏型碲鎘汞器件采用P型碲鎘汞材料進(jìn)行制備，光導(dǎo)型碲鎘汞器件采用N型碲鎘汞材料進(jìn)行制備，N型和P型碲鎘汞材料的制備工藝流程如圖1和圖2所示。

圖1 N型碲鎘汞材料工藝過程

圖2 P型碲鎘汞材料工藝過程

碲鎘汞探測器工藝的選擇

寬幅成像儀中的碲鎘汞器件包括光伏型和光導(dǎo)型，其中S0、S1、S2和MV 4個(gè)波段為光伏型器件，其余4個(gè)波段為光導(dǎo)型器件。碲鎘汞光伏器件的物理本質(zhì)是PN結(jié)，這里采用的是N-on-P型平面結(jié)結(jié)構(gòu)，通過在P型碲鎘汞材料中進(jìn)行硼離子注入來形成PN結(jié)。其基本結(jié)構(gòu)如圖3所示。

圖3 N-on-P型平面結(jié)結(jié)構(gòu)

在體晶材料碲鎘汞光伏器件制備中，一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是厚度的選擇，為了降低背面表面復(fù)合速率的影響，采用的是厚基底結(jié)構(gòu)，即P型碲鎘汞材料的厚度大概為100 μm。短波碲鎘汞光伏器件的芯片設(shè)計(jì)版圖如圖4所示，中波碲鎘汞光伏器件的設(shè)計(jì)版如圖5所示。

圖4 短波碲鎘汞光伏芯片版圖設(shè)計(jì)

圖5 中波碲鎘汞光伏芯片版圖設(shè)計(jì)

短波和中波碲鎘汞光伏器件的工藝過程基本相同，只有在離子注入成結(jié)工藝中進(jìn)行了區(qū)分，短波器件的離子注入能量100 keV，而中波器件的離子注入能量是150 keV。光伏器件的具體工藝過程如圖6所示。制備得到的15元短波和中波碲鎘汞光伏芯片如圖7所示。

圖6 碲鎘汞光伏芯片的制造過程

圖7 碲鎘汞光伏芯片照片

碲鎘汞光導(dǎo)器件的物理本質(zhì)是一光敏電阻，基本結(jié)構(gòu)如圖8中所示。圖中給出了2種結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)器件，結(jié)構(gòu)圖8（b）是常規(guī)結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)圖8（c）中為了提高器件電阻，在光敏面上采用了開槽結(jié)構(gòu)，使其阻值增加到無槽結(jié)構(gòu)的（N+1）2倍（N為開槽數(shù)目）。項(xiàng)目中，長波光導(dǎo)器件采用的是結(jié)構(gòu)圖8（b），中波光導(dǎo)器件采用的是結(jié)構(gòu)圖8（c）。

圖8 碲鎘汞光導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)

碲鎘汞光導(dǎo)器件的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)為材料厚度。碲鎘汞光導(dǎo)器件厚度選擇的原則是對入射紅外輻射盡量吸收，根據(jù)碲鎘汞材料對不同紅外輻射的吸收系數(shù)可以確定不同波段器件的材料厚度，中波光導(dǎo)器件的厚度選擇8μm~12 μm，長波器件的厚度選擇13μm~16 μm。薄的碲鎘汞材料在工藝操作中極易碎裂，因此需要將其固定在較厚的襯底上。器件制備前需要先將碲鎘汞材料與襯底材料（通常為藍(lán)寶石）先用環(huán)氧膠通過壓片工藝粘貼到一起，環(huán)氧膠的厚度通常小于1 μm（從導(dǎo)熱的角度環(huán)氧膠的厚度越薄越好，但壓片壓強(qiáng)過大容易裂片）。利用拋光工藝將碲鎘汞材料拋光至需要的厚度，然后進(jìn)行光導(dǎo)器件的制備。

中波和長波碲鎘汞光導(dǎo)器件的芯片設(shè)計(jì)版圖，分別如圖9和圖10所示。碲鎘汞光導(dǎo)器件的制備工藝過程如圖11所示。制備得到的中波M1C、M2C和長波碲鎘汞光導(dǎo)芯片照片如圖12所示。

圖9 中波MC1和MC2波段碲鎘汞光導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)版圖

圖10 長波L1和L2波段碲鎘汞光導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)版圖

圖11 碲鎘汞光導(dǎo)芯片的制造過程

圖12 碲鎘汞光導(dǎo)芯片照片

碲鎘汞探測器信號的讀出方式

項(xiàng)目中光伏器件的響應(yīng)信號采用了CMOS低溫集成電子學(xué)讀出方式，而光導(dǎo)器件采用的是熱電子學(xué)讀出。短波碲鎘汞光伏器件的響應(yīng)信號通過電容反饋積分放大（CTIA）方式讀出，如圖13（a）所示，S0和S1波段積分電容Ci為0.9 pF，S2波段的積分電容Ci為0.6 pF；中波碲鎘汞光伏器件的響應(yīng)信號通過電阻反饋放大（RTIA）方式讀出，如圖13（b）所示，其反饋電阻R為15 MΩ；圖13中Vref為輸入端參考電壓。2種低溫電路均采用標(biāo)準(zhǔn)0.5 μm CMOS工藝制造而成。短波和中波的碲鎘汞光伏芯片與低溫電子學(xué)電路置于同一藍(lán)寶石電極板上，中間通過引線鍵合方式進(jìn)行互聯(lián)，其結(jié)構(gòu)如圖13所示。

圖13 碲鎘汞光伏器件的信號讀出方式

碲鎘汞光導(dǎo)芯片由于阻值太小，無法直接與CMOS低溫集成電子學(xué)電路進(jìn)行互聯(lián)，而是通過引線將信號引到探測器組件外與室溫?zé)犭娮訉W(xué)進(jìn)行連接。

寬幅成像儀中各波段碲鎘汞探測器的設(shè)計(jì)方案的歸納見表2。

表2 寬幅成像儀中各波段碲鎘汞探測器的設(shè)計(jì)方案

碲鎘汞探測器性能測試方法與結(jié)果

碲鎘汞光伏器件的測試方法

碲鎘汞光伏器件的性能測試主要包括3部分內(nèi)容：1）器件的電流-電壓曲線；2）器件的響應(yīng)光譜；3）器件的響應(yīng)率、噪聲和探測率以及像元之間的電串音。器件的電流?電壓曲線利用類似Keithley236的源表進(jìn)行測試，在芯片兩端施加一變化的電壓，然后測試通過芯片的電流，對于碲鎘汞光伏器件，兩端施加的變化電壓范圍通常為?0.5V~0.5 V。器件的響應(yīng)光譜通常采用傅里葉變換紅外（FTIR）光譜儀來進(jìn)行測試，干涉光源從傅里葉光譜儀引出后入射到探測器像元上，利用采樣保持得到干涉信號，干涉信號經(jīng)放大后返回到光譜儀主機(jī)，然后經(jīng)傅里葉變換得到器件的響應(yīng)光譜圖，測試原理如圖14所示。

圖14 碲鎘汞光伏器件FTIR光譜測試圖

通過該光譜圖可以得到器件響應(yīng)的峰值波長、截止波長以及峰值響應(yīng)G因子（即峰值響應(yīng)率與黑體響應(yīng)率的比值）。

器件的響應(yīng)率通常采用黑體測試得到，測試在一定條件下入射黑體產(chǎn)生的響應(yīng)信號，然后除以計(jì)算得到的黑體入射功率即可得到器件的黑體響應(yīng)率。同樣條件下對黑體信號進(jìn)行遮擋后可以測量得到器件的噪聲，然后結(jié)合黑體響應(yīng)率計(jì)算可得到器件的黑體探測率。再結(jié)合響應(yīng)光譜測試結(jié)果可以計(jì)算得到器件的光譜探測率。光伏器件的黑體響應(yīng)率和探測率的測試原理如圖15所示，對于短波器件黑體溫度取900 K，對于中波器件黑體溫度取500 K。調(diào)制盤調(diào)制頻率取1000 Hz，噪聲測試帶寬取100 Hz。

圖15 碲鎘汞光伏器件的信號和噪聲測試原理

碲鎘汞光導(dǎo)器件的測試方法

碲鎘汞光導(dǎo)器件的性能測試同樣包括3部分內(nèi)容：1）器件的阻值；2）器件的響應(yīng)光譜；3）器件的響應(yīng)率、噪聲和探測率以及像元之間的電串音。器件的阻值通常采用高精度萬用表來直接讀數(shù)測量。

光導(dǎo)器件的響應(yīng)光譜測試與光伏器件基本相同，主要差別在于光導(dǎo)器件需要增加一偏流源以給光導(dǎo)器件施加偏置電流，如圖16所示。

圖16碲鎘汞光導(dǎo)器件FTIR光譜測試圖

與光伏器件類似，光導(dǎo)器件的響應(yīng)率通常也是采用黑體測試得到，測試在一定條件下入射黑體產(chǎn)生的響應(yīng)信號，然后除以計(jì)算得到的黑體入射功率即可得到器件的黑體響應(yīng)率。根據(jù)碲鎘汞器件阻值較小的特點(diǎn)，通常對其采用電流源恒定偏置電流測試方法，器件接收到紅外輻射信號后電阻會發(fā)生變化，繼而引起兩端電壓的變化，通過對這一變化電壓的測量可以得到器件的響應(yīng)信號。由于器件的阻值變化很小（通常為原阻值的十萬分之幾），對這一電壓信號的測量必須采用交流方法，即對入射黑體輻射進(jìn)行一定頻率的調(diào)制，然后采用鎖相放大器對同樣頻率的電壓信號進(jìn)行測量。同樣條件下，對黑體信號進(jìn)行遮擋后可以測量得到器件的噪聲，整個(gè)測試過程原理如圖17所示。調(diào)制盤調(diào)制頻率取1000 Hz，噪聲測試帶寬取100 Hz。

圖17 碲鎘汞光導(dǎo)器件的信號和噪聲測試原理圖

相鄰像元之間的電串音需要進(jìn)行測試，測試方法是對一個(gè)像元施加一個(gè)1 mA的交流信號，然后測相鄰元的信號大小，兩者相比得到兩個(gè)像元之間的電串音。

寬幅成像儀各波段碲鎘汞芯片性能

各波段碲鎘汞器件根據(jù)以上測試方法在芯片研制過程完成后對其性能進(jìn)行了測試，均能滿足項(xiàng)目任務(wù)書指標(biāo)要求。以下僅給出器件的響應(yīng)光譜和探測率性能。短波組件三波段碲鎘汞光伏探測器的響應(yīng)光譜和探測率性能如圖18和圖19所示。中波組件三波段探測器的響應(yīng)光譜和探測率性能如圖20、圖21和圖22所示。中長波組件兩波段光導(dǎo)探測器的響應(yīng)光譜和探測率性能如圖23和圖24所示。

圖18 短波組件三波段碲鎘汞光伏探測器的響應(yīng)光譜

圖19 短波組件三波段碲鎘汞光伏探測器組件的探測率

圖20 中波組件三波段碲鎘汞探測器的響應(yīng)光譜

圖21 中波組件MV波段碲鎘汞光伏探測器的探測率

圖22 中波組件MC1和MC2波段碲鎘汞光導(dǎo)探測器的探測率

圖23 長波組件兩波段碲鎘汞光導(dǎo)探測器的響應(yīng)光譜

圖24 長波組件L1和L2波段碲鎘汞光導(dǎo)探測器的探測率

DQ?1 WSI碲鎘汞芯片性能與國外相似類型航天載荷芯片性能對比

WSI載荷的碲鎘汞紅外探測器技術(shù)繼承自風(fēng)云系列氣象衛(wèi)星，與WSI載荷在功能和探測波段方面有相似性的國外航天載荷包括美國的MO?DIS、VIIRS、GOES以及其他相關(guān)載荷，其中MODIS和VIRRS所采用的碲鎘汞紅外波段探測器由美國Raytheon公司（前身為SBRC）提供，GOES所采用的碲鎘汞紅外探測器由BAE公司提供。由于有的載荷碲鎘汞器件資料幾乎沒有公開報(bào)道，下面首先對文獻(xiàn)中報(bào)道過的與WSI載荷類似波段碲鎘汞器件的性能進(jìn)行歸納，然后將其與WSI載荷中碲鎘汞器件的性能進(jìn)行對比。

國外相關(guān)載荷碲鎘汞芯片性能

對于碲鎘汞光伏芯片來說，影響探測率性能的主要參數(shù)為量子效率和R?A因子（即零偏電阻R?與結(jié)區(qū)面積A的乘積）。表3中分別給出了文獻(xiàn)中查到的國外部分載荷短波碲鎘汞芯片的主要性能。

表3 國外相關(guān)載荷短波碲鎘汞光伏芯片性能

SBRC為某項(xiàng)目研制的中波碲鎘汞芯片性能，其截止波長為4.5 μm，工作溫度為80 K，文中提到芯片探測率優(yōu)于1×1012 cm·Hz1/2·W?1；WSI中7.325波段和8.55波段采用了光導(dǎo)型碲鎘汞芯片，而MODIS和VIIRS載荷這兩個(gè)波段均采用光伏型碲鎘汞芯片，芯片性能沒有公開報(bào)道。GOESI-M衛(wèi)星中有類似的工作波段，采用的是碲鎘汞光導(dǎo)型芯片，工作溫度為105 K，其探測率為1×1011 cm·Hz1/2·W?1。對于長波波段，MODIS和WSI均采用了光導(dǎo)型碲鎘汞芯片，少許透露了MO?DIS長波碲鎘汞芯片的性能，其探測率可以達(dá)到1×1011 cm·Hz1/2·W?1。

WSI與國外類似載荷碲鎘汞芯片探測率性能對比

WSI各個(gè)波段的碲鎘汞芯片與國外載荷型號類似波段碲鎘汞芯片的探測率性能對比，見表4。

表4 WSI與國外類似載荷碲鎘汞芯片探測率對比

由表可知，WSI各個(gè)波段碲鎘汞芯片探測率性能與國外載荷類似波段所用的碲鎘汞芯片基本相當(dāng)，對于長波光導(dǎo)芯片，考MODIS長波器件的工作溫度為85 K，而WSI的工作溫度為100 K，兩者的探測能力也基本相當(dāng)。

結(jié)束語

自從2022年4月16日首顆大氣環(huán)境監(jiān)測衛(wèi)星發(fā)射升空至今，寬幅成像儀載荷（WSI）已經(jīng)成功開機(jī)在軌運(yùn)行并得到了高精度紅外遙感數(shù)據(jù)，達(dá)到了儀器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，其中作為載荷眼睛的紅外探測器起到了不可或缺的重要作用，經(jīng)過與國外類似型號碲鎘汞芯片進(jìn)行比較，探測器的主要性能與國外相當(dāng)。本文中針對載荷所采用的碲鎘汞紅外探測器芯片從探測器設(shè)計(jì)到探測器性能測試進(jìn)行了介紹。作為一項(xiàng)航天工程任務(wù)，其最終成功需要各方面的協(xié)調(diào)配合，缺一不可。WSI紅外探測器的組件研制涉及探測器芯片、低溫電子學(xué)電路以及與組件封裝有關(guān)的光學(xué)透鏡、濾光片、管殼等，最后完成集成組裝。當(dāng)組件封裝完成以后，還需要進(jìn)行一系列可靠性試驗(yàn)工作。

這項(xiàng)研究獲得國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（2021YFA0715501）的資助和支持。

論文鏈接：

DOI: 10.19328/j.cnki.2096?8655.2023.03.012