LDO的電流相關(guān)內(nèi)容包括如下幾種,靜態(tài)電流IQ、接地電流IGND、關(guān)斷電流、電流限制、防止反向電流等。
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①靜態(tài)電流IQ
靜態(tài)電流 IQ是指當外部負載電流為零時為LDO 的內(nèi)部電路供電所需的電流,它包括帶隙基準電壓源、誤差放大器、輸出分壓器以及過流和過溫檢測等電路的工作電流。靜態(tài)電流由拓撲結(jié)構(gòu)、輸入電壓和溫度確定。
LDO消耗功率PD=(VIN-VOUT)* IOUT+(VIN * IQ)
在待機模式中,靜態(tài)電流甚至?xí)脊牡陌俜种迨陨?,雖然其值不大,但是在一些低功耗設(shè)計中,如智能手表、手環(huán)等這個消耗就非常重要了。
②接地電流IGND
接地電流IGND是指輸入電流與輸出電流之差,并且必然包括靜態(tài)
電流IQ。一般的LDO接地電流在幾個毫安級別。
效率 =IOUT/(IOUT+IGND) ×VOUT/VIN× 100%
以TI的TPS7A91為例,若其輸入電壓6.5V,輸出電壓3V,輸出電流為5mA,則其IGND約為2mA,即效率不會高于36%,在低功耗應(yīng)用中,這個效率非常低下。
③ 關(guān)斷電流
關(guān)斷電流是指輸出被禁用時(受LDO控制,區(qū)別于負載斷開的情況)LDO 消耗的輸入電流。輸出被禁用時,部分內(nèi)部電路不再消耗功率,所以關(guān)斷電流一定小于靜態(tài)電流。其在低功耗應(yīng)用中是非常重要的參數(shù)。
如下圖所示,關(guān)斷電流與輸入電壓和溫度有關(guān)。
④ 電流限制
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一般LDO中都過流關(guān)斷功能,輸出電流到達設(shè)定值時就會關(guān)斷輸出。但設(shè)定值也會隨溫度、輸出電壓等因素有變化,設(shè)計的時候需考慮這些因素。如下圖1、圖2所示。
圖1VOUT&溫度對電流限制的影響
圖2溫度對電流限制的影響
⑤防止反向電流
由于內(nèi)部MOS管存在一個體二極管,當特殊情況下Vout大于Vin和內(nèi)部體二極管正向?qū)▔航抵蜁r,電流可能通過體二極管反向流動,造成LDO損壞。
防止出現(xiàn)反向電流的方法有幾種,例如在Vin與Vout之間反并聯(lián)一個肖特基二極管,由于肖特基二極管正向壓降遠低于內(nèi)部體二極管的壓降,所以反向電流會先通過外部肖特基二極管流向Vin,不會損壞LDO。
圖3 Vin與Vout之間反并聯(lián)肖特基二極管
也可以在輸入端串聯(lián)肖特基二極管來防止反向電流。
圖4 在輸入端串聯(lián)肖特基二極管
審核編輯 黃宇
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