美國KRi 離子源光通信應(yīng)用, 助力5G技術(shù)發(fā)展

光通信的信息載體是光波,為了進(jìn)一步提高光通信系統(tǒng)中光信號(hào)的傳輸質(zhì)量,滿足光通信系統(tǒng)的使用要求,上海伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)光模塊, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應(yīng)用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達(dá)到減少光纖對(duì)光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.

與國產(chǎn)離子源對(duì)比, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點(diǎn)
無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時(shí)間更長, 非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠(yuǎn)離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
清潔, 低污染工藝
優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝, 沉積原子為堅(jiān)硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
可控制的離子能量, 離子電流密度

KRi離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個(gè)離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)
工藝壓力在小于× 10-4 torr

美國KRiRFICP射頻離子源技術(shù)參數(shù)

上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.