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半導(dǎo)體芯片散熱面臨的挑戰(zhàn)

向欣電子 ? 2023-07-31 22:43 ? 次閱讀

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半導(dǎo)體已受到熱量的限制,好的設(shè)計可以減少它,并幫助消散它。

半導(dǎo)體消耗的功率會產(chǎn)生熱量,必須將熱量從設(shè)備中排出,但如何有效地做到這一點是一個日益嚴峻的挑戰(zhàn)。

熱量是半導(dǎo)體的廢物。當功率在設(shè)備和電線上耗散時就會產(chǎn)生這種現(xiàn)象。設(shè)備切換時會消耗電力,這意味著它取決于活動,并且不完美的設(shè)備和電線不斷地浪費電力。設(shè)計很少是完美的,一些熱量來自于執(zhí)行不需要的功能的活動。但在某些時候,設(shè)計團隊必須弄清楚如何消除熱量,因為如果不這樣做,產(chǎn)品的使用壽命將非常短。

只有三個過程控制熱量的傳遞:傳導(dǎo)、對流和輻射。簡單來說,傳導(dǎo)適用于固體,對流適用于液體和氣體,輻射適用于真空,而這種情況在半導(dǎo)體中很少見。

“與熱量相關(guān)的三個步驟,” Ansys 半導(dǎo)體部門營銷總監(jiān) Marc Swinnen 說道?!坝挟a(chǎn)生、傳導(dǎo)和耗散。你產(chǎn)生熱量,將其傳導(dǎo)到某個地方,然后消散。功率分析告訴您熱量產(chǎn)生的位置。傳導(dǎo)和耗散是一種包括流體學的物理分析。所有這三個都必須包含在系統(tǒng)分析中,因為它們之間存在反饋?!?/p>

隨著晶體管密度的增加,這變得更加困難?!按蠖鄶?shù)人都可以改變導(dǎo)電路徑,”Cadence 多物理場系統(tǒng)分析小組的攝氏度熱解算器產(chǎn)品工程師 Karthick Gopalakrishnan說道?!安牧虾驮O(shè)計本身有改進的潛力,可以通過散熱設(shè)備的傳導(dǎo)帶走更多熱量。面臨的挑戰(zhàn)是,除非我們使用大型服務(wù)器,否則這些設(shè)備周圍的熱空間非常小。您必須考慮材料改進、芯片、封裝或 PCB 周圍熱空間的智能利用。你真正想做的是提高傳導(dǎo)傳熱率?!?/p>

如果不進行正確的分析,僅僅在設(shè)備上放置一個大型散熱器就會導(dǎo)致其他問題。要做到這一點,需要考慮氣流及其所在空間的機械設(shè)計,以便考慮到對其他設(shè)備的影響。

即使散熱器也有局限性?!坝泻芏喾椒梢韵到y(tǒng)中的熱量,例如強制液體冷卻,” Synopsys EDA 集團產(chǎn)品管理總監(jiān) William Ruby 說道?!拔覀兛吹揭恍└冗M的封裝取得了許多進步。通過 3D-IC 設(shè)計,可以采用強制氣流和液體冷卻。有一些關(guān)于能夠通過特殊通孔減輕熱量以幫助擴散的新概念?!?/p>

與導(dǎo)體和絕緣體之間存在數(shù)量級差異的電導(dǎo)率不同,熱導(dǎo)率在某種程度上受到限制。“硅的電導(dǎo)率為 100 至 120 瓦/米開爾文 (W/(mx K)),作為導(dǎo)熱材料,這已經(jīng)相當不錯了,”西門子數(shù)字工業(yè)軟件旗下 Simcenter 產(chǎn)品組合的電子與半導(dǎo)體行業(yè)總監(jiān) John Parry 表示?!般~的電導(dǎo)率只有 400,而銅通常被用作經(jīng)濟經(jīng)濟的最佳熱導(dǎo)體。”

各種大大小小的散熱器和冷板

還有其他經(jīng)濟方面的考慮。Arm系統(tǒng)集成與開發(fā)部研究員兼高級總監(jiān) Javier DeLaCruz 表示:“數(shù)據(jù)中心的主要成本驅(qū)動因素不是散熱方法的成本,而是管理數(shù)據(jù)中心級別熱傳遞的運營成本?!薄斑M入數(shù)據(jù)中心的電力是有限的,這些電力在為計算系統(tǒng)供電和提取熱量之間共享。因此,每瓦性能必須成為關(guān)注的指標,而不僅僅是性能?!?/p>

熱量會對性能產(chǎn)生重大影響?!凹词棺裱罴焉岵呗裕總€芯片在電路運行期間也會不同程度地升溫,從而降低性能,” Keysight EDA產(chǎn)品經(jīng)理 How-Siang Yap 說道?!皠討B(tài)溫度可以改變器件的電氣特性,例如增益、阻抗和負載牽引失配,以及更高級別的波形特性,例如數(shù)字調(diào)制信號射頻電路中的誤差矢量幅度 (EVM) 和相鄰?fù)ǖ佬孤┍?(ACLR)。在模擬系統(tǒng)中,影響懲罰可能更高。”

分析并不容易?!爱斀竦男酒浅?fù)雜,以至于很難定義如何創(chuàng)建能夠顯示最壞情況條件的活動,”Ansys 的 Swinnen 說道?!爱斈榭从蓽囟纫鸬挠嫊r誤差時,您看到的是納秒,最多幾微秒。其次,電參數(shù)和熱參數(shù)的時間常數(shù)非常不同,至少兩個數(shù)量級。當熱量綻放時,它會通過芯片和隔壁慢慢消散,因此您會看到熱量因兩秒鐘前在隔壁街區(qū)發(fā)生的事情而增加。”

芯片內(nèi)的熱量分布

熱量傾向于向各個方向傳播?!澳銦o法真正阻止熱量流向任何地方,”西門子的帕里說?!澳憧梢院逅?,但這與電氣世界非常不同,在電氣世界中,導(dǎo)體和絕緣體之間的電導(dǎo)率差異可能是 20、21 個數(shù)量級。從電氣角度來說,你可以讓電流流向你想要的地方,但從熱角度來說,你確實做不到?!?/p>

由于熱量取決于活動,因此芯片表面的溫度并不是恒定、均勻分布的?!澳赡苡幸粋€由設(shè)計中計算量非常大的部分創(chuàng)建的熱點,例如硬件加速器,”Synopsys 的 Ruby 說道?!靶酒牧硪徊糠挚赡懿惶钴S,或者只在特定的操作模式下使用。芯片上的溫度梯度取決于工作負載或活動?!?/p>

散熱在理論上很簡單,但在實踐中卻困難得多。Cadence 的 Gopalakrishnan 表示:“您希望通過在任何層上盡可能多地傳播熱量來最大程度地減少熱點。”“你必須考慮東西放在哪里。將某些東西移動到芯片邊緣并不總是可能的,因為在那里熱量不會向一個方向擴散?!?/p>

雖然您可能無法控制熱量,但您可以了解它是如何傳播的?!叭绻銓α鹘?jīng)芯片上電線的電流進行建模,并觀察由此產(chǎn)生的熱通量,那么在所有電流融合在一起之前,它不會走得太遠,”帕里說。“你可以查看溫度曲線,這并不能真正顯示出走線和絕緣體之間的差異。如果您查看溫度曲線,您將幾乎無法檢測到金屬痕跡的位置。但如果你觀察一下熱通量,就會發(fā)現(xiàn)金屬中的熱通量比絕緣體中的熱通量高幾個數(shù)量級?!?/p>

這讓事情變得容易一些?!皩芏噙@樣的東西進行建模時,它會讓事情變得更容易,”帕里補充道?!巴ㄟ^不對芯片表面上的單根導(dǎo)線、金屬化層進行建模,而是僅使用平均材料屬性,您可以獲得相當準確的結(jié)果,這是一種非常常見的做法?!?/p>

一種有效的技術(shù)是利用熱感知平面圖和單元布局?!盎舅枷胧沁M行布局以最小化峰值溫度和溫度梯度,”Ruby 說。“借助物理感知 RTL 功耗分析工具,您可以分析初始布局,然后將該功耗曲線數(shù)據(jù)輸入熱分析中。這是從基于最終簽核或完成的物理實施進行分析的左移,這可能為時已晚,無法開始更改宏觀平面圖。我們還可以研究通孔密度、凸塊密度和不同金屬密度等?!?/p>

對于 3D-IC,TSV 一直被認為是創(chuàng)建熱走廊的一種方法?!案玫?TSV 放置會有所幫助,”Gopalakrishnan 說。“但這也是有限制的,因為它們確實占用了寶貴的空間。在布局規(guī)劃方面,無論是在芯片級別(當您談?wù)搮^(qū)塊、電源塊或功能單元)還是在布線級別(當您嘗試添加 TSV)時,都有很大的改變空間。對它們來說最大的優(yōu)勢之一是,當您在芯片或電源附近工作時,您可以瞄準熱點?!?/p>

但影響有限。“它們在某種程度上被用作熱走廊,但如果你把它們想象成銅,它們的導(dǎo)電率只有它們所穿過的硅的四倍,”帕里說?!翱紤]一個 10×10 的單元,每個角落都有一個 TSV。這是百分之四。由于 TSV 的電導(dǎo)率僅為其所穿過的硅的電導(dǎo)率的四倍,因此您可能為芯片的有效電導(dǎo)率增加了 16%。它對熱量沒有太大影響,雖然它們確實有幫助,但它并不是靈丹妙藥?!?/p>

另一種新興技術(shù)是背面供電?!氨趁骐娫从兄陔娏鬏敚股岢蔀楦蟮奶魬?zhàn),”DeLaCruz 說?!绑w硅以前是局部散熱的重要機制,現(xiàn)在厚度已從約 800 微米發(fā)展到只有 1 微米,使得局部熱點更難以管理。TSV 并沒有使熱管理變得更容易,它們只是讓它變得不同,因為 TSV 以非常局部的方式提供幫助,并且僅在垂直于晶體管的軸上提供幫助。TSV 周圍的氧化物襯墊也會阻礙橫向熱能耗散?!?/p>

3D 增加了新的熱問題?!叭绻阆氲叫酒g的膠水層,這是很常見的,它們的目的是將芯片機械地固定在一起,”帕里說?!澳阈枰欢ǖ暮穸?。否則,芯片之間的互連處的剪切力太高,并且會導(dǎo)致電氣損壞。不幸的是,與硅芯片相比,這些膠層是相對較軟的材料,并且還往往具有相對較低的導(dǎo)熱率。您需要在熱力和機械力之間進行權(quán)衡。從熱學角度來說,您希望該層盡可能薄,以使通過該層的熱傳導(dǎo)盡可能有效。從機械角度來說,您希望有一個厚層,因為這樣可以吸收兩個模具之間位移的不匹配,而其間材料的剪切力相對較小?!?/p>

芯片外部的熱量分布

熱量可以通過封裝頂部逸出,然后可能進入散熱器,或者通過底部及其所連接的 PCB 逸出?!叭绻兴芰习渤尚?BGA,那么您將把絕大多數(shù)(80% 到 90%)的熱量傳遞到電路板上,”Parry 說?!叭绻愕姆庋b具有通往蓋子的良好傳導(dǎo)路徑,那么你可能可以安排 80% 到 90% 的熱量通過該路徑傳導(dǎo)。您可以控制它,具體取決于您所采取的打包方法,但不能完全控制。有些人總是走相反的路。”

您希望熱量流向的地方取決于具體應(yīng)用。“在服務(wù)器中,包裝周圍有很多空間可以利用,”Gopalakrishnan 說?!澳銉A向于用主動或被動散熱器以及有助于散發(fā)大量熱量的風扇來填充它。PCB 本身不會在散熱方面發(fā)揮主要作用。當您使用移動設(shè)備時,這不是一個解決方案,因為可能大約一半的熱量通過底部,剩下的一半則到達頂部。在這種情況下,PCB 將在芯片散熱方面發(fā)揮重要作用?!?/p>

當空間有限時,事情就會變得更加困難。“根據(jù)具體市場的不同,可以通過不同的方式來實現(xiàn)這一目標,”Arm 的 DeLaCruz 說道。“例如,在智能手機中,由于系統(tǒng)體積最小且散熱有效,石墨或石墨烯薄膜等高導(dǎo)電薄膜的使用非常普遍。在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域,主動和被動 3D 均熱板的使用可以實現(xiàn)數(shù)百瓦范圍內(nèi)的運行?!?/p>

液體冷卻是另一種可能性?!拔覀冏罱趯α黝I(lǐng)域看到了很多進展,”戈帕拉克里希南說。“你有風扇、液體冷卻和兩相系統(tǒng)。我們還擁有數(shù)據(jù)中心級別的浸沒式冷卻等先進系統(tǒng)。您會看到很多設(shè)計工程師和制造設(shè)備和系統(tǒng)的公司的路線圖,他們將液體冷卻作為路線圖的一部分。這是因為,如果您只是在設(shè)備上添加一個散熱器并期望它能夠冷卻,那么當您的散熱量超過每平方米 1 千瓦時,它就會達到極限。如果使用風扇,每平方米的功率約為 10 千瓦。但如今,我們擁有每平方米 1 兆瓦的先進服務(wù)器設(shè)備芯片。你真的必須探索這些策略?!?/p>

并非所有人都認為它會很快被采用。安培計算公司產(chǎn)品副總裁 Madhu Rangarajan 表示:“雖然我們預(yù)計液體冷卻將出現(xiàn)在超級計算集群等專業(yè)部署中,但它不太可能廣泛扎根?!薄皩τ谛酒O(shè)計人員來說,在創(chuàng)建新技術(shù)時考慮實際基礎(chǔ)設(shè)施限制并與系統(tǒng)設(shè)計人員和數(shù)據(jù)中心設(shè)計人員合作以推動其廣泛部署非常重要。我們預(yù)計未來五年部署的大多數(shù) CPU 仍需要以有效降低 TCO 的方式進行風冷。”

模型和分析

熱可能是第三方小芯片市場的絆腳石之一,因為小芯片需要熱模型?!案鱾€小芯片實際上不能相互獨立地設(shè)計,”Parry 說。“每個芯片都需要了解其相鄰芯片上的熱源。這些高密度先進封裝設(shè)計的開發(fā)需要更多的協(xié)作。為了使設(shè)計易于處理,這些東西的開發(fā)方式必須改變?!?/p>

創(chuàng)建模型并不簡單?!坝泻芏嗍虑槟愦_實不想在芯片熱模型中披露,”Gopalakrishnan 說?!叭藗冋谂σ越惦A模型或某種近似的形式添加自熱效應(yīng)、芯片的熱阻特性,而這種近似不一定需要有人了解芯片中存在的每一個幾何細節(jié)。目前,部分芯片模型就是這樣生成的?!?/p>

工具也需要改變?!?D-IC 世界是綜合模型的世界,需要進行基于模型的分析,”Ruby 說道?!澳悴豢赡芟裎覀兘裉炷菢影阉惺虑槎计矫婊T趩蝹€芯片上,我們在網(wǎng)表級別上進行時序簽核和電源簽核。在 3D-IC 背景下,這可能變得不切實際,因此我們需要開始考慮對各種組件進行建模?!?/p>

最終它將設(shè)計和包裝結(jié)合在一起?!澳阈枰獙⑿酒O(shè)計工作流程與封裝設(shè)計工作流程結(jié)合起來,”帕里說?!澳悴荒軐⑺鼈円暈橐粋€發(fā)生在另一個之前的事件,即芯片被提供給封裝組,特別是在 3D-IC 中。但它在某種程度上適用于 2.5D。我們面臨的挑戰(zhàn)是采用傳統(tǒng)上由封裝工程師(可能具有機械背景)使用的模擬技術(shù)類型,并將其提供給進行 IC 驗證的人員作為 IC 設(shè)計流程的一部分。他們可能不習慣使用機械工程師使用的工具集。這是采用該技術(shù)并重新包裝它的情況,以便需要在更高的設(shè)計流程中使用它的人們可以使用它。”

結(jié)論

許多芯片都面臨熱障,并且解決該問題并不容易?!安恍业氖聦嵤?,熱量是集成密度的限制因素,”Swinnen 說?!拔覀兛梢栽O(shè)計和制造令人難以置信的芯片,但它們會融化。這不是制造限制,也不是設(shè)計限制。這是物理限制,我們無法散發(fā)更多的熱量?!?/p>

盡管在某些應(yīng)用中可以使用奇特的解決方案,但大多數(shù)市場必須找到用更少的資源做更多的事情的方法,這意味著每瓦特具有更多的功能。與此相關(guān)的成本比過去的解決方案要大得多。

來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察編譯自semiengineering

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