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pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

MK米客方德 ? 2023-08-02 08:15 ? 次閱讀

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長,NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。


什么是pSLC


pSLC 是一種虛擬的 SLC 技術(shù),通過采用特殊的控制算法和管理方法,在 MLC 或 TLC 閃存芯片模擬 SLC 存儲(chǔ)單元。

1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC;

2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)計(jì),大幅提升Flash的性能和使用壽命,使得設(shè)備在極端的環(huán)境溫度下能穩(wěn)定運(yùn)行


pSLC的性能


1、pSLC不管是小檔案傳輸還是全盤讀寫,寫速都會(huì)穩(wěn)定維持,而MLC/TLC模式,則會(huì)出現(xiàn)明顯的掉速。

2、針對(duì)不同應(yīng)用的場景加入AI技術(shù),使產(chǎn)品維持高性能。

eMMC 8GB pSLC (MKEMF008GT1E-IE) 實(shí)測數(shù)據(jù):

pSLC模式性能:


b223f2c0-30c9-11ee-bbcf-dac502259ad0.png


MLC/TLC模式性能:


b241cfb6-30c9-11ee-bbcf-dac502259ad0.png


pSLC 的可靠性


相較于 MLC、TLC 和 QLC 閃存技術(shù),pSLC 閃存具有更高的性能和耐久性。雖然 MLC/TLC/QLC 閃存在提供更高存儲(chǔ)密度方面更有優(yōu)勢,但其壽命相對(duì)較短。pSLC 閃存通過虛擬 SLC 特性,彌合了性能和壽命之間的鴻溝,為高要求應(yīng)用帶來了更好的選擇。


b31e7b28-30c9-11ee-bbcf-dac502259ad0.png


pSLC極大的提高了設(shè)備的使用壽命,P/E壽命可達(dá)30000~50000次


8GB eMMC pSLC 486hrs實(shí)測數(shù)據(jù):


b33b423a-30c9-11ee-bbcf-dac502259ad0.png


1、極致的Wear-Leveling,WAF=1.15

2、TBW:8GB pSLC eMMC 高達(dá)489TB,接近MLC的25倍(8GB MLC僅20TB)



pSLC 的潛力


隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,pSLC 閃存有望持續(xù)發(fā)展,進(jìn)一步提高性能和壽命,并降低制造成本。這將使得 pSLC 閃存在更多領(lǐng)域中扮演更為重要的角色,滿足不斷增長的存儲(chǔ)需求。


pSLC 閃存作為一種高性能與低成本的創(chuàng)新技術(shù),為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的可能性。其虛擬 SLC 特性使其成為傳統(tǒng) SLC 閃存和現(xiàn)代 MLC/TLC/QLC 閃存之間的理想選擇。未來,pSLC 閃存的發(fā)展將進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步,滿足不斷增長的存儲(chǔ)需求,為各個(gè)領(lǐng)域提供穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)解決方案。



MK-米客方德 pSLC產(chǎn)品選型表

容量

型號(hào)

Flash類型

關(guān)鍵特征

eMMC

4GB(32Gbit)

MKEMC004GT1E-IE

pSLC

工業(yè)級(jí)寬溫
P/E Cycles 3萬次
LDPC 糾錯(cuò)

8GB (64Gbit)

MKEMF008GT1E-IE

16GB(128Gbit)

MKEMF016GT1E-IE

32GB(256Gbit)

MKEMF032GT2E-IE

SD NAND

32Gbit

MKDN032GIL-AA

pSLC

P/E Cycles 3萬次, 工業(yè)級(jí)
C10, U1, V10, A2
支持1.8v/3.3v IO電壓

64Gbit

MKDN064GIL-ZA

8Gbit

MKDV008GIL-SSP

pSLC

P/E Cycles 3萬次,工業(yè)級(jí)
C10, U1, V10
支持1.8v/3.3v IO電壓

16Gbit

MKDV016GIL-SSP

32Gbit

MKDV032GIL-SSP

Micro SD Card

8GB

MKUS008G-IGT1

pSLC

工業(yè)寬溫
P/E 周期3萬次, 1920 TBW

SD6.1 > C10,U3,V30,A2
高速持續(xù)寫入不掉速
pSCL, LDPC 糾錯(cuò)

16GB

MKUS016G-IGT1

32GB

MKUS032G-IGT2

64GB

MKUS064G-IGT4

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