隨著“雙碳”概念的深入,智能化、低碳化越來(lái)越成為數(shù)據(jù)中心的兩大“確定性”發(fā)展趨勢(shì),而低碳化就意味著要讓數(shù)據(jù)中心能耗更低、效率更高。據(jù)行家說(shuō)Research顯示,現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心(Si方案)整體功率轉(zhuǎn)換能效大約為75%,而采用GaN器件則能提升到87.5%。其中,DCDC 48V-12V 環(huán)節(jié)在整個(gè)鏈路中扮演了重要角色。
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后,英諾賽科又推出一款1000W 方案,利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn),配合磁集成方案,將開(kāi)關(guān)頻率提升至1MHz,在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下,輸出功率達(dá)到1000W,效率超98%,實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度優(yōu)勢(shì)。
1000W DCDC 電源模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋 LLC DCX,固定變比為4:1,支持 48V 輸入轉(zhuǎn) 12V 輸出,采用英諾賽科兩顆100V SolidGaN系列的 ISG3201 和八顆INN040LA015A 低壓 GaN 芯片搭配設(shè)計(jì)。
通過(guò)實(shí)際測(cè)試,在輸入電壓48V、輸出12V/30A 時(shí),峰值效率達(dá)到 98%;在輸入電壓 48V、輸出12V/85A 時(shí),滿載效率 96.29%。
1000W DCDC電源模塊采用了兩款 InnoGaN 氮化鎵芯片設(shè)計(jì)而成,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高功率轉(zhuǎn)換。
SolidGaN ISG3201 是一顆耐壓 100V 的半橋氮化鎵合封芯片,其內(nèi)部集成了2顆 100V/3.2mΩ 的增強(qiáng)型 GaN 和1顆 100V 半橋驅(qū)動(dòng),通過(guò)內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)器,優(yōu)化驅(qū)動(dòng)回路和功率回路,顯著降低寄生電感和開(kāi)關(guān)尖峰, 進(jìn)一步提高1000W 48V 電源模塊系統(tǒng)的整體性能和可靠性。產(chǎn)品面積(5mmx6.5mm)僅略大于單顆標(biāo)準(zhǔn) 5x6 Si 器件,相對(duì)于Si方案的PCB占板面積減小了73%。針對(duì)諧振軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用,GaN 的軟開(kāi)關(guān)FOM 僅為 Si 的45%,這就意味著在高頻軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,100V GaN 的性能更加優(yōu)越。
同時(shí),該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號(hào)輸入,并支持TTL電平驅(qū)動(dòng),可由專用控制器或通用MCU進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制,是數(shù)據(jù)中心模塊電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及D類功率放大器等48V電源系統(tǒng)的最佳選擇。
INN040LA015A 是一顆耐壓 40V 導(dǎo)阻 1.5mΩ 的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管,采用FCLGA 5*4 封裝,體積小巧,同時(shí)具備極低柵極電荷和導(dǎo)通電阻,且反向恢復(fù)電荷為零,不僅可以降低占板面積,支持1000W DCDC模塊的高功率密度設(shè)計(jì),更高的開(kāi)關(guān)頻率還能為系統(tǒng)提供更高的動(dòng)態(tài)響應(yīng),為綠色數(shù)據(jù)中心賦能。
未來(lái)的數(shù)據(jù)中心將以更高效、更綠色和更智能的方式為客戶提供服務(wù),1000W DCDC 電源模塊能夠使數(shù)據(jù)中心發(fā)揮高功率密度、低損耗等巨大優(yōu)勢(shì),氮化鎵作為實(shí)現(xiàn)綠色能源的核心器件,也將為數(shù)字化時(shí)代的到來(lái)提供有力支撐。
?場(chǎng)景應(yīng)用圖
?產(chǎn)品實(shí)體圖
?方案方塊圖
?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)
高效率:98.0% @48V-12V /30A
高頻率:1MHz
高功率密度:2150W/in^3
超小體積:39mm*26mm*7.5mm
?方案規(guī)格
尺寸:
39mm*26mm*7.5mm
效率:
峰值效率:98.0%@12V/30A
滿載效率:96.29%@12V/85A
功率密度:
2150W/in^3
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