電源PCB設(shè)計匯總

在《PCB設(shè)計丨電源設(shè)計的重要性》一文中，已經(jīng)介紹了電源設(shè)計的總體要求，以及不同電路的相關(guān)布局布線等知識點，那么本篇內(nèi)容，小編將以RK3588為例，為大家詳細介紹其他支線電源的PCB設(shè)計。

本次內(nèi)容篇幅較長，被分成了上下兩部分，感興趣的朋友可以關(guān)注公眾號【華秋DFM】，并搜索《電源PCB設(shè)計匯總（下）》繼續(xù)學(xué)習。

電源PCB設(shè)計

VDD_CPU_BIG0/1

01如下圖（上）所示的濾波電容，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_BIG電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容，務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在芯片附近，而且需要擺放在電源分割來源的路徑上。

02RK3588芯片VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳，保證每個管腳邊上都有一個對應(yīng)的過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接。

如下圖是電源管腳扇出走線情況，建議走線線寬10mil。

03VDD_CPU_BIG0/1覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳路徑都足夠。

04VDD_CPU_BIG的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（12個及以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會大大降低電容作用。

05VDD_CPU_BIG電流比較大需要雙層覆銅，VDD_CPU_BIG 電源在CPU區(qū)域線寬合計不得小于 300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。

盡量采用覆銅方式降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），如下圖所示。

06電源平面會被過孔反焊盤破壞，PCB設(shè)計時注意調(diào)整其他信號過孔的位置，使得電源的有效寬度滿足要求。

下圖L1為電源銅皮寬度58mil，由于過孔的反焊盤會破壞銅皮，導(dǎo)致實際有效過流寬度僅為L2+L3+L4=14.5mil。

07BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧12個，如下圖所示。

08BIG電源PDN目標阻抗建議值，如下表和下圖所示。

電源PCB設(shè)計

VDD_LOGIC

01VDD_LOGIC的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳路徑都足夠。

02如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_LOGIC電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容，務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND管腳盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并擺放在電源分割來源的路徑上。

03RK3588芯片VDD_LOGIC的電源管腳，每個管腳需要對應(yīng)一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。

04BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間VDD_LOGIC電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。

盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），GND過孔數(shù)量建議≧12個。

05VDD_LOGIC的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（8個以上10-20mil的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會大大降低電容作用，如下圖所示。

06電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧11個，如下圖所示。

電源PCB設(shè)計

VDD_GPU

01VDD_GPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

02VDD_GPU 的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（10個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會大大降低電容作用。

03如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_GPU電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

04RK3588芯片VDD_GPU的電源管腳，每個管腳需要對應(yīng)一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。

05VDD_GPU電源在GPU區(qū)域線寬不得小于300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，采用兩層覆銅方式，降低走線帶來壓降。

06電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧14個，如下圖所示。

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審核編輯：湯梓紅