使用MOSFET進(jìn)行過(guò)流保護(hù)的電路原理圖

使用 MOSFET 進(jìn)行過(guò)流保護(hù) – 電路原理圖

電子電路必須具有過(guò)流保護(hù)，以防止大電流造成損害。由于開(kāi)關(guān)時(shí)間快且導(dǎo)通電阻低，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）可用作過(guò)流保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)。在本文中，我們將討論基于 MOSFET 的過(guò)流預(yù)防的簡(jiǎn)單原理圖電路圖。

成分：

檢測(cè)電阻器 (Rs)：該電阻器用于測(cè)量流過(guò)電路的電流，與負(fù)載串聯(lián)。

比較器（運(yùn)算放大器）：使用運(yùn)算放大器將檢測(cè)電阻器兩端的電壓與參考電壓進(jìn)行比較。

參考電壓（Vref）：過(guò)流檢測(cè)的閾值是預(yù)設(shè)電壓。當(dāng)檢測(cè)電阻兩端的電壓大于參考電壓時(shí)，比較器的輸出將改變狀態(tài)。

MOSFET（N溝道）：電路中的開(kāi)關(guān)就是這個(gè)MOSFET。當(dāng)比較器的輸出為高電平時(shí)，MOSFET 導(dǎo)通，基本上切斷負(fù)載與電源的連接。

電路操作：

檢測(cè)電阻 (Rs) 產(chǎn)生的電壓與流過(guò)它的電流成正比。該電壓通過(guò)運(yùn)算放大器與參考電壓 (Vref) 進(jìn)行對(duì)比。當(dāng)負(fù)載電流在典型范圍內(nèi)時(shí)，Rs 兩端的電壓保持低于 Vref，運(yùn)算放大器輸出保持低電平。

如果發(fā)生過(guò)流情況（例如短路或負(fù)載電流過(guò)大），Rs 兩端的電壓將超過(guò) Vref。因此，運(yùn)算放大器的輸出增加。 MOSFET 的柵極由該強(qiáng)輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)，將其打開(kāi)并切斷負(fù)載電流。

好處：

該電路非常簡(jiǎn)單且價(jià)格實(shí)惠，因此非常適合各種應(yīng)用。

由于導(dǎo)通電阻較低，MOSFET 可以減少開(kāi)關(guān)上的電壓驟降。

由于MOSFET的快速開(kāi)關(guān)特性，響應(yīng)時(shí)間快。

筆記：

Rs 和 Vref 等變量的值將根據(jù)特定應(yīng)用的需求而變化。根據(jù)預(yù)期的負(fù)載電流和保護(hù)電路的靈敏度，設(shè)計(jì)人員應(yīng)選擇合適的值。在高功率應(yīng)用中使用電路時(shí)，還應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岷凸β士紤]因素。