國芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源（特別是通信電源）中。現(xiàn)階段，PFC電路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，電源的損耗較大，效率偏低。

在電源的PFC電路中，將硅基肖特基二極管直接替換為碳化硅肖特基二極管，可以減小損耗，減小了對周圍電路的電磁干擾，提高電源的可靠性，滿足嚴(yán)格的電源能效認(rèn)證要求。

一般來說，我們都希望在單相PFC電路中的二極管D1的反向恢復(fù)時(shí)間越短越好。上圖PFC的二極管反向恢復(fù)損耗會引發(fā)MOSFET的開通損耗，也會產(chǎn)生電磁干擾。因此，在一個(gè)通信電源的PFC電路中，我們使用碳化硅肖特基B1D20065K來替代普通的二極管。

B1D20065K采用TO-220-2封裝，是650V 20A的碳化硅肖特基二極管，具體參數(shù)如下：

反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)：650V

反向浪涌峰值電壓(VRSM)：650V

正向平均電流(IF)：20A

正向不重復(fù)峰值電流(IFSM)：150A

耗散功率(Ptot)：235W

工作溫度(Tj)：-55~175℃

正向壓降(VF)：1.42V@6A

反向電流(IR)：1μA@650V

總存儲電荷(QC)：64nC

B1D20065K的總電容電荷Qc為64nC，極小的反向恢復(fù)電荷，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，同時(shí)降低開關(guān)損耗，有效提高電源整體系統(tǒng)效率。

此外，B1D20065K可替代完美科銳的CVFD20065A、羅姆的SCS220AG、英飛凌的IDH20G65C5、意法半導(dǎo)體的STPSC20065D以及安森美的FFSP2065A，是一個(gè)非常理想的PFC電路應(yīng)用解決方案。

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