可控硅調(diào)功電路原理分析

在常見(jiàn)的馬達(dá)調(diào)速以及需要調(diào)整負(fù)載功率的場(chǎng)合，經(jīng)常會(huì)用到可控硅調(diào)功電路，下圖是常見(jiàn)的應(yīng)用電路。

調(diào)功電路主要由阻容移相電路和可控硅觸發(fā)電路構(gòu)成，工作過(guò)程如下，當(dāng)交流電的正半周時(shí)，交流電通過(guò)R5,可調(diào)電阻R3給電容C1充電，當(dāng)C1上的電壓達(dá)到雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，D1導(dǎo)通，接著可控硅D2得到正的觸發(fā)型號(hào)，可控硅導(dǎo)通，負(fù)載得電工作。

當(dāng)交流電過(guò)零點(diǎn)時(shí)刻，可控硅D2關(guān)斷，緊接著交流電負(fù)半周到來(lái)，交流電對(duì)C1進(jìn)行反向充電，同樣當(dāng)C1上的電壓達(dá)到雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，D1導(dǎo)通，接著可控硅D2得到負(fù)的觸發(fā)型號(hào)，可控硅導(dǎo)通，負(fù)載得電工作。以上可以看出在交流電的正負(fù)半周內(nèi)，會(huì)輸出一個(gè)正的和負(fù)的觸發(fā)信號(hào)給到可控硅的觸發(fā)極，使可控硅在正負(fù)半周內(nèi)對(duì)稱(chēng)的時(shí)刻開(kāi)始導(dǎo)通。改變可調(diào)電阻R3的值，即改變了C1的充電速度，也就改變了雙向可控硅的導(dǎo)通起始角，即改變了單位時(shí)間內(nèi)負(fù)載上的平均電流，從而實(shí)現(xiàn)了調(diào)功的目的。以下是仿真圖片

R3調(diào)到最大時(shí) 下面分別顯示R3調(diào)到最大時(shí)，負(fù)載兩端的電壓波形和可控硅觸發(fā)信號(hào)波形

R3最大時(shí)，負(fù)載兩端波形

R3最大時(shí)，可控硅觸發(fā)信號(hào)波形

以下是R3調(diào)到30％時(shí)的波形

R3調(diào)到30％時(shí)，負(fù)載兩端波形

以下是R3調(diào)到最小時(shí)的波形

R3調(diào)到最小時(shí)，負(fù)載兩端波形

通過(guò)以上波形可以看出，在R3調(diào)小的過(guò)程中，可控硅的導(dǎo)通角越來(lái)越小，單位時(shí)間內(nèi)，負(fù)載得電的時(shí)間越多，平均電流就越大。以上就是整個(gè)可控硅調(diào)功的過(guò)程。