離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效。「美能光伏」作為一家具有眾多檢測(cè)電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光譜儀可通過(guò)測(cè)量離子注入工藝后晶硅太陽(yáng)能電池的H含量，來(lái)判定其鈍化效果是否符合電池生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而判斷太陽(yáng)能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)！

離子注入工藝原理

離子注入是一種半導(dǎo)體工藝，它是使用加速離子束將特定元素注入到太陽(yáng)能電池片的表面。離子注入工藝的原理是利用加速器將離子束加速到高速，然后將離子束引導(dǎo)到太陽(yáng)能電池的硅片表面，離子束與電池片表面相互作用，使得離子進(jìn)入太陽(yáng)能電池的表面層，注入的離子將太陽(yáng)能電池片表面的原子替換為注入的離子，從而改變電池的光電性能，提升太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。

離子注入在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

離子注入過(guò)程中高能離子對(duì)硅片晶格會(huì)造成一定的損傷，可通過(guò)高溫退火的方法消除該損傷，利用退火這一步驟可同時(shí)在硅片表面生長(zhǎng)一層薄的SiO2層，對(duì)硅片表面起到鈍化作用。然而為了保障晶硅太陽(yáng)能電池的鈍化情況是否達(dá)到制作工藝的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，就可以通過(guò)美能傅里葉紅外光譜儀進(jìn)行一鍵計(jì)算R結(jié)構(gòu)因子以及H含量，從而判斷晶硅太陽(yáng)能電池的鈍化效果。

離子注入電池工藝流程圖

離子注入技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

離子注入制備發(fā)射極在高方阻情況下能保證很好的均勻性，且退火過(guò)程同時(shí)可對(duì)發(fā)射極進(jìn)行熱氧化鈍化，可減少表面復(fù)合損失。離子注入制備的發(fā)射極能與絲網(wǎng)印刷電極有更好的接觸，有利于減少接觸電阻的損失。離子注入可增加晶硅太陽(yáng)能電池的有效受光面積，從而減少光學(xué)損失，通過(guò)離子注入工藝的注入劑量、離子能量和退火工藝，能精確控制摻雜水平，實(shí)現(xiàn)晶硅太陽(yáng)能電池的高光電轉(zhuǎn)換率。

美能傅里葉紅外光譜儀

一鍵計(jì)算R結(jié)構(gòu)因子以及H含量

超大光譜范圍可達(dá)7800~350cm-1

光譜波數(shù)準(zhǔn)確度優(yōu)于1.0cm-1、波數(shù)重復(fù)性優(yōu)于0.1cm-1

進(jìn)口高靈敏度DLATGS檢測(cè)器、透光率精度≤0.5T

節(jié)約人工、操作易上手、大大提高工作效率

離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中具有顯著的應(yīng)用價(jià)值，可使晶硅太陽(yáng)能電池具有鈍化作用，從而有效提高電池的光電轉(zhuǎn)換率，并可在大規(guī)模生產(chǎn)中降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)速率。「美能光伏」生產(chǎn)的美能傅里葉紅外光譜儀可幫助電池廠商在生產(chǎn)電池時(shí)，了解電池的鈍化情況，并根據(jù)「美能光伏」所擁有的解決方案解決在制作晶硅太陽(yáng)能電池的過(guò)程中所遇到的鈍化問(wèn)題！