實地架構(gòu)電源管理芯片H6602
為了滿足日益增長的電源管理需求，惠海半導(dǎo)體特別推出了一款實地架構(gòu)電源管理芯片H6602，能夠解決靜態(tài)電流大、外圍復(fù)雜、紋波大、輸出電壓不穩(wěn)、動態(tài)負(fù)載差等痛點。
H6602是一款內(nèi)置MOSFET實地架構(gòu)的降壓恒壓芯片。
在寬電壓輸入范圍內(nèi)，其持續(xù)輸出電流可達到0.65A，具有良好的負(fù)載和線性調(diào)整率。
電流控制模式提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)，并使環(huán)路更易穩(wěn)定。
故障保護包括逐周期限流保護和過溫保護等。
0.1uA關(guān)斷模式
380KHz固定頻率
過溫關(guān)斷保護
逐周期過流保護
0.65A持續(xù)輸出電流
內(nèi)置MOS耐壓高達100V
4.5V至80V寬輸入工作電壓范圍
輸出調(diào)節(jié)范圍為0.81V至0.9xVIN
除模塊供電外，還可以應(yīng)用在電機驅(qū)動，電動車儀表盤，單片機，MCU供電等多種應(yīng)用場合。
可滿足輸入12V，24V，30V，48V，60V，72V輸出3V，5V，9V，12V，15V，24V等多種參數(shù)。
審核編輯 黃宇
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