半個(gè)世紀(jì)以來(lái),馮·諾依曼計(jì)算機(jī)一直是解決結(jié)構(gòu)化數(shù)學(xué)問(wèn)題的主要工具,并取得了巨大的發(fā)展。然而,隨著高能效和智能計(jì)算需求的不斷增長(zhǎng),傳統(tǒng)的馮·諾依曼計(jì)算機(jī)面臨著帶寬不足和能耗過(guò)高等問(wèn)題,迫切需要新的計(jì)算架構(gòu)來(lái)應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。近年來(lái),人腦的神經(jīng)系統(tǒng)成為了一種備受期待的生物超級(jí)計(jì)算機(jī)系統(tǒng),因?yàn)樗鼡碛袑W(xué)習(xí)、識(shí)別、感知和記憶等高度并行信息處理能力,具有高速計(jì)算和極低能耗的優(yōu)勢(shì)。這個(gè)系統(tǒng)由神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)組成,這些神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)之間通過(guò)數(shù)以萬(wàn)億計(jì)的突觸連接進(jìn)行通信,模擬了人腦的復(fù)雜功能。
為了模擬突觸的生物行為,研究人員提出了一種神經(jīng)形態(tài)裝置,通過(guò)觸發(fā)具有不同電導(dǎo)值的動(dòng)作電位來(lái)調(diào)節(jié)突觸的權(quán)重。這一創(chuàng)新方法使得人工突觸具有了短期可塑性、長(zhǎng)期可塑性和尖峰率依賴可塑性等功能。盡管已經(jīng)進(jìn)行了廣泛的突觸模擬研究,但大多數(shù)設(shè)備仍然依賴于電信號(hào)的刺激來(lái)調(diào)節(jié)其電導(dǎo),這在帶寬、連接密度和互連問(wèn)題上存在限制。此外,人類(lèi)的感知刺激幾乎都來(lái)自外部源,無(wú)法完全用電信號(hào)來(lái)模擬。因此,光學(xué)突觸被認(rèn)為是一種有前途的選擇,它可以提供比電突觸更大的帶寬、更快的信號(hào)處理速度和更低的能耗,并為人工視覺(jué)系統(tǒng)等應(yīng)用提供了新的可能性。
最近,一些光電神經(jīng)形態(tài)裝置被提出用于模擬突觸行為,其中一些可以實(shí)現(xiàn)興奮性和抑制性突觸后電流。然而,大多數(shù)這些裝置仍然依賴于不可見(jiàn)光源,這限制了它們?cè)谌斯ひ曈X(jué)系統(tǒng)等應(yīng)用中的使用。在這方面,新興的層狀硒化鉍(Bi2O2Se)材料表現(xiàn)出了出色的電子遷移率、寬帶光響應(yīng)和環(huán)境穩(wěn)定性,適用于多種光電子器件。盡管這一材料具有潛力,但迄今為止還未在光學(xué)突觸應(yīng)用中得到廣泛采用。
本研究首次將Bi2O2Se與石墨烯混合結(jié)構(gòu)應(yīng)用于光電探測(cè)器、光電子學(xué)、神經(jīng)形態(tài)裝置和數(shù)字邏輯運(yùn)算等多個(gè)領(lǐng)域。這種混合器件可以通過(guò)激發(fā)不同波長(zhǎng)的光源來(lái)控制其正負(fù)光響應(yīng),無(wú)需額外的柵極控制。這一特性使得我們能夠模擬主要的突觸功能,例如短期記憶、長(zhǎng)期記憶、長(zhǎng)期增強(qiáng)和長(zhǎng)期抑制,通過(guò)調(diào)節(jié)光電導(dǎo)。此外,通過(guò)不同波長(zhǎng)的光輸入和光開(kāi)關(guān),我們還能夠在同一設(shè)備中實(shí)現(xiàn)邏輯功能,如“AND”和“OR”。
通過(guò)使用開(kāi)爾文探針力顯微鏡,我們觀察到了Bi2O2Se /石墨烯層的表面電位變化,支持了這種雙向光響應(yīng)機(jī)制。這一研究為構(gòu)建神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)提供了一種創(chuàng)新且高效的途徑,將硒化鉍材料引入光學(xué)突觸領(lǐng)域,為未來(lái)的計(jì)算和光電子學(xué)開(kāi)辟了新的前景。
Bi2O2Se的制備:采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法制備了均勻、高質(zhì)量的Bi2O2Se單晶,如圖1a 所示。簡(jiǎn)言之,將Bi2O3和B2Se3粉末放置在室的中心和上游以產(chǎn)生蒸氣源。由于新劈裂的云母與Bi2O2Se表現(xiàn)出強(qiáng)烈的相互作用,因此它是橫向二維生長(zhǎng)的合適基材。將該云母基材放置在室的下游側(cè)。在典型的生長(zhǎng)條件下,壓力保持在100托,中心區(qū)溫度保持在700℃ 40分鐘,然后自然冷卻至室溫。
圖1 Bi2O2Se的CVD合成及表征
光電探測(cè)器的應(yīng)用:光介導(dǎo)的激發(fā)是通過(guò)分別用 635 和 365 nm 的波長(zhǎng)照射光電探測(cè)器來(lái)進(jìn)行的。在這里,這種混合光電探測(cè)器表現(xiàn)出兩種響應(yīng)模式,即正光電導(dǎo)(PPC)和負(fù)光電導(dǎo)(NPC)。PPC通常是由激發(fā)更多電荷(電子或空穴)從價(jià)帶到導(dǎo)帶的照明產(chǎn)生的,從而導(dǎo)致半導(dǎo)體電導(dǎo)率的增加。此外,NPC是指半導(dǎo)體在光照下電導(dǎo)率降低。光對(duì) Bi2O2的影響分別研究了 1 V 電壓下的 Se 和石墨烯通道,以區(qū)分混合器件中的 NPC 和 PPC。
機(jī)理:,在強(qiáng)度為 1.2 mW cm ^-2 ^的635 nm 照明下Bi2O2Se的電流變化被區(qū)分為兩種狀態(tài)的行為,表明這種 PPC 行為涉及兩種效應(yīng)。在第一區(qū)域中,隨著燈的開(kāi)啟,器件的電流在短時(shí)間內(nèi)顯著增加。這種快速響應(yīng)是指在其他光電材料中觀察到的光電導(dǎo)性。此后,第二區(qū)域中的電流逐漸增大。這種緩慢的響應(yīng)歸因于先前報(bào)告中描述的輻射熱效應(yīng)引起的熱載流子注入。因此,我們得出Bi2O2Se的PPC現(xiàn)象是由光電導(dǎo)效應(yīng)和測(cè)輻射熱效應(yīng)共存引起的。相反,在石墨烯中觀察到NPC行為,如圖2c所示。在波長(zhǎng)為365 nm的照射下,石墨烯的電流逐漸減小,并且隨著光強(qiáng)度從0.6增加到4 mW cm^-2^ ,電流的衰減取決于光強(qiáng)度。電流減少的這種緩慢響應(yīng)可以通過(guò)光誘導(dǎo)的物理氣體從石墨烯表面的解吸和吸附來(lái)解釋。由于該器件處于大氣中,氧分子充當(dāng)受體,電子將從石墨烯流向吸附物,這使得石墨烯的費(fèi)米能級(jí)移至低能級(jí),形成p型摻雜層。這種提出的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制在基于石墨烯的氣體傳感器中被廣泛接受。
圖2 在 Bi2O2Se/石墨烯混合器件中觀察到正光電導(dǎo)性和負(fù)光電導(dǎo)性
KPFM測(cè)試:基于KPFM測(cè)量,這兩種效應(yīng)分別通過(guò)Bi2O2Se在635和365 nm照射下相反的費(fèi)米能級(jí)變化得到驗(yàn)證。通過(guò)用 635 nm 波長(zhǎng)照射器件來(lái)實(shí)現(xiàn)Bi2O2Se費(fèi)米能級(jí)變化的增加,這表明存在光電導(dǎo)效應(yīng)。相反,觀察到Bi2O2Se在 365 nm 照射后的費(fèi)米能級(jí)較低,這與輻射熱效應(yīng)直接相關(guān)。通過(guò)這種方式,可以觀察到 365 nm 照射下的石墨烯的 NPC 行為。石墨烯的費(fèi)米能級(jí)增加以接近狄拉克點(diǎn),因?yàn)榭昭ㄝd流子的濃度因氧或水分子從石墨烯表面的解吸而降低??傮w而言,用于解釋該機(jī)制的 KPFM 結(jié)果與Bi2O2Se/石墨烯雜化結(jié)構(gòu)中的光響應(yīng)一致。PPC 和 NPC 之間光響應(yīng)的轉(zhuǎn)變分別通過(guò) 635 nm 和 365 nm 的照明實(shí)現(xiàn)并完全解釋。
圖3 采用 KPFM 來(lái)揭示Bi2O2Se/石墨烯薄膜的表面電位差 (SPD)并構(gòu)建具有不同光調(diào)制的混合結(jié)構(gòu)的能帶圖
突觸可塑性的模擬:這一獨(dú)特的光響應(yīng)性有助于模擬突觸的短期和長(zhǎng)期可塑性。這是由光電導(dǎo)、測(cè)輻射熱和光誘導(dǎo)解吸的綜合作用實(shí)現(xiàn)的。我們可以實(shí)現(xiàn)所有光刺激的長(zhǎng)期增強(qiáng)或長(zhǎng)期抑制,從而為神經(jīng)形態(tài)硬件開(kāi)辟了新的可能性。
圖4 光刺激下Bi2O2Se/石墨烯突觸器件中的突觸功能
數(shù)字邏輯功能的全光調(diào)制:展示了這些器件在數(shù)字邏輯功能方面的應(yīng)用,如“AND”和“OR”操作。通過(guò)全光調(diào)制,我們能夠執(zhí)行這些邏輯操作,進(jìn)一步證明了Bi2O2Se/石墨烯混合結(jié)構(gòu)的多功能性。
圖5 光電數(shù)字邏輯應(yīng)用
綜合而言,所提出的基于Bi2O2Se/石墨烯的光電器件代表了未來(lái)多功能人工神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新且高效的構(gòu)建模塊。這項(xiàng)研究為光電子學(xué)和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算領(lǐng)域的進(jìn)展帶來(lái)了嶄新的可能性,有望推動(dòng)人工智能技術(shù)的發(fā)展。
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原文標(biāo)題:2D Bi2O2Se-石墨烯混合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙向全光突觸,助力多功能光電子學(xué)
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