溫度循環(huán)試驗(yàn)(高低溫循環(huán)試驗(yàn)/Temperature Cycling)是將晶振暴露在高低溫交替的試驗(yàn)環(huán)境下,測(cè)試元器件抗高低溫交替沖擊的能力。
試驗(yàn)模擬溫度交替變化對(duì)電子元器件的機(jī)械性能和電氣性能的影響《晶體諧振器電性能參數(shù)介紹》,及元器件在短期內(nèi)反復(fù)承受溫度變化的能力。同時(shí),本試驗(yàn)將暴露元器件制造問題,如:芯片裂紋,密封性不強(qiáng),接觸不良,材料熱脹冷縮等。
溫度循環(huán)試驗(yàn)一般采用高低溫交變?cè)囼?yàn)箱,例如“慶聲KSON-KSK系列”。試驗(yàn)箱可根據(jù)預(yù)設(shè)的曲線完成試驗(yàn)。可參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有:MIL-STD-810F,JESD22 Method JA- 104,GJB 360B.107等。
試驗(yàn)說明
低溫:-40±5°C
高溫:125±5°C?
循環(huán):1000 cycles
高低溫度保持時(shí)間最大時(shí)間30mins?
高低溫切換時(shí)間最大1min?
實(shí)驗(yàn)結(jié)束后24±2Hrs進(jìn)行電性能測(cè)試?
本試驗(yàn)對(duì)晶振的影響
晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max),諧振阻抗增大3Ω左右(5max)/±10%;晶體振蕩器頻率降低3ppm左右(5max)。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:晶振可靠性測(cè)試:溫度循環(huán)試驗(yàn)
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