IC版圖設(shè)計(jì)布局經(jīng)驗(yàn)90條！

布局前的準(zhǔn)備：

1 查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確

2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭。否則無(wú)法做DRACULA檢查

3 布局前考慮好出PIN的方向和位置

4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起

5 對(duì)兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎

6 對(duì)pin分類，vdd，vddx注意不要混淆，不同電位（襯底接不同電壓）的n井分開，混合信號(hào)的電路尤其注意這點(diǎn)

7 在正確的路徑下（一般是進(jìn)到~/opus）打開icfb

8 更改cell時(shí)查看路徑，一定要在正確的library下更改，以防copy過來(lái)的cell是在其他的library下，被改錯(cuò)

9 將不同電位的N井找出來(lái)

布局時(shí)注意：

10 更改原理圖后一定記得check and save

11 完成每個(gè)cell后要?dú)w原點(diǎn)

12 DEVICE的 個(gè)數(shù) 是否和原理圖一至（有并聯(lián)的管子時(shí)注意）;各DEVICE的尺寸是否和原理圖一至。一般在拿到原理圖之后，會(huì)對(duì)布局有大概的規(guī)劃，先畫DEVICE，（DIVECE之間不必用最小間距，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)考慮連線空間留出空隙）再連線。畫DEVICE后從EXTRACTED中看參數(shù)檢驗(yàn)對(duì)錯(cuò)。對(duì)每個(gè)device器件的各端從什么方向，什么位置與其他物體連線 必須 先有考慮（與經(jīng)驗(yàn)及floorplan的水平有關(guān)）

13 如果一個(gè)cell調(diào)用其它c(diǎn)ell，被調(diào)用的cell的vssx，vddx，vssb，vddb如果沒有和外層cell連起來(lái)，要打上PIN，否則通不過diva檢查。盡量在布局低層cell時(shí)就連起來(lái)

14 盡量用最上層金屬接出PIN

15 接出去的線拉到cell邊緣，布局時(shí)記得留出走線空間

16 金屬連線不宜過長(zhǎng)

17 電容一般最后畫，在空檔處拼湊

18 小尺寸的mos管孔可以少打一點(diǎn)

19 LABEL標(biāo)識(shí)元件時(shí)不要用y0層，mapfile不認(rèn)

20 管子的溝道上盡量不要走線;M2的影響比M1小

21 電容上下級(jí)板的電壓注意要均勻分布;電容的長(zhǎng)寬不宜相差過大。可以多個(gè)電阻并聯(lián)

22 多晶硅柵不能兩端都打孔連接金屬

23 柵上的孔最好打在柵的中間位置

24 U形的mos管用整片方形的柵覆蓋diff層，不要用layer generation的方法生成U形柵

25 一般打孔最少打兩個(gè)

26 Contact面積允許的情況下，能打越多越好，尤其是input/output部分，因?yàn)?a href="http://ttokpm.com/tags/電流/" target="_blank">電流較大。但如果contact阻值遠(yuǎn)大于diffusion則不適用。傳導(dǎo)線越寬越好，因?yàn)榭梢詼p少電阻值，但也增加了電容值

27 薄氧化層是否有對(duì)應(yīng)的植入層

28 金屬連接孔可以嵌在diffusion的孔中間

29 兩段金屬連接處重疊的地方注意金屬線最小寬度

30 連線接頭處一定要重疊，畫的時(shí)候?qū)⒃搮^(qū)域放大可避免此錯(cuò)誤

31 擺放各個(gè)小CELL時(shí)注意不要擠得太近，沒有留出走線空間。最后線只能從DEVICE上跨過去

32 Text2，y0層只是用來(lái)做檢查或標(biāo)志用，不用于光刻制造

33 芯片內(nèi)部的電源線/地線和ESD上的電源線/地線分開接;數(shù)模信號(hào)的電源線/地線分開

34 Pad的pass窗口的尺寸畫成整數(shù)90um

35 連接Esd電路的線不能斷，如果改變走向不要換金屬層

36 Esd電路中無(wú)VDDX，VSSX，是VDDB，VSSB

37 PAD和ESD最好使用M1連接，寬度不小于20um;使用M2連接時(shí)，pad上不用打VIA孔，在ESD電路上打

38 PAD與芯片內(nèi)部cell的連線要從ESD電路上接過去

39 Esd電路的SOURCE放兩邊，DRAIN放中間

40 ESD的D端的孔到poly的間距為4，S端到poly的間距為^+0.2.防止大電流從D端進(jìn)來(lái)時(shí)影響poly

41 ESD的pmos管與其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上

42 大尺寸的pmos/nmos與其他nmos/pmos（非powermos和ESD）的間距不夠70um時(shí)，但最好不要小于50um，中間加NWELL，打上NTAP

43 NWELL和PTAP的隔離效果有什么不同？NWELL較深，效果較好

44 只有esd電路中的管子才可以用2*2um的孔。怎么判斷ESD電路？上拉P管的D/G均接VDD，S接PAD;下拉N管的G/S接VSS，D接PAD.P/N管起二極管的作用

45 擺放ESD時(shí)nmos擺在最外緣，pmos在內(nèi)

46 關(guān)于匹配電路，放大電路不需要和下面的電流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所處的光刻環(huán)境一樣。匹配分為橫向，縱向，和中心匹配。1221為縱向匹配，12為中心匹配（把上方1轉(zhuǎn)到下方1時(shí)，上方2也達(dá)到下方2位置）21中心匹配最佳

47 尺寸非常小的匹配管子對(duì)匹配畫法要求不嚴(yán)格.4個(gè)以上的匹配管子，局部和整體都匹配的匹配方式最佳

48 在匹配電路的mos管左右畫上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個(gè)poly gate的間距等于poly gate之間的間距

49 電阻的匹配，例如1，2兩電阻需要匹配，仍是1221等方法。電阻dummy兩頭接地vssx

50 Via不要打在電阻體，電容（poly）邊緣上面

51 05工藝中resistor層只是做檢查用

52 電阻連線處孔越多，各個(gè)VIA孔的電阻是并聯(lián)關(guān)系，孔形成的電阻變小

53 電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣

54 電容的匹配，值，接線，位置的匹配

55 電阻連接fuse的pad的連線要稍寬，因?yàn)橥ㄟ^的電流較大.fuse的容絲用最上層金屬

56 關(guān)于powermos

① powermos一般接pin，要用足夠?qū)挼慕饘倬€接

② 幾種縮小面積的畫法

③ 柵的間距？無(wú)要求。柵的長(zhǎng)度不能超過100um

57 Power mos要考慮瞬時(shí)大電流通過的情況，保證電流到達(dá)各處的路徑的電阻相差不大。（適應(yīng)所有存在大電流通過的情況）

58 金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向

59 低層cell的pin，label等要整齊，and不要?jiǎng)h掉以備后用

60 匹配電路的柵如果橫走，之間連接用的金屬線會(huì)是豎走，用金屬一層，和規(guī)定的金屬走向一致

61 不同寬度金屬連接的影響？整個(gè)layout面積較大時(shí)影響可忽略

62 輸出端節(jié)電容要小。多個(gè)管子并聯(lián)，有一端是輸出時(shí)注意做到這點(diǎn)

63 做DRACULA檢查時(shí)，如果先運(yùn)行drc，drc檢查沒有完畢時(shí)做了lvs檢查，那么drc檢查的每一步會(huì)比lvs檢查的每一步快;反之，lvs會(huì)比 drc快

64 最終DRACULA通過之后在layout圖中空隙處加上ptap，先用thin-oxid將空隙處填滿，再打上孔，金屬寬度不要超過10，即一行最多8 個(gè)孔（06工藝）

65 為防止信號(hào)串?dāng)_，在兩電路間加上PTAP，此PTAP單獨(dú)連接VSS PAD

66 金屬上走過的電壓很大時(shí)，為避免尖角放電，拐角處用斜角，不能走90度度的直角

67 如果w=20，可畫成兩個(gè)w=10mos管并聯(lián)

68 并聯(lián)的管子共用端為S端，或D端;串聯(lián)的管子共用端為s/d端

出錯(cuò)檢查：

69 DEVICE的各端是否都有連線；連線是否正確

70 完成布局檢查時(shí)要查看每個(gè)接線的地方是否都有連線，特別注意VSSX，VDDX

71 查線時(shí)用SHOTS將線高亮顯示，便于找出可以合并或是縮短距離的金屬線

72 多個(gè)電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時(shí)所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半

73 無(wú)關(guān)的MOS管的THIN要斷開，不要連在一起

74 并聯(lián)的管子注意漏源合并，不要連錯(cuò)線。一個(gè)管子的源端也是另一個(gè)管子的源端

75 做DRAC檢查時(shí)最上層的pin的名稱用text2標(biāo)識(shí)。Text2的名稱要和該pin的名稱一樣

76 大CELL不要做DIVA檢查，用DRACULE

77 Text2層要打在最頂層cell里。如果打在pad上，于最頂層調(diào)用此PAD，Dracula無(wú)法認(rèn)出此pin

78 消除電阻dummy的lvs報(bào)錯(cuò)，把nimp和RPdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy

79 06工藝中M1最小寬度0.8，如果用0.8的M1拐線，雖然diva的drc不報(bào)錯(cuò)，但DRACULE的drc會(huì)在拐角處報(bào)錯(cuò)。要在拐角處加寬金屬線

80 最后DRACULA的lvs通過，但是drc沒有過，每次改正drc錯(cuò)誤前可把layout圖存成layout1，再改正。以免改錯(cuò)影響lvs不通過，舊 版圖也被保存下來(lái)了

81 Cell中間的連線盡量在低層cell中連完，不要放在高層cell中連，特別不要在最高層cell中連，因?yàn)樽罡邔觕ell的布局經(jīng)常會(huì)改動(dòng)，走線容易 因?yàn)閏ell的移動(dòng)變得混亂

82 DRACULA的drc無(wú)法檢查出pad必須滿足pad到與pad無(wú)關(guān)的物體間距為10這一規(guī)則

83 做DRACULA檢查時(shí)開兩個(gè)窗口，一個(gè)用于lvs，一個(gè)用于drc.可同時(shí)進(jìn)行，節(jié)省時(shí)間

容易犯的錯(cuò)誤：

84 電阻忘記加dummy

85 使用NS功能后沒有復(fù)原（選取AS），之后又進(jìn)行整圖移動(dòng)操作，結(jié)果被NS的元件沒有移動(dòng)，圖形被破壞

86 使用strech功能時(shí)錯(cuò)選。每次操作時(shí)注意看圖左下角提示

87 Op電路中輸入放大端的管子的襯底不接vddb/vddx

88 是否按下capslock鍵后沒有還原就操作

節(jié)省面積的途徑：

89 電源線下面可以畫有器件節(jié)省面積

90 電阻上面可以走線，畫電阻的區(qū)域可以充分利用

91 電阻的長(zhǎng)度畫越長(zhǎng)越省面積

92 走線時(shí)金屬線寬走最小可以節(jié)省面積，并不需要走孔的寬度

93 做新版本的layout圖時(shí)，舊圖保存，不要改動(dòng)或刪除。減小面積時(shí)如果低層CELL的線有與外層CELL相連，可以從更改連線入手，減小走線面積

94 版圖中面積被device，device的間隔和走線空間分割，減小面積一般從走線空間入手，更改FLOORPLAN。