本期是和ChatGPT辯論的第二回合
本期我們投喂了以下問題:
Q
如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj?
ChatGPT是這樣說的:
要計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj,需要考慮以下幾個(gè)因素:
1 | IGBT芯片的功率損耗。這個(gè)值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結(jié)溫就越高。 |
2 | IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會(huì)影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。 |
3 | 外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會(huì)影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會(huì)影響散熱效果。 |
如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj:
Tvj = Ta + Pd*Rthjc
其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結(jié)合部的熱阻。
需要注意的是,這個(gè)公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個(gè)系統(tǒng)的散熱能力。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,還需要結(jié)合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結(jié)溫。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物
發(fā)表于 08-08 09:46
?321次閱讀
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,VCE(集電極-發(fā)射極電壓)和結(jié)
發(fā)表于 08-08 09:13
?472次閱讀
IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率
發(fā)表于 07-19 11:21
?480次閱讀
芯片結(jié)溫計(jì)算,需要獲取芯片的損耗,損耗的準(zhǔn)確性,決定了計(jì)算芯片結(jié)溫的準(zhǔn)確性。
發(fā)表于 02-22 13:46
?1751次閱讀
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
發(fā)表于 02-21 09:41
?1557次閱讀
Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個(gè)開關(guān)器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。
發(fā)表于 02-01 13:59
?2350次閱讀
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
發(fā)表于 01-12 14:43
?4864次閱讀
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
發(fā)表于 12-15 09:54
?704次閱讀
IGBT和MOSFET該用誰?你選對(duì)了嗎?
發(fā)表于 12-08 18:25
?1982次閱讀
ad8346汽車級(jí)最高工作環(huán)境溫度是125度,最高結(jié)溫是多少攝氏度?
發(fā)表于 12-05 07:44
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
發(fā)表于 12-01 15:23
?1892次閱讀
大功率應(yīng)用中,如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前,我們先來了解一下
發(fā)表于 11-10 14:26
?2626次閱讀
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖 你可以把
發(fā)表于 10-16 10:28
?1856次閱讀
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實(shí)
發(fā)表于 09-22 16:54
?1w次閱讀
引起LED的結(jié)溫主要有哪些因素?歡迎大家查閱本篇文章。結(jié)溫指的是電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片中的PN結(jié)工作
發(fā)表于 09-22 09:42
?834次閱讀
評(píng)論