意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉(zhuǎn)換能效,相關參數(shù)十分出色,例如,飽和電壓 Vce(sat)很低,確保器件在導通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低,關斷電能得到優(yōu)化,讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關準諧振轉(zhuǎn)換器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐變性和能效,非常適合電磁加熱設備,包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中,意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。
此外, Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應,器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡化設計,并輕松并聯(lián)多個 IGBT管,以滿足高功率應用需求。
該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現(xiàn)已量產(chǎn),采用標準 TO-247 長引線功率封裝。
審核編輯:湯梓紅
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