Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實(shí)就是單片機(jī)留給用戶存儲(chǔ)自己數(shù)據(jù)的地方，類(lèi)似于單片機(jī)內(nèi)部的EEPROM，在CS+for CA，CX中也是可以直接配置生成庫(kù)函數(shù)的，但也可以使用FDL庫(kù)。

怎么去使用

1在瑞薩官網(wǎng)找到FDL庫(kù)T04的包文件下載，解壓并運(yùn)行安裝程序，從下拉列表選擇“Asia/Oceania - English”，點(diǎn)擊OK按照安裝程序的說(shuō)明進(jìn)行安裝；

2安裝過(guò)程中，選擇您使用編譯器版本的庫(kù)，我這邊用的是CA78K0R，所以選擇第一個(gè)；

3通過(guò)FDL生成應(yīng)用程序，生成的庫(kù)適用于CA78K0R編譯器，打開(kāi)FDL文件→CA78K0R→lib，需要將lib的文件加入到工程應(yīng)用；

4需要注意的是RL78系列在操作FDL庫(kù)中有一段需要避開(kāi)Self_RAM區(qū)域，所以需要在工程文件下添加dr文件來(lái)修改Self_RAM的段，改Self_RAM的開(kāi)始地址，以及所占的字節(jié)數(shù)；

5這里用到R5F10268芯片和FDL T04庫(kù)，可以看到?jīng)]有對(duì)應(yīng)的Self_RAM，所以不需要修改dr文件的RAM；

創(chuàng)建工程以及庫(kù)的導(dǎo)入

1創(chuàng)建新的工程，這邊選擇了R5F10268芯片，按照下圖標(biāo)記好選擇的順序，去選擇以下的選項(xiàng)，然后通過(guò)Generate Code生成所需的配置文件，同時(shí)也會(huì)自動(dòng)生成data flash庫(kù)文件；

2在r_cg_pfdl.c已經(jīng)生成有讀寫(xiě)的函數(shù)，不需要自己去添加；

3將FDL庫(kù)中的lib文件夾復(fù)制到工程路徑中；

4在工程樹(shù)中新建lib文件夾，并將lib里面的所有文件加進(jìn)來(lái)，pfdl.inc不加也可以，其他三個(gè)必須加；

5在r_cg_pfdl.c添加頭文件，這時(shí)候編譯應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題了，如果沒(méi)有添加，程序會(huì)找不到庫(kù)文件報(bào)錯(cuò)；

例程驗(yàn)證

1這里直接封裝了兩個(gè)函數(shù)，分別是讀寫(xiě)的函數(shù)，讀寫(xiě)操作前需要關(guān)總中斷，操作完成后再把總中斷打開(kāi)；

2最后我們通過(guò)代碼讀寫(xiě)10個(gè)字節(jié)去驗(yàn)證是否成功寫(xiě)入data flash區(qū)域；

對(duì)RL78/G12來(lái)說(shuō)，Data flash memory的起始地址為0xF1000H，所以以上write函數(shù)就是從0xF1000H開(kāi)始寫(xiě)入10個(gè)數(shù)據(jù)。

3打開(kāi)memory可以看到，在地址0xf1000開(kāi)始寫(xiě)的buffer跟定義的write_buffer一致，寫(xiě)入成功；