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簡(jiǎn)述pn結(jié)的三種擊穿機(jī)理

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-13 15:09 ? 次閱讀

簡(jiǎn)述pn結(jié)的三種擊穿機(jī)理

PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)之一,它由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料組成。在正向偏壓下,PN結(jié)會(huì)工作在正常的導(dǎo)電狀態(tài),而在反向偏壓下,PN結(jié)則會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這是PN結(jié)的一個(gè)重要特性并且它也是半導(dǎo)體器件運(yùn)行的一種重要機(jī)制。

擊穿是指當(dāng)反向電壓增大時(shí),電子會(huì)發(fā)生足夠的碰撞從而突破PN結(jié),使電流迅速增加。PN結(jié)的擊穿過(guò)程其實(shí)是由電場(chǎng)擊穿、載流子增加擊穿以及隧穿擊穿三種機(jī)制組成的,這篇文章將會(huì)分別詳述這三種機(jī)制。

一、電場(chǎng)擊穿

PN結(jié)在反向偏置時(shí),會(huì)形成反向電場(chǎng),該電場(chǎng)使電子在PN結(jié)的內(nèi)部受到加速,當(dāng)電子能量超過(guò)擊穿電壓時(shí),它們就會(huì)與原子發(fā)生碰撞而被加速,再次發(fā)生碰撞,結(jié)果形成了一系列的電子與空穴,從而形成電流。這種機(jī)制被稱為電場(chǎng)擊穿。

電場(chǎng)擊穿的特點(diǎn)是其電壓和電流間的比例關(guān)系并不是線性的,而是一個(gè)非常陡峭的曲線。在曲線上某一個(gè)點(diǎn)上,電流將會(huì)呈指數(shù)增長(zhǎng),這表明電子的足夠動(dòng)能已經(jīng)能夠在還未遇到屏蔽作用的情況下順利穿過(guò)屏障區(qū)。電場(chǎng)擊穿是PN結(jié)的常見(jiàn)機(jī)制之一,常用于高電壓交流電壓源的電路設(shè)計(jì)。

二、載流子增加擊穿

PN結(jié)另外一種擊穿機(jī)制是載流子增加擊穿。在PN結(jié)的正常區(qū)域,存在大量少數(shù)載流子(電子和空穴),而在PN結(jié)的結(jié)區(qū),兩種載流子的數(shù)量非常小。當(dāng)PN結(jié)受到反向偏置時(shí),外部電場(chǎng)加劇了兩個(gè)副本間電流的輸運(yùn),使得原先被分離的少數(shù)載流子被拉到結(jié)區(qū)域并進(jìn)行吸收,導(dǎo)致少數(shù)載流子的數(shù)量不斷增加,最終使得PN結(jié)的擊穿電壓下降。

載流子增加擊穿的特點(diǎn)是最終形成了一個(gè)聯(lián)鎖放電形式,其電流隨著高電流密度的增加而呈現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng)。除此之外,載流子增加擊穿也會(huì)導(dǎo)致大量的能量浪費(fèi)和熱量損失,使得整個(gè)半導(dǎo)體器件的負(fù)載能力下降。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,比較少使用這種擊穿機(jī)制。

三、隧穿擊穿

隧穿擊穿機(jī)制是指當(dāng)PN結(jié)的結(jié)區(qū)厚度小到足夠小的程度時(shí),在反向電場(chǎng)的作用下,載流子以隧穿的方式跨過(guò)隘口,形成電流。在PN結(jié)材料的摻雜濃度逐漸增多、結(jié)區(qū)域?qū)挾戎饾u減少的情況下,隧穿擊穿將會(huì)越來(lái)越容易發(fā)生。

隧穿擊穿的特點(diǎn)是它相對(duì)于其它的擊穿機(jī)制,這種機(jī)制的擊穿電壓更低,并且電流迅速爆發(fā)。由于其電流密度的增長(zhǎng)率非???,隧穿擊穿是最常用的擊穿機(jī)制之一,非常適合使用于高速小信號(hào)的半導(dǎo)體器件中。

總結(jié):

在PN結(jié)中,有三種主要的擊穿機(jī)制:電場(chǎng)擊穿、載流子增加擊穿以及隧穿擊穿。這三種擊穿機(jī)制對(duì)其它PN結(jié)的特性也有一定的影響。例如,當(dāng)材料摻雜級(jí)別變化的時(shí)候,不同擊穿機(jī)制會(huì)隨之而變化。隧穿擊穿對(duì)于摻雜濃度很低的材料是不起作用的,只有當(dāng)電子足夠能夠通過(guò)結(jié)區(qū)的時(shí)候才能起作用。

在半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造中,了解PN結(jié)的擊穿機(jī)制非常重要。它不僅能夠幫助我們索取合適的反向偏置電壓,進(jìn)而保護(hù)半導(dǎo)體器件免受擊穿的損害,還能夠?yàn)槲覀兲峁└玫脑O(shè)計(jì)參考,使得半導(dǎo)體器件能夠更好地發(fā)揮其特殊的性能和功能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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