搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶(hù)認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。

1200V P7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：

相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封裝電流等級(jí)，而且極大地提升了模塊的功率密度，從下表就可以直觀看出。

以IGBT7 1600A PrimePACK 2封裝為例，相對(duì)于IGBT4的同封裝里最大的900A模塊，其電流密度提升達(dá)到77%，而即使相對(duì)于IGBT4的PrimePACK 3封裝里電流最大的1400A模塊，其電流密度也提升了14%。

因此，采用新的IGBT7 P7 PrimePACK模塊，可以帶來(lái)以下三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：

同封裝替換IGBT4模塊，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)輸出更大的電流（或功率）；

以小的PP2封裝替換大的PP3封裝，實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)；

對(duì)于多模塊并聯(lián)的應(yīng)用場(chǎng)景，減小并聯(lián)模塊的數(shù)量。

另外，模塊內(nèi)采用了最新的1200V TRENCHSTOP IGBT7大功率P7芯片，和上一代的P4芯片相比，P7芯片有以下突出特性：

與IGBT4的P4相比，P7芯片的Vcesat@Icnom降低了0.75V，降幅達(dá)35%，非常適合于大功率模塊的低頻應(yīng)用場(chǎng)合；

短時(shí)過(guò)載的最高運(yùn)行結(jié)溫Tvjop 可達(dá)175℃，過(guò)載時(shí)長(zhǎng)t≤1分鐘且占空比D≤20%；

通過(guò)調(diào)整門(mén)級(jí)電阻Rg，可以很好的控制IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)的dv/dt

下面我們以FF1600R12IP7為例，通過(guò)與IGBT4的對(duì)應(yīng)模塊在規(guī)格書(shū)參數(shù)及實(shí)際工況下仿真結(jié)果的對(duì)比，來(lái)看其實(shí)際性能表現(xiàn)。

首先，規(guī)格書(shū)關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比結(jié)果如下，可以看出新模塊的Vcesat和Vf降幅都非常大。比如FF1600R12IP7在1400A電流下的飽和壓降Vcesat，僅有1.31V，比上一代FF1400R12IP4的2.15V，降低了0.84V，而二極管正向壓降VF也降低了0.28V。

其次，我們基于如下的通用變頻器典型工況，對(duì)上述三個(gè)器件型號(hào)在同一工況下仿真其最大輸出電流能力及損耗，得到如下結(jié)果：

仿真工況：

仿真結(jié)果之最大輸出電流能力對(duì)比：

從以上結(jié)果可以看出，在開(kāi)關(guān)頻率fsw=1~2.5kHz的范圍內(nèi)，新的FF1600R12IP7雖然是PP2的小封裝，但其輸出電流能力可以與上一代采用PP3封裝的FF1400R12IP4相媲美，或者能輸出更大的電流，且開(kāi)關(guān)頻率越低FF1600R12IP7的優(yōu)勢(shì)越明顯。

總之，搭載1200V IGBT7 P7芯片的PrimePACK模塊，“小身材大能量”，相比P4模塊，相同封裝額定電流大幅提升，極大拓展了功率密度，甚至可以用單個(gè)模塊替代之前需要兩個(gè)或三個(gè)模塊并聯(lián)的應(yīng)用場(chǎng)合，解決并聯(lián)不易均流的設(shè)計(jì)煩惱，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，為您的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更優(yōu)的方案選擇。